【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及有機(jī)光電材料，具體涉及一種含三亞苯的雜環(huán)化合物及其有機(jī)電致發(fā)光器件。
技術(shù)介紹
1、有機(jī)電致發(fā)光器件(organic?light-emitting?diode，oled)又稱為有機(jī)電致發(fā)光二極管，具有發(fā)光效率高、色彩對比度高、響應(yīng)速度快、質(zhì)地輕薄、低功耗等諸多優(yōu)點(diǎn)，作為新一代顯示技術(shù)，oled擁有優(yōu)異的發(fā)展前景和發(fā)展?jié)摿Α?/p>
2、傳統(tǒng)的有機(jī)電致發(fā)光器件結(jié)構(gòu)多呈三明治狀，主要包括陽極、陰極、空穴注入層、空穴傳輸層、空穴阻擋層、發(fā)光層、電子阻擋層、電子傳輸層、電子注入層以及覆蓋層。在外加電場的作用下，空穴由陽極注入，電子由陰極注入，電子和空穴通過載流子傳輸層跳躍遷移至發(fā)光層，并在發(fā)光層復(fù)合形成激子，然后激子將能量傳遞給有機(jī)發(fā)光分子，使其從基態(tài)躍遷至激發(fā)態(tài)，激發(fā)態(tài)分子處于不穩(wěn)定狀態(tài)，當(dāng)受激分子從激發(fā)態(tài)回到基態(tài)時(shí)能量以光的形式放出。
3、器件的各個(gè)有機(jī)功能層材料需要具備良好的性能以及相互匹配的能級(jí)，才能使有機(jī)電致發(fā)光器件具有較高的發(fā)光效率和較長的使用壽命。例如，主體材料的三線態(tài)能級(jí)需要高于客體材料的三線態(tài)能級(jí)，阻止從客體材料到主體材料的能量回傳，并將三線態(tài)激子局限在客體分子上。但是目前有機(jī)電致發(fā)光材料的發(fā)展現(xiàn)狀還不能滿足人類的需求，比如，主客體材料三線態(tài)能級(jí)不匹配。所以，研發(fā)出性能更優(yōu)異的有機(jī)電致發(fā)光材料是本領(lǐng)域技術(shù)人員亟需解決的問題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本專利技術(shù)為解決有機(jī)電致發(fā)光器件驅(qū)動(dòng)電壓高、發(fā)光效率低、壽命短的問題，提供了一種含三亞苯的雜環(huán)化合物
2、具體地，本專利技術(shù)提供了一種含三亞苯的雜環(huán)化合物，所述含三亞苯的雜環(huán)化合物具有式i表示的結(jié)構(gòu)：
3、
4、在式i中，所述ar1選自式1；
5、所述ar2選自取代或未取代的c6～c30的芳基、取代或未取代的c2～c30的雜芳基、取代或未取代的c3～c30的脂環(huán)和c6～c30的芳環(huán)的稠合環(huán)基、取代或未取代的c3～c30的脂環(huán)和c2～c30的雜芳環(huán)的稠合環(huán)基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的c3～c12的環(huán)烷基或式1中的任意一種；
6、所述y選自o或s；
7、所述r1獨(dú)立地選自氫、氘、氰基、鹵素、硝基、取代或未取代的c1～c12的烷基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的c3～c12的環(huán)烷基、取代或未取代的c6～c30的芳基、取代或未取代的c2～c30的雜芳基、取代或未取代的c3～c30的脂環(huán)和c6～c30的芳環(huán)的稠合環(huán)基、取代或未取代的c3～c30的脂環(huán)和c2～c30的雜芳環(huán)的稠合環(huán)基中的任意一種；
8、所述q選自0、1、2、3、4或5；
9、所述x獨(dú)立地選自c(r2)或n，且至多有兩個(gè)x為n原子，當(dāng)x都為c(r2)時(shí)，所述“*-l1-ar1”與所述“*-l2-ar2”相同；
10、所述r2獨(dú)立地選自氫、氘、氰基、鹵素、硝基、取代或未取代的c1～c12的烷基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的c3～c12的環(huán)烷基、取代或未取代的c6～c30的芳基、取代或未取代的c2～c30的雜芳基、取代或未取代的c3～c30的脂環(huán)和c6～c30的芳環(huán)的稠合環(huán)基、取代或未取代的c3～c30的脂環(huán)和c2～c30的雜芳環(huán)的稠合環(huán)基中的任意一種；
11、所述ra獨(dú)立地選自氫、氘、氰基、鹵素、硝基、取代或未取代的c1～c12的烷基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的c3～c12的環(huán)烷基、取代或未取代的c6～c12的芳基、取代或未取代的c2～c30的雜芳基、取代或未取代的c3～c30的脂環(huán)和c6～c30的芳環(huán)的稠合環(huán)基、取代或未取代的c3～c30的脂環(huán)和c2～c30的雜芳環(huán)的稠合環(huán)基中的任意一種；
12、所述ma選自0、1、2、3或4；
13、所述mb選自0、1、2、3、4、5、6或7；
14、所述l1、l2、l3獨(dú)立地選自單鍵、取代或未取代的c6～c30的亞芳基、取代或未取代的c2～c30的亞雜芳基、取代或未取代的c3～c30的脂環(huán)和c6～c30的芳環(huán)的亞稠合環(huán)基中的任意一種。
15、本專利技術(shù)提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括陽極、陰極和位于所述陽極與所述陰極之間或位于所述陽極與所述陰極中至少一個(gè)電極外側(cè)的有機(jī)功能層，所述有機(jī)功能層包含本專利技術(shù)所述含三亞苯的雜環(huán)化合物的任意一種或一種以上。
16、本專利技術(shù)還提供一種疊層有機(jī)電致發(fā)光器件，包括陽極、陰極、第一發(fā)光單元、第二發(fā)光單元和電荷產(chǎn)生層，所述第一發(fā)光單元、第二發(fā)光單元和電荷產(chǎn)生層位于陽極和陰極之間，所述電荷產(chǎn)生層位于第一發(fā)光單元和第二發(fā)光單元之間，所述電荷產(chǎn)生層包含本專利技術(shù)所述含三亞苯的雜環(huán)化合物的任意一種或一種以上。
17、有益效果：
18、本專利技術(shù)提供的含三亞苯的雜環(huán)化合物具備較高的電子遷移率，可以提高空穴和電子的結(jié)合效率；并且與客體材料的三線態(tài)能級(jí)匹配良好，能有效提高有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光效率；同時(shí)作為空穴阻擋層材料可以有效阻擋空穴向電子傳輸層一側(cè)遷移，降低電子注入傳輸勢壘，降低驅(qū)動(dòng)電壓，避免局部電壓過高導(dǎo)致器件功耗升高，延長器件的使用壽命。
19、綜上所述，專利技術(shù)提供的含三亞苯的雜環(huán)化合物是一類性能優(yōu)良的oled材料。
本文檔來自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種含三亞苯的雜環(huán)化合物，其特征在于，所述含三亞苯的雜環(huán)化合物具有式I表示的結(jié)構(gòu)：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的含三亞苯的雜環(huán)化合物，其特征在于，所述含三亞苯的雜環(huán)化合物選自下列式II-1～式II-5表示的結(jié)構(gòu)中的任意一種：
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的含三亞苯的雜環(huán)化合物，其特征在于，所述式1選自如下所示基團(tuán)中的任意一種：
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的含三亞苯的雜環(huán)化合物，其特征在于，所述Ar2選自式1或如下所示基團(tuán)中的任意一種：
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的含三亞苯的雜環(huán)化合物，其特征在于，所述Ar2選自式1或如下所示基團(tuán)中的任意一種：
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的含三亞苯的雜環(huán)化合物，其特征在于，所述L1、L2、L3獨(dú)立地選自單鍵或如下所示基團(tuán)中的任意一種：
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的含三亞苯的雜環(huán)化合物，其特征在于，所述含三亞苯的雜環(huán)化合物選自如下所示化合物中的任意一種：
8.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括陽極、陰極和位于所述陽極與所述陰極之間或位于所述陽極與所述陰極中至少一個(gè)電極外側(cè)的有機(jī)功能層，其特征在于，
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，所述有機(jī)功能層包括空穴傳輸區(qū)域、發(fā)光層和電子傳輸區(qū)域，所述發(fā)光層位于空穴傳輸區(qū)域和電子傳輸區(qū)域之間，其特征在于，所述電子傳輸區(qū)域或發(fā)光層包含權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述含三亞苯的雜環(huán)化合物的任意一種或一種以上。
10.一種疊層有機(jī)電致發(fā)光器件，包括陽極、陰極、第一發(fā)光單元、第二發(fā)光單元和電荷產(chǎn)生層，所述第一發(fā)光單元、第二發(fā)光單元和電荷產(chǎn)生層位于陽極和陰極之間，所述電荷產(chǎn)生層位于第一發(fā)光單元和第二發(fā)光單元之間，其特征在于，所述電荷產(chǎn)生層包含權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述含三亞苯的雜環(huán)化合物的任意一種或一種以上。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種含三亞苯的雜環(huán)化合物，其特征在于，所述含三亞苯的雜環(huán)化合物具有式i表示的結(jié)構(gòu)：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的含三亞苯的雜環(huán)化合物，其特征在于，所述含三亞苯的雜環(huán)化合物選自下列式ii-1～式ii-5表示的結(jié)構(gòu)中的任意一種：
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的含三亞苯的雜環(huán)化合物，其特征在于，所述式1選自如下所示基團(tuán)中的任意一種：
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的含三亞苯的雜環(huán)化合物，其特征在于，所述ar2選自式1或如下所示基團(tuán)中的任意一種：
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的含三亞苯的雜環(huán)化合物，其特征在于，所述ar2選自式1或如下所示基團(tuán)中的任意一種：
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的含三亞苯的雜環(huán)化合物，其特征在于，所述l1、l2、l3獨(dú)立地選自單鍵或如下所示基團(tuán)中的任意一種：
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的含三亞苯的雜環(huán)化合物，其特征在于，所述含三亞苯的雜環(huán)化合物選自如下所示化...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：劉喜慶，孫月，孫敬，
申請(專利權(quán))人：長春海譜潤斯科技股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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