【技術實現步驟摘要】
本申請涉及一種電路板結構，特別涉及一種包含有不同熱膨脹系數金屬材料的電路板結構及其制造方法。
技術介紹
1、如圖1所示，在現有技術中，電路板e中相鄰的兩層線路l可以例如是通過導通孔via及填充于其中的金屬材料m(如：金屬銅)而進行訊號的連接。在導通孔via的加工過程中，金屬材料m主要是通過填孔電鍍的制程填充于孔中。在電鍍前，電路板e中的待電鍍表面一般都需要進行清潔，從而確保電鍍質量符合需求。如圖2所示，若上述電路板e中待電鍍表面未進行充分的清潔，則最終形成的電路板e在后續的運作過程中可能會因為受熱，而使在導通孔via中的金屬材料m與線路l或銅層的交界處發生接口斷裂c的情況，從而導致電性訊號無法在上述相鄰的兩層線路l之間進行傳遞。據此，電路板e的產品可能會因為訊號斷路而被判定為功能失效。
2、于是專利技術人有感于上述缺失之可改善，乃特潛心研究并配合學理之運用，終于提出一種設計合理且有效改善上述缺失之本申請。
技術實現思路
1、本申請在于提供一種包含有不同熱膨脹系數金屬材料的電路板結構，用來有效地改善現有扭力片所可能產生的缺失。
2、本申請公開一種包含有不同熱膨脹系數金屬材料的電路板結構，包括：一核心基板層；一第一線路層，形成于所述核心基板層上；一絕緣介電層，形成于所述第一線路層上；其中，所述絕緣介電層的內側形成有一訊號導通孔；一第一金屬材料，形成于所述訊號導通孔內、且形成于所述第一線路層上；以及一第二金屬材料，形成于所述訊號導通孔內、且形成于所述第一金屬材料上
3、可選地，當所述電路板結構經歷一高溫作業時，所述第二金屬材料的體積膨脹率大于所述第一金屬材料的體積膨脹率，以使得所述第二金屬材料朝著所述第一金屬材料的方向產生一擠壓應力，且所述第一金屬材料能通過所述第二金屬材料的擠壓、而持續地與所述第一線路層接觸，并維持電性連接。
4、可選地，于所述訊號導通孔中，所述第一金屬材料具有一第一厚度，所述第二金屬材料具有一第二厚度，并且所述第二金屬材料的所述第二厚度大于所述第一金屬材料的所述第一厚度。
5、可選地，所述第一厚度與所述第二厚度的厚度加總定義為總厚度，所述第一金屬材料的所述第一厚度相對于所述總厚度的占比為15％至45％，且所述第二金屬材料的所述第二厚度相對于所述總厚度的占比為55％至85％。
6、可選地，所述第一金屬材料的所述第一熱膨脹系數以及所述第二金屬材料的所述第二熱膨脹系數分別介于10至40*10-6/k@20℃，且所述第二熱膨脹系數與所述第一熱膨脹系數間的一差值不小于1*10-6/k@20℃。
7、可選地，所述電路板結構進一步包含一第二線路層，其形成于所述絕緣介電層遠離于所述第一線路層的一側表面上；其中，所述第一線路層與所述第一金屬材料相連接，并且所述第二線路層與所述第二金屬材料相連接。
8、可選地，所述第一金屬材料具有一基底部及形成于所述基底部上的一凸出部，且所述基底部的寬度大于所述凸出部的寬度，以使所述第一金屬材料呈現凸字型結構。
9、可選地，所述基底部形成于所述第一線路層上，且所述凸出部被包埋于所述第二金屬材料中，以使得所述第一金屬材料嵌合于所述第二金屬材料。
10、可選地，當所述電路板結構降溫時，所述第一金屬材料的體積收縮率大于所述第二金屬材料的體積收縮率，使所述基底部朝所述凸出部的方向產生一彎曲應力。
11、本申請也公開一種電路板結構的制造方法，包括：提供一核心基板層；形成一第一線路層于所述核心基板層的一側表面上；形成一絕緣介電層于所述第一線路層遠離于所述核心基板層的一側表面上；形成一訊號導通孔于所述絕緣介電層的內側，并且所述訊號導通孔連接于所述絕緣介電層的上表面及下表面；形成一第一金屬材料于所述訊號導通孔內、并且形成于所述第一線路層上；其中，所述第一金屬材料具有一第一熱膨脹系數；以及形成一第二金屬材料于所述訊號導通孔內、并且形成于所述第一金屬材料上；其中，所述第二金屬材料具有一第二熱膨脹系數，且所述第二熱膨脹系數大于所述第一熱膨脹系數。
12、綜上所述，本申請所提供的包含有不同熱膨脹系數金屬材料的電路板結構及其制造方法，其能通過“訊號導通孔中的第一金屬材料及第二金屬材料的堆疊及熱膨脹系數設計”，以防止當孔(via)發生斷裂時，還可以維持訊號連接。
13、為能更進一步了解本申請的特征及
技術實現思路
，請參閱以下有關本申請的詳細說明與附圖，但是此等說明與附圖僅用來說明本申請，而非對本申請的保護范圍作任何的限制。
【技術保護點】
1.一種包含有不同熱膨脹系數金屬材料的電路板結構，其特征在于，所述電路板結構包括：
2.根據權利要求1所述的包含有不同熱膨脹系數金屬材料的電路板結構，其特征在于，當所述電路板結構經歷一高溫作業時，所述第二金屬材料的體積膨脹率大于所述第一金屬材料的體積膨脹率，以使得所述第二金屬材料朝著所述第一金屬材料的方向產生一擠壓應力，且所述第一金屬材料能通過所述第二金屬材料的擠壓、而持續地與所述第一線路層接觸，并維持電性連接。
3.根據權利要求1所述的包含有不同熱膨脹系數金屬材料的電路板結構，其特征在于，于所述訊號導通孔中，所述第一金屬材料具有一第一厚度，所述第二金屬材料具有一第二厚度，并且所述第二金屬材料的所述第二厚度大于所述第一金屬材料的所述第一厚度。
4.根據權利要求3所述的包含有不同熱膨脹系數金屬材料的電路板結構，其特征在于，所述第一厚度與所述第二厚度的厚度加總定義為總厚度，所述第一金屬材料的所述第一厚度相對于所述總厚度的占比為15％至45％，且所述第二金屬材料的所述第二厚度相對于所述總厚度的占比為55％至85％。
5.根據權利要求1所述
6.根據權利要求1所述的包含有不同熱膨脹系數金屬材料的電路板結構，其特征在于，所述的包含有不同熱膨脹系數金屬材料的電路板結構進一步包含一第二線路層，其形成于所述絕緣介電層遠離于所述第一線路層的一側表面上；其中，所述第一線路層與所述第一金屬材料相連接，并且所述第二線路層與所述第二金屬材料相連接。
7.根據權利要求1所述的包含有不同熱膨脹系數金屬材料的電路板結構，其特征在于，所述第一金屬材料具有一基底部及形成于所述基底部上的一凸出部，且所述基底部的寬度大于所述凸出部的寬度，以使所述第一金屬材料呈現凸字型結構。
8.根據權利要求7所述的包含有不同熱膨脹系數金屬材料的電路板結構，其特征在于，所述基底部形成于所述第一線路層上，且所述凸出部被包埋于所述第二金屬材料中，以使得所述第一金屬材料嵌合于所述第二金屬材料。
9.根據權利要求8所述的包含有不同熱膨脹系數金屬材料的電路板結構，其特征在于，當所述電路板結構降溫時，所述第一金屬材料的體積收縮率大于所述第二金屬材料的體積收縮率，使所述基底部朝所述凸出部的方向產生一彎曲應力。
10.一種電路板結構的制造方法，其特征在于，所述電路板結構的制造方法包括：
...【技術特征摘要】
1.一種包含有不同熱膨脹系數金屬材料的電路板結構，其特征在于，所述電路板結構包括：
2.根據權利要求1所述的包含有不同熱膨脹系數金屬材料的電路板結構，其特征在于，當所述電路板結構經歷一高溫作業時，所述第二金屬材料的體積膨脹率大于所述第一金屬材料的體積膨脹率，以使得所述第二金屬材料朝著所述第一金屬材料的方向產生一擠壓應力，且所述第一金屬材料能通過所述第二金屬材料的擠壓、而持續地與所述第一線路層接觸，并維持電性連接。
3.根據權利要求1所述的包含有不同熱膨脹系數金屬材料的電路板結構，其特征在于，于所述訊號導通孔中，所述第一金屬材料具有一第一厚度，所述第二金屬材料具有一第二厚度，并且所述第二金屬材料的所述第二厚度大于所述第一金屬材料的所述第一厚度。
4.根據權利要求3所述的包含有不同熱膨脹系數金屬材料的電路板結構，其特征在于，所述第一厚度與所述第二厚度的厚度加總定義為總厚度，所述第一金屬材料的所述第一厚度相對于所述總厚度的占比為15％至45％，且所述第二金屬材料的所述第二厚度相對于所述總厚度的占比為55％至85％。
5.根據權利要求1所述的包含有不同熱膨脹系數金屬材料的電路板結構，其特征在于，所述第一金屬材料的所述第一熱膨脹系數以及所述第二金屬材料的所述第二熱膨脹系數分別介于10至40*10-6/...
【專利技術屬性】
技術研發人員：洪立群，
申請(專利權)人：同欣電子工業股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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