【技術實現步驟摘要】
本申請涉及濾波，特別是涉及一種減緩應力的濾波裝置及其制作方法。
技術介紹
1、隨著濾波器的應用越來越廣泛，濾波器的實現方式也越來越多。其中，集成無源器件（ipd，integrated?passive?device）技術是利用薄膜電感、電容構成濾波器，能夠實現高頻、大寬帶的性能要求。聲學諧振器根據結構不同可以分為聲表面波（saw）濾波器和體聲波（baw）濾波器，具有較高q值的優勢，可以實現濾波器的快速滾降。
2、為了實現大帶寬要求的同時具有較高q值的目的，現有方案將聲學諧振器和電容制作在一個晶圓上，整合成一個濾波裝置。例如公開號為cn116846358a的專利技術專利申請，公開了一種濾波裝置，該濾波裝置包括一個作為載體的襯底b和一個作為蓋帽的襯底c，聲學諧振器形成于兩個襯底之間，電容設置在作為蓋帽的襯底c遠離聲學諧振器的一側。為了實現電容與聲學諧振器的電極之間的電連接，則需要從作為蓋帽的襯底c開始穿孔，僅貫穿一個鍵合層b后就形成了用于實現電容和聲學諧振電極間電連接的通孔。然而，由于鍵合層為bsio2或sinx等有機材料，粘性和強度較差，因此開設通孔時容易發生斷裂。
3、針對現有的集成了聲學諧振器和電容濾波器的濾波裝置容易發生斷裂情況的問題，目前尚未提出有效的解決方案。
技術實現思路
1、本公開的實施例提供了一種減緩應力的濾波裝置及其制作方法。以至少解決現有技術中存在的集成了聲學諧振器和電容濾波器的濾波裝置容易發生斷裂情況的技術問題。
2、根據本公開
3、可選地，所述聲學諧振器包括：壓電層、第一電極、第二電極和諧振腔；其中，所述第一電極位于所述壓電層遠離所述襯底的一側；所述第二電極位于所述壓電層靠近所述襯底的一側；所述諧振腔形成于所述壓電層與所述襯底之間；并且，所述電容結構包括第一電容和/或第二電容；所述第一電容通過第一通孔與所述第一電極電連接；所述第二電容通過第二通孔與所述第二電極電連接。
4、可選地，所述電容結構包括所述第一電容；所述第一通孔貫穿所述襯底、所述壓電層并與所述第一電極相接觸；并且，所述第一電容包括：第一信號引線，所述第一信號引線的一部分通過所述第一通孔與所述第一電極電連接；所述第一信號引線的另一部分在第一方向上與所述襯底至少部分交疊；位于所述襯底的所述第二側且覆蓋所述第一信號引線的第一介質層；以及位于所述第一介質層遠離所述襯底一側的第三電極。
5、可選地，所述電容結構包括所述第二電容；所述第二通孔貫穿所述襯底并與所述第二電極相接觸；并且，所述第二電容包括：第二信號引線，所述第二信號引線的一部分通過所述第二通孔與所述第二電極電連接；所述第二信號引線的另一部分在第一方向上與所述襯底至少部分交疊；位于所述襯底的所述第二側且覆蓋所述第二信號引線的第一介質層；以及位于所述第一介質層遠離所述襯底一側的第四電極。
6、可選地，所述濾波裝置還包括：位于所述第二電極遠離所述壓電層一側表面的第二介質層；位于所述第二介質層遠離所述壓電層一側表面的犧牲層；位于所述犧牲層遠離所述第二介質層一側表面的截止邊界層；位于所述截止邊界層遠離所述第二介質層一側的鍵合層；并且，所述第一通孔依次貫穿所述襯底、所述鍵合層、所述截止邊界層、所述犧牲層、所述壓電層與所述第一電極相接觸；所述第二通孔依次貫穿所述襯底、所述鍵合層、所述截止邊界層、所述犧牲層、所述第二介質層與所述第二電極相接觸。
7、可選地，所述濾波裝置包括的電容的數量大于或者等于三個。
8、可選地，所述濾波裝置還包括：位于所述第一介質層遠離所述襯底一側，且覆蓋所述第三電極和所述第四電極的第三介質層；以及位于所述第三介質層遠離所述襯底一側的第一電感和/或第二電感；其中，所述第一電感與所述第四電極電連接，所述第二電感與所述第一信號引線電連接。
9、可選地，所述濾波裝置還包括：位于所述第三介質層遠離所述襯底一側，且覆蓋所述第一電感和所述第二電感的第四介質層；以及位于所述第四介質層遠離所述襯底一側的第三電感和/或第四電感；其中，所述第三電感與所述第一電感電連接，所述第四電感與所述第二電感電連接。
10、根據本公開實施例的另一個方面，還提供了一種減緩應力的濾波裝置的制作方法，包括：制作作為載體的襯底、聲學諧振器和至少一個電容結構，其中所述聲學諧振器形成于所述襯底的第一側；以及所述電容結構形成于所述襯底的第二側，并通過通孔與所述聲學諧振器的至少一個電極電連接。
11、可選地，制作所述聲學諧振器的步驟包括：制作壓電層、第一電極、第二電極和諧振腔；其中，所述第一電極位于所述壓電層遠離所述襯底的一側；所述第二電極位于所述壓電層靠近所述襯底的一側；所述諧振腔形成于所述壓電層與所述襯底之間；并且，制作所述電容結構的步驟包括：制作第一電容和/或第二電容；所述第一電容通過第一通孔與所述第一電極電連接；所述第二電容通過第二通孔與所述第二電極電連接。
12、可選地，所述電容結構包括所述第一電容；制作所述第一通孔的操作包括：從所述襯底開始第一通孔，貫穿所述壓電層，直至所述第一通孔與所述第一電極相接觸；并且，制作所述第一電容的步驟包括：制作第一信號引線，所述第一信號引線的一部分通過所述第一通孔與所述第一電極電連接；所述第一信號引線的另一部分在第一方向上與所述襯底至少部分交疊；制作位于所述襯底的所述第二側且覆蓋所述第一信號引線的第一介質層；制作位于所述第一介質層遠離所述襯底一側的第三電極。
13、可選地，所述電容結構包括所述第二電容；制作所述第二通孔的操作包括：從所述襯底開設第二通孔，直至所述第二通孔與所述第二電極相接觸；并且，制作所述第二電容的步驟包括：制作第二信號引線，所述第二信號引線的一部分通過所述第二通孔與所述第二電極電連接；所述第二信號引線的另一部分在第一方向上與所述襯底至少部分交疊；制作位于所述襯底的所述第二側且覆蓋所述第二信號引線的第一介質層；制作位于所述第一介質層遠離所述襯底一側的第四電極。
14、可選地，該制作方法還包括：制作位于所述第二電極遠離所述壓電層一側表面的第二介質層；制作位于所述第二介質層遠離所述壓電層一側表面的犧牲層；制作位于所述犧牲層遠離所述第二介質層一側表面的截止邊界層；制作位于所述截止邊界層遠離所述第二介質層一側的鍵合層；
15、并且，制作所述第一通孔的操作包括：從所述襯底開設第一通孔，依次貫穿所述鍵合層、所述截止邊界層、所述犧牲層、所述壓電層，直至所述第一通孔與所述第一電極相接觸；制作所述第二通孔的操作包括：從所述襯底開設第二通孔，依次貫穿所述鍵合層、所述截止邊界層、所述犧牲層、所述第二介質層，直至所述第二通孔與所述第二電極相接觸。
16、在本申請提出的本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種減緩應力的濾波裝置，其特征在于，包括：作為載體的襯底、聲學諧振器和至少一個電容結構，其中
2.根據權利要求1所述的濾波裝置，其特征在于，所述聲學諧振器包括：壓電層、第一電極、第二電極和諧振腔；其中，所述第一電極位于所述壓電層遠離所述襯底的一側；所述第二電極位于所述壓電層靠近所述襯底的一側；所述諧振腔形成于所述壓電層與所述襯底之間；
3.根據權利要求2所述的濾波裝置，其特征在于，所述電容結構包括所述第一電容；所述第一通孔貫穿所述襯底、所述壓電層并與所述第一電極相接觸；并且，所述第一電容包括：
4.根據權利要求3所述的濾波裝置，其特征在于，所述電容結構包括所述第二電容；所述第二通孔貫穿所述襯底并與所述第二電極相接觸；并且，所述第二電容包括：
5.根據權利要求2所述的濾波裝置，其特征在于，所述濾波裝置還包括：位于所述第二電極遠離所述壓電層一側表面的第二介質層；位于所述第二介質層遠離所述壓電層一側表面的犧牲層；位于所述犧牲層遠離所述第二介質層一側表面的截止邊界層；位于所述截止邊界層遠離所述第二介質層一側的鍵合層；
6.根
7.根據權利要求4所述的濾波裝置，其特征在于，所述濾波裝置還包括：
8.根據權利要求7所述的濾波裝置，其特征在于，所述濾波裝置還包括：
9.一種減緩應力的濾波裝置的制作方法，其特征在于，包括：制作作為載體的襯底、聲學諧振器和至少一個電容結構，其中所述聲學諧振器形成于所述襯底的第一側；以及所述電容結構形成于所述襯底的第二側，并通過通孔與所述聲學諧振器的至少一個電極電連接。
10.根據權利要求9所述的制作方法，其特征在于，制作所述聲學諧振器的步驟包括：制作壓電層、第一電極、第二電極和諧振腔；其中，所述第一電極位于所述壓電層遠離所述襯底的一側；所述第二電極位于所述壓電層靠近所述襯底的一側；所述諧振腔形成于所述壓電層與所述襯底之間；
11.根據權利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述電容結構包括所述第一電容；制作所述第一通孔的操作包括：從所述襯底開始第一通孔，貫穿所述壓電層，直至所述第一通孔與所述第一電極相接觸；并且，制作所述第一電容的步驟包括：制作第一信號引線，所述第一信號引線的一部分通過所述第一通孔與所述第一電極電連接；所述第一信號引線的另一部分在第一方向上與所述襯底至少部分交疊；制作位于所述襯底的所述第二側且覆蓋所述第一信號引線的第一介質層；以及制作位于所述第一介質層遠離所述襯底一側的第三電極；和/或
12.根據權利要求10所述的制作方法，其特征在于，還包括：制作位于所述第二電極遠離所述壓電層一側表面的第二介質層；制作位于所述第二介質層遠離所述壓電層一側表面的犧牲層；制作位于所述犧牲層遠離所述第二介質層一側表面的截止邊界層；制作位于所述截止邊界層遠離所述第二介質層一側的鍵合層；并且，制作所述第一通孔的操作包括：從所述襯底開設第一通孔，依次貫穿所述鍵合層、所述截止邊界層、所述犧牲層、所述壓電層，直至所述第一通孔與所述第一電極相接觸；制作所述第二通孔的操作包括：從所述襯底開設第二通孔，依次貫穿所述鍵合層、所述截止邊界層、所述犧牲層、所述第二介質層，直至所述第二通孔與所述第二電極相接觸。
...【技術特征摘要】
1.一種減緩應力的濾波裝置，其特征在于，包括：作為載體的襯底、聲學諧振器和至少一個電容結構，其中
2.根據權利要求1所述的濾波裝置，其特征在于，所述聲學諧振器包括：壓電層、第一電極、第二電極和諧振腔；其中，所述第一電極位于所述壓電層遠離所述襯底的一側；所述第二電極位于所述壓電層靠近所述襯底的一側；所述諧振腔形成于所述壓電層與所述襯底之間；
3.根據權利要求2所述的濾波裝置，其特征在于，所述電容結構包括所述第一電容；所述第一通孔貫穿所述襯底、所述壓電層并與所述第一電極相接觸；并且，所述第一電容包括：
4.根據權利要求3所述的濾波裝置，其特征在于，所述電容結構包括所述第二電容；所述第二通孔貫穿所述襯底并與所述第二電極相接觸；并且，所述第二電容包括：
5.根據權利要求2所述的濾波裝置，其特征在于，所述濾波裝置還包括：位于所述第二電極遠離所述壓電層一側表面的第二介質層；位于所述第二介質層遠離所述壓電層一側表面的犧牲層；位于所述犧牲層遠離所述第二介質層一側表面的截止邊界層；位于所述截止邊界層遠離所述第二介質層一側的鍵合層；
6.根據權利要求1所述的濾波裝置，其特征在于，所述濾波裝置包括的電容的數量大于或者等于三個。
7.根據權利要求4所述的濾波裝置，其特征在于，所述濾波裝置還包括：
8.根據權利要求7所述的濾波裝置，其特征在于，所述濾波裝置還包括：
9.一種減緩應力的濾波裝置的制作方法，其特征在于，包括：制作作為載體的襯底、聲學諧振器和至少一個電容結構，其中所述聲學諧振器形成于所述襯底的第一側；以及所述電容結構形成于所述襯底的...
【專利技術屬性】
技術研發人員：梁驥，鄒潔，馮端，高海婷，張琪，
申請(專利權)人：深圳新聲半導體有限公司，
類型：發明
國別省市：
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