【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體，具體涉及一種射頻功率放大器制備方法、射頻功率放大器結(jié)構(gòu)及射頻功率放大器電路。
技術(shù)介紹
1、發(fā)射系統(tǒng)是一種用于將信號(hào)發(fā)射至空間的系統(tǒng)。在該發(fā)射系統(tǒng)中，發(fā)射機(jī)作為發(fā)射系統(tǒng)的核心部分，負(fù)責(zé)處理、放大需傳送的信息信號(hào)，并通過(guò)天線將其發(fā)送至空間。發(fā)射機(jī)內(nèi)部通常包含前級(jí)電路、調(diào)制振蕩電路和射頻功率放大器(radio-frequency?poweramplifier，簡(jiǎn)稱為rf?pa)等。前級(jí)電路主要負(fù)責(zé)輸入基帶信號(hào)的準(zhǔn)備工作，如濾波和初步放大。調(diào)制振蕩電路負(fù)責(zé)將輸入基帶信號(hào)(例如為音頻、視頻、數(shù)據(jù)等)調(diào)制為載波信號(hào)。調(diào)制后的載波信號(hào)通常較弱，因此需要通過(guò)射頻功率放大器將其提升到足夠的信號(hào)強(qiáng)度，以便通過(guò)天線進(jìn)行有效傳輸。上述射頻功率放大器的主要技術(shù)指標(biāo)是輸出功率和效率，因此，如何提高輸出功率和效率是射頻功率放大器設(shè)計(jì)目標(biāo)的核心，也是相關(guān)研究人員的重點(diǎn)課題。
2、傳統(tǒng)的線性功率放大器具有較高的增益和線性度，但效率比較低。而開關(guān)型功率放大器具有較高的效率和輸出功率，但線性度比較差。
3、有鑒于此，提升功率放大器的器件性能是現(xiàn)階段亟待解決的問(wèn)題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本申請(qǐng)的目的在于提供一種射頻功率放大器制備方法、射頻功率放大器結(jié)構(gòu)及射頻功率放大器電路，其不僅能有效地解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問(wèn)題，而且具有良好的性能(可提供足夠的增益、較大的輸出功率和較高的轉(zhuǎn)化效率)，制備成本相對(duì)較低，并與cmos電路的兼容性良好。
2、根據(jù)本申請(qǐng)的第一方面，本申請(qǐng)實(shí)施
3、根據(jù)本申請(qǐng)的第二方面，本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種射頻功率放大器結(jié)構(gòu)，包括：第一半導(dǎo)體襯底；第一半導(dǎo)體層，位于所述第一半導(dǎo)體襯底的上方，所述第一半導(dǎo)體層包括多個(gè)器件區(qū)域，各所述器件區(qū)域具有阱區(qū)和摻雜區(qū)，各所述阱區(qū)的上方具有第一多晶硅層，各所述摻雜區(qū)及各所述第一多晶硅層的上方具有第一金屬硅化物層；第一介電層，位于所述第一半導(dǎo)體層的上方，所述第一介電層覆蓋所述第一金屬硅化物層和所述第一半導(dǎo)體層，所述第一介電層具有貫穿的第一接觸孔，所述第一接觸孔與第一金屬硅化物層的表面相接觸，以連接所述場(chǎng)效應(yīng)管器件的源極、漏極和柵極；第二介電層，位于所述第一介電層的上方，所述第二介電層具有第一金屬互聯(lián)結(jié)構(gòu)，所述第一金屬互聯(lián)結(jié)構(gòu)與第一接觸孔電性連接；第四介電層，位于所述第二介電層的上方，所述第四介電層具有第二金屬硅化物層和貫穿的第二接觸孔，所述第二接觸孔用于電連接所述第二金屬硅化物層和所述第一金屬互聯(lián)結(jié)構(gòu)；所述第二金屬硅化物層的上方分別具有第三多晶硅層和第二多晶硅層；所述第三多晶硅層用于形成硅鍺異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的發(fā)射極；第二半導(dǎo)體層，位于所述第四介電層上方，所述第二半導(dǎo)體層具有層疊布置的硅鍺晶體層和集電極層，所述硅鍺晶體層用于形成所述硅鍺異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的基極，所述集電極層用于形成所述硅鍺異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的集電極；第五介電層，位于在所述第二半導(dǎo)體層的上方，所述第五介電層具有金屬布線結(jié)構(gòu)，所述金屬布線結(jié)構(gòu)與所述場(chǎng)效應(yīng)管器件的柵極端與射頻輸入端電性連接，以及與所述硅鍺異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的集電極端與射頻輸出端電性連接。
4、根據(jù)本申請(qǐng)的第三方面，本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種射頻功率放大器電路，所述射頻功率放大器電路包括：輸入單元，所述輸入單元配置為場(chǎng)效應(yīng)管共源放大器，所述場(chǎng)效應(yīng)管共源放大器包括第一場(chǎng)效應(yīng)管器件；中間單元，所述中間單元耦接至所述輸入單元，所述中間單元配置為場(chǎng)效應(yīng)管共柵放大器，所述場(chǎng)效應(yīng)管共柵放大器包括第二場(chǎng)效應(yīng)管器件；所述第二場(chǎng)效應(yīng)管器件配置為至少一個(gè)級(jí)聯(lián)場(chǎng)效應(yīng)管；末級(jí)單元，所述末級(jí)單元耦接至所述中間單元，所述末級(jí)單元包括三極管器件，所述三極管器件為硅鍺異質(zhì)結(jié)雙極晶體管。
5、本申請(qǐng)實(shí)施例提供的射頻功率放大器制備方法、射頻功率放大器結(jié)構(gòu)及射頻功率放大器電路中，射頻功率放大器包括基于硅鍺(sige)材料制成的硅鍺異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(sige?hbt)結(jié)構(gòu)，硅鍺(sige)材料具有高電子遷移率，從而可使射頻功率放大器以較低的功率在高頻下工作，可以提升射頻功率放大器的器件性能，使硅鍺異質(zhì)結(jié)雙極晶體管結(jié)構(gòu)表現(xiàn)出更高的可靠性和更好的耐壓性能。并且，硅鍺材料具有良好的熱擴(kuò)散性，能夠有效地將熱量傳導(dǎo)到器件結(jié)構(gòu)內(nèi)部的其他區(qū)域，從而減少局部過(guò)熱。進(jìn)一步，通過(guò)在硅鍺異質(zhì)結(jié)雙極晶體管結(jié)構(gòu)中引入硅鍺(sige)基區(qū)，使得硅鍺異質(zhì)結(jié)雙極晶體管結(jié)構(gòu)具有更高電流增益和更低的基區(qū)電阻，可降低功耗，進(jìn)而減少自效應(yīng)。
本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種射頻功率放大器制備方法，其特征在于，包括：
2.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述提供第一晶圓，包括：
3.如權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述在各所述器件區(qū)域的第一位置和第二位置分別進(jìn)行離子注入，以形成位于各所述第一位置的阱區(qū)和位于各所述第二位置的摻雜區(qū)之前，所述制備方法還包括：在所述第一半導(dǎo)體層的器件區(qū)域外圍形成第一溝槽隔離區(qū)。
4.如權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述第一溝槽隔離區(qū)還位于所述第一半導(dǎo)體層的第一器件區(qū)域和第二器件區(qū)域之間，所述第一器件區(qū)域內(nèi)摻雜區(qū)與所述第二器件區(qū)域內(nèi)摻雜區(qū)的摻雜類型相反。
5.如權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述在各所述阱區(qū)背離所述第一半導(dǎo)體襯底的一側(cè)形成第一多晶硅層之前，所述制備方法還包括：在各所述阱區(qū)背離所述第一半導(dǎo)體襯底的一側(cè)形成柵氧化層。
6.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述提供第二晶圓，包括：
7.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述在所述初始功率放大器結(jié)構(gòu)上形成金屬布線結(jié)構(gòu)，包括：
8.一
9.一種射頻功率放大器電路，其特征在于，所述射頻功率放大器電路包括：
10.如權(quán)利要求9所述的射頻功率放大器電路，其特征在于，
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種射頻功率放大器制備方法，其特征在于，包括：
2.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述提供第一晶圓，包括：
3.如權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述在各所述器件區(qū)域的第一位置和第二位置分別進(jìn)行離子注入，以形成位于各所述第一位置的阱區(qū)和位于各所述第二位置的摻雜區(qū)之前，所述制備方法還包括：在所述第一半導(dǎo)體層的器件區(qū)域外圍形成第一溝槽隔離區(qū)。
4.如權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述第一溝槽隔離區(qū)還位于所述第一半導(dǎo)體層的第一器件區(qū)域和第二器件區(qū)域之間，所述第一器件區(qū)域內(nèi)摻雜區(qū)與所述第二器件區(qū)域內(nèi)摻雜區(qū)的摻雜類型相反。
5.如權(quán)...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：陶波，孟雅楠，蕭國(guó)坤，盤永生，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：廣州增芯科技有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：
還沒有人留言評(píng)論。發(fā)表了對(duì)其他瀏覽者有用的留言會(huì)獲得科技券。