【技術實現步驟摘要】
本申請屬于光刻，尤其涉及一種芯片版圖圖形的修正方法、裝置、設備、介質及產品。
技術介紹
1、芯片進行光刻完以后需要進行化學刻蝕，化學刻蝕會產生偏差，為了彌補這種刻蝕偏差，需要對芯片版圖做修正(工藝中常稱為retargeting)。在修正中的一個重要的步驟，是基于選擇性偏差算法表(即ssa?table)，對芯片版圖上不同尺寸(width)和/或不同間距(space)的邊線做不同的刻蝕偏差(etch?bias)修正。選擇性偏差算法表是一個二維表格，行和列分別代表了不同的尺寸和間距，表格中的值代表需要進行的刻蝕補償的量。實際工藝中，通過查詢該表，即可快速得知芯片版圖不同邊線的刻蝕偏差值。對于整個芯片版圖，現有機制會遍歷芯片版圖上圖形的所有邊，同時每條邊都會遍歷這個二維表格以搜索到符合條件的刻蝕偏差值。假設芯片版圖上有n條邊，選擇性偏差算法表是一個n×n,(n＜＜n)的二維表格，則目前該算法的復雜度會達到o(nn2)。
2、對于大表格的選擇性偏差算法表，整個修正流程會變得十分慢，進而影響芯片的生產制造。
技術實現思路
1、本申請實施例提供一種芯片版圖圖形的修正方法、裝置、設備、介質及產品，能夠降低對選擇性偏差算法表的處理時間，提高芯片版圖圖形的修正速度。
2、一方面，本申請實施例提供一種芯片版圖圖形的修正方法，包括：
3、獲取所述芯片版圖圖形的邊線的第一參數對應的第一初始值以及第二參數對應的第二初始值；所述第一參數和所述第二參數分別為尺寸和間距中的一種；
4、基于所述第一初始值，從選擇性偏差算法表中確定對應的目標刻蝕偏差序列；所述選擇性偏差算法表為一個行和列分別與尺寸和間距對應的二維表格，表格內各單元的值為對應的刻蝕偏差，不同行和列分別對應不同的尺寸和間距；
5、基于所述第二初始值，從所述目標刻蝕偏差序列中確定對應的目標刻蝕偏差；
6、基于所述目標刻蝕偏差對所述芯片版圖圖形進行修正。
7、另一方面，所述選擇性偏差算法表中各行和各列分別與多個第一參數區間和多個第二參數區間一一對應。
8、另一方面，所述選擇性偏差算法表中各行和各列分別按各自對應的尺寸區間和間距區間的大小順序進行排列。
9、另一方面，所述基于所述第一初始值，從所述選擇性偏差算法表中確定對應的目標刻蝕偏差序列，包括：
10、從多個所述第一參數區間中，確定所述第一初始值所屬的第一目標參數區間；
11、從所述選擇性偏差算法表中確定所述第一目標參數區間對應的所述目標刻蝕偏差序列。
12、另一方面，所述從多個所述第一參數區間中，確定所述第一初始值所屬的第一目標參數區間，包括：
13、獲取所述選擇性偏差算法表中所述第一參數的所有取值，得到第一取值區間；
14、確定所述第一取值區間的第一中間值，以將所述第一取值區間劃分為兩個第一取值子區間；
15、比較所述第一初始值與所述第一中間值的大小，得到第一比較結果；
16、基于所述第一比較結果，從兩個所述第一取值子區間中，確定所述第一初始值所屬的第一目標取值子區間；
17、將所述第一目標取值子區間作為新的所述第一取值區間，并返回所述確定所述第一取值區間的第一中間值，以將所述第一取值區間劃分為兩個第一取值子區間的步驟，直至確定出所述第一初始值所屬的所述第一目標參數區間。
18、另一方面，所述基于所述第二初始值，從所述目標刻蝕偏差序列中確定對應的目標刻蝕偏差，包括：
19、從多個所述第二參數區間中，確定所述第二初始值所屬的第二目標參數區間；
20、從所述目標刻蝕偏差序列中確定所述第二目標參數區間對應的所述目標刻蝕偏差。
21、另一方面，所述從多個所述第二參數區間中，確定所述第二初始值所屬的第二目標參數區間，包括：
22、獲取所述選擇性偏差算法表中所述第二參數的所有取值，得到第二取值區間；
23、確定所述第二取值區間的第二中間值，以將所述第二取值區間劃分為兩個第二取值子區間；
24、比較所述第二初始值與所述第二中間值的大小，得到第二比較結果；
25、基于所述第二比較結果，從兩個所述第二取值子區間中，確定所述第二初始值所屬的所述第二目標取值子區間；
26、將所述第二目標取值子區間作為新的所述第二取值區間，并返回所述確定所述第二取值區間的第二中間值，以將所述第二取值區間劃分為兩個第二取值子區間的步驟，直至確定出所述第二初始值所屬的所述第二目標參數區間。
27、再一方面，本申請實施例提供了一種芯片版圖圖形的修正裝置，包括：
28、獲取模塊，用于獲取所述芯片版圖圖形的邊線的第一參數對應的第一初始值以及第二參數對應的第二初始值；所述第一參數和所述第二參數分別為尺寸和間距中的一種；
29、第一確定模塊，用于基于所述第一初始值，從選擇性偏差算法表中確定對應的目標刻蝕偏差序列；所述選擇性偏差算法表為一個行和列分別與尺寸和間距對應的二維表格，表格內各單元的值為對應的刻蝕偏差，不同行和列分別對應不同的尺寸和間距；
30、第二確定模塊，用于基于所述第二初始值，從所述目標刻蝕偏差序列中確定對應的目標刻蝕偏差；
31、修正模塊，用于基于所述目標刻蝕偏差對所述芯片版圖圖形進行修正。
32、再一方面，本申請實施例提供了一種芯片版圖圖形的修正設備，包括：處理器以及存儲有計算機程序指令的存儲器；
33、所述處理器執行所述計算機程序指令時實現如上所述的芯片版圖圖形的修正方法。
34、再一方面，本申請實施例提供了一種計算機可讀存儲介質，所述計算機可讀存儲介質上存儲有計算機程序指令，所述計算機程序指令被處理器執行時實現如上所述的芯片版圖圖形的修正方法。
35、再一方面，本申請實施例提供了一種計算機程序產品，所述計算機程序產品中的指令由電子設備的處理器執行時，使得所述電子設備執行如上所述的芯片版圖圖形的修正方法。
36、本申請實施例提供的一種芯片版圖圖形的修正方法，獲取第一初始值以及第二初始值后，先基于第一初始值，從選擇性偏差算法表中確定對應的目標刻蝕偏差序列；再基于第二初始值，從目標刻蝕偏差序列中確定對應的目標刻蝕偏差；最后基于目標刻蝕偏差對芯片版圖圖形進行修正。因為尺寸和間距是一條邊兩種獨立的屬性，且在查表過程中需要同時滿足兩個參數要求。因此，本實施例設定一個提前退出機制，即兩個參數分別進行查找，在找到第一初始值后，先確定出對應的目標刻蝕偏差序列，進而不再遍歷其他的刻蝕偏差序列，僅需要在目標刻蝕偏差序列進行查找即可。通過上述方式，極大減少了對選擇性偏差算法表的查找時間，進而實現了對修正過程的提速，提高了芯片生產效率。
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1.一種芯片版圖圖形的修正方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的芯片版圖圖形的修正方法，其特征在于，所述選擇性偏差算法表中各行和各列分別與多個第一參數區間和多個第二參數區間一一對應。
3.根據權利要求2所述的芯片版圖圖形的修正方法，其特征在于，所述選擇性偏差算法表中各行和各列分別按各自對應的尺寸區間和間距區間的大小順序進行排列。
4.根據權利要求3所述的芯片版圖圖形的修正方法，其特征在于，所述基于所述第一初始值，從所述選擇性偏差算法表中確定對應的目標刻蝕偏差序列，包括：
5.根據權利要求4所述的芯片版圖圖形的修正方法，其特征在于，所述從多個所述第一參數區間中，確定所述第一初始值所屬的第一目標參數區間，包括：
6.根據權利要求3至5任意一項所述的芯片版圖圖形的修正方法，其特征在于，所述基于所述第二初始值，從所述目標刻蝕偏差序列中確定對應的目標刻蝕偏差，包括：
7.根據權利要求6所述的芯片版圖圖形的修正方法，其特征在于，所述從多個所述第二參數區間中，確定所述第二初始值所屬的第二目標參數區間，包括：p>
8.一種芯片版圖圖形的修正裝置，其特征在于，包括：
9.一種芯片版圖圖形的修正設備，其特征在于，包括：處理器以及存儲有計算機程序指令的存儲器；
10.一種計算機可讀存儲介質，其特征在于，所述計算機可讀存儲介質上存儲有計算機程序指令，所述計算機程序指令被處理器執行時實現如權利要求1至7任意一項所述的芯片版圖圖形的修正方法。
11.一種計算機程序產品，其特征在于，所述計算機程序產品中的指令由電子設備的處理器執行時，使得所述電子設備執行如權利要求1至7任意一項所述的芯片版圖圖形的修正方法。
...【技術特征摘要】
1.一種芯片版圖圖形的修正方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的芯片版圖圖形的修正方法，其特征在于，所述選擇性偏差算法表中各行和各列分別與多個第一參數區間和多個第二參數區間一一對應。
3.根據權利要求2所述的芯片版圖圖形的修正方法，其特征在于，所述選擇性偏差算法表中各行和各列分別按各自對應的尺寸區間和間距區間的大小順序進行排列。
4.根據權利要求3所述的芯片版圖圖形的修正方法，其特征在于，所述基于所述第一初始值，從所述選擇性偏差算法表中確定對應的目標刻蝕偏差序列，包括：
5.根據權利要求4所述的芯片版圖圖形的修正方法，其特征在于，所述從多個所述第一參數區間中，確定所述第一初始值所屬的第一目標參數區間，包括：
6.根據權利要求3至5任意一項所述的芯片版圖圖形的修正方法，其特征在于，所述...
【專利技術屬性】
技術研發人員：汪琪皓，黃果，
申請(專利權)人：深圳晶源信息技術有限公司，
類型：發明
國別省市：
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