【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本公開涉及電子器件的層壓結(jié)構(gòu)，具體涉及層壓結(jié)構(gòu)的基準(zhǔn)點。
技術(shù)介紹
1、通常采用電子基片來支撐、連接電子元件和電子模塊。印刷電路板等層壓結(jié)構(gòu)常常用作電子器件的電子基片。典型的層壓結(jié)構(gòu)可包括一個支撐用的非導(dǎo)體以及一個或多個連接電子元件或電子模塊的導(dǎo)體。導(dǎo)體可采用在非導(dǎo)體表面處裸露的任何類型導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，可包括接觸墊、導(dǎo)電線路、導(dǎo)孔的表面暴露部分等。電阻器、電容器、電感器、諧振器、接合線和集成電路(ic)等電子元件通過焊接工藝貼裝在一個或多個導(dǎo)體上。例如，導(dǎo)體可包括一個或多個通過一條或多條導(dǎo)電線路互相連接的接觸墊。因此，在層壓結(jié)構(gòu)上成型一個或多個電路。貼裝在層壓結(jié)構(gòu)上的一個或多個電子元件可通過布置形成一個電子器件或模塊。
2、在典型的制作工藝中，在一個常用的層壓結(jié)構(gòu)上可同時成型很多電子模塊，然后進行電子模塊或電子模塊組的切單。按照這種方式，可高速按順序?qū)嵤┏Ｓ蒙a(chǎn)步驟和工藝，同時成型大量的電子模塊。可采用電子元件貼裝工具在常用的層壓結(jié)構(gòu)上來貼裝電子元件，從而成型電子模塊。在電子模塊成型后，切單可包括沿單獨電子模塊的外圍邊界或者圍繞電子模塊組對層壓結(jié)構(gòu)進行切單。通常采用基準(zhǔn)點或識別標(biāo)記在層壓結(jié)構(gòu)上標(biāo)記各種電子元件的貼裝位置，或者標(biāo)記電子模塊切單線的位置。
3、現(xiàn)有技術(shù)需要提高電子器件和相關(guān)制作技術(shù)來克服傳統(tǒng)電子器件所帶來的挑戰(zhàn)。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本公開涉及電子器件的層壓結(jié)構(gòu)，具體涉及層壓結(jié)構(gòu)基準(zhǔn)點的構(gòu)型。本文所公開的層壓結(jié)構(gòu)可包括一個或多個金屬層和介電層，介電層為其
2、在另一方面，本文所述的任何上述方面和/或各種單獨方面和特征可進行組合，從而提供其他優(yōu)勢。除非本文中有相反規(guī)定，否則本文所述的任何各種特征和要素可與一個或多個其他公開的特征和要素結(jié)合使用。
3、本領(lǐng)域的技術(shù)人員在結(jié)合附圖一起閱讀以下具體實施方式后，應(yīng)理解本專利技術(shù)的范圍，并認(rèn)識到本專利技術(shù)的其他方面。
本文檔來自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護點】
1.一種器件，包括
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述開孔延伸穿過所述多個介電層中的至少一個介電層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中所述層壓結(jié)構(gòu)的在開孔底部處的所述至少一個水平表面由所述多個金屬層中的第三金屬層的表面定義。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中所述金屬覆層包括電磁屏蔽。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述層壓結(jié)構(gòu)進一步包括位于第一金屬層的表面上的阻焊層，所述阻焊層形成與所述基準(zhǔn)點對準(zhǔn)的阻焊層開孔。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的器件，其中，所述阻焊層開孔被配置為其在層壓結(jié)構(gòu)上的寬度大于所述基準(zhǔn)點在層壓結(jié)構(gòu)上的寬度。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的器件，其中所述金屬覆層被配置為覆蓋至少一部分阻焊層。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的器件，其中所述第一金屬層的所述表面的最靠近所述開孔的部分沒有焊阻層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的器件，其中所述金屬覆層被配置為覆蓋所述第一金屬層的所述表面的最靠近所述開孔且沒有所述阻焊膜層的所述部分。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中所
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的器件，其中所述基準(zhǔn)點的所述至少一個側(cè)壁沒有第二金屬層。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中所述基準(zhǔn)點包括對準(zhǔn)標(biāo)記。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中第一金屬層的厚度大于第二金屬層的厚度。
14.根據(jù)權(quán)利要求1的器件，進一步包括在層壓結(jié)構(gòu)的表面上的電子模塊，其中所述基準(zhǔn)點形成在層壓結(jié)構(gòu)的與電子模塊橫向間隔開的一部分中。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中所述金屬覆層包括銅和鎳中的至少一種。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種器件，包括
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述開孔延伸穿過所述多個介電層中的至少一個介電層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中所述層壓結(jié)構(gòu)的在開孔底部處的所述至少一個水平表面由所述多個金屬層中的第三金屬層的表面定義。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中所述金屬覆層包括電磁屏蔽。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述層壓結(jié)構(gòu)進一步包括位于第一金屬層的表面上的阻焊層，所述阻焊層形成與所述基準(zhǔn)點對準(zhǔn)的阻焊層開孔。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的器件，其中，所述阻焊層開孔被配置為其在層壓結(jié)構(gòu)上的寬度大于所述基準(zhǔn)點在層壓結(jié)構(gòu)上的寬度。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的器件，其中所述金屬覆層被配置為覆蓋至少一部分阻焊層。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的器件，其中所述第一金屬層的所述表面的最靠近所...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：約翰·奧古斯特·奧爾洛夫斯基，斯蒂芬·克雷格·帕克，小詹姆斯·埃德溫·卡勒，
申請(專利權(quán))人：QORVO美國公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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