【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本申請屬于絕緣柵雙極晶體管，具體涉及一種絕緣柵雙極晶體管的驅(qū)動電路。
技術(shù)介紹
1、絕緣柵雙極晶體管(igbt，insulated?gate?bipolar?transistor)處于高電壓域，驅(qū)動絕緣柵雙極晶體管需要高電壓(例如615伏特)的控制信號，而微控制單元(mcu，microcontroller?unit)處于低電壓域，提供低電壓(例如3.3伏特)的脈沖寬度調(diào)制(pwm，pulse?width?modulation?wave)的方波信號。
2、在先技術(shù)中，通過電壓轉(zhuǎn)換電路，將微控制單元輸出的低電壓的方波信號直接轉(zhuǎn)換為驅(qū)動絕緣柵雙極晶體管需要的高電壓的控制信號。
3、然而，在將低電壓的方波信號直接轉(zhuǎn)換為驅(qū)動絕緣柵雙極晶體管需要的高電壓的控制信號的過程中，電壓轉(zhuǎn)換電路中的器件產(chǎn)生的熱損耗大。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本申請旨在提供一種絕緣柵雙極晶體管的驅(qū)動電路，至少解決在先技術(shù)中在將低電壓的方波信號直接轉(zhuǎn)換為驅(qū)動絕緣柵雙極晶體管需要的高電壓的控制信號的過程中，電壓轉(zhuǎn)換電路中的器件產(chǎn)生的熱損耗大的問題。
2、為了解決上述技術(shù)問題，本申請是這樣實(shí)現(xiàn)的：
3、本申請實(shí)施例提供了一種絕緣柵雙極晶體管的驅(qū)動電路，包括反相延遲模塊、第一生成模塊、第二生成模塊以及輸出模塊；
4、所述反相延遲模塊分別與所述第一生成模塊和所述第二生成模塊電連接，所述反相延遲模塊用于接收方波信號，以及將所述方波信號反相并延遲，生成處理后信號；
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6、所述第二生成模塊與所述輸出模塊電連接，所述第二生成模塊用于接收所述方波信號，并根據(jù)所述方波信號和所述處理后信號，生成用于表征所述方波信號的下降沿的第二窄脈沖信號；
7、所述輸出模塊用于將所述第一窄脈沖信號的電壓升高，生成第三窄脈沖信號，并將所述第二窄脈沖信號的電壓升高，生成第四窄脈沖信號，以及根據(jù)所述第三窄脈沖信號和所述第四窄脈沖信號，生成驅(qū)動絕緣柵雙極晶體管的控制信號。
8、在本申請實(shí)施例中，通過反相延遲模塊接收方波信號，以及將方波信號反相并延遲，生成處理后信號，然后通過第一生成模塊接收方波信號，并根據(jù)方波信號和處理后信號，生成用于表征方波信號的上升沿的第一窄脈沖信號，和通過第二生成模塊接收方波信號，并根據(jù)方波信號和處理后信號，生成用于表征方波信號的下降沿的第二窄脈沖信號，再通過輸出模塊將第一窄脈沖信號的電壓升高，生成第三窄脈沖信號，并將第二窄脈沖信號的電壓升高，生成第四窄脈沖信號，以及根據(jù)第三窄脈沖信號和第四窄脈沖信號，生成驅(qū)動絕緣柵雙極晶體管的控制信號，在此過程中，由于窄脈沖信號的占空比小于方波信號的占空比，因此，與在先技術(shù)中通過方波信號實(shí)現(xiàn)電壓轉(zhuǎn)換相比，通過窄脈沖信號實(shí)現(xiàn)電壓轉(zhuǎn)換，降低了驅(qū)動電路中的器件產(chǎn)生的熱損耗。
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1.一種絕緣柵雙極晶體管的驅(qū)動電路，其特征在于，包括反相延遲模塊、第一生成模塊、第二生成模塊以及輸出模塊；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣柵雙極晶體管的驅(qū)動電路，其特征在于，所述反相延遲模塊包括第一反相延遲子模塊、第二反相延遲子模塊；
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的絕緣柵雙極晶體管的驅(qū)動電路，其特征在于，所述第一反相延遲子模塊包括第一反相器和第一延遲單元；
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的絕緣柵雙極晶體管的驅(qū)動電路，其特征在于，所述第一延遲單元包括第一電阻和第一電容；
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的絕緣柵雙極晶體管的驅(qū)動電路，其特征在于，所述第二反相延遲子模塊包括第二反相器和第二延遲單元；
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的絕緣柵雙極晶體管的驅(qū)動電路，其特征在于，所述第二延遲單元包括第二電阻和第二電容；
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣柵雙極晶體管的驅(qū)動電路，其特征在于，所述反相延遲模塊包括第三反相器和延遲子模塊；
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的絕緣柵雙極晶體管的驅(qū)動電路，其特征在于，所述延遲子模塊包括第三電阻和第三電容；
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10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣柵雙極晶體管的驅(qū)動電路，其特征在于，所述第二生成模塊包括或非門器件；
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣柵雙極晶體管的驅(qū)動電路，其特征在于，所述輸出模塊包括電壓轉(zhuǎn)換子模塊和輸出子模塊；
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣柵雙極晶體管的驅(qū)動電路，其特征在于，所述絕緣柵雙極晶體管的驅(qū)動電路還包括濾波模塊；
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣柵雙極晶體管的驅(qū)動電路，其特征在于，所述控制信號的占空比與所述方波信號的占空比相同，所述控制信號的電壓大于所述方波信號的電壓。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種絕緣柵雙極晶體管的驅(qū)動電路，其特征在于，包括反相延遲模塊、第一生成模塊、第二生成模塊以及輸出模塊；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣柵雙極晶體管的驅(qū)動電路，其特征在于，所述反相延遲模塊包括第一反相延遲子模塊、第二反相延遲子模塊；
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的絕緣柵雙極晶體管的驅(qū)動電路，其特征在于，所述第一反相延遲子模塊包括第一反相器和第一延遲單元；
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的絕緣柵雙極晶體管的驅(qū)動電路，其特征在于，所述第一延遲單元包括第一電阻和第一電容；
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的絕緣柵雙極晶體管的驅(qū)動電路，其特征在于，所述第二反相延遲子模塊包括第二反相器和第二延遲單元；
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的絕緣柵雙極晶體管的驅(qū)動電路，其特征在于，所述第二延遲單元包括第二電阻和第二電容；
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣柵雙極晶體管的驅(qū)動電路，其特...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：高夢蝶，李春艷，梁彰懷，廖勇波，宋德超，
申請(專利權(quán))人：珠海格力電器股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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