【技術實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術屬于結晶器內保護渣層厚度控制，更具體地，涉及一種用于控制結晶器內保護渣層厚度的裝置及方法。
技術介紹
1、保護渣在連鑄過程中主要起著兩大作用：確保工藝順行、改善鑄坯表面質量。兩大作用主要是依靠保護渣絕熱保溫、防止氧化、吸附夾雜、潤滑鑄坯、控制傳熱五大功能來實現(xiàn)。然而保護渣要達到良好的使用效果，必須有合乎實際需要的液渣厚度，液渣層過厚或過薄都會導致鑄坯表面產(chǎn)生縱裂紋，過薄的保護渣渣層也會造成結晶器漏鋼風險。合理控制結晶器內保護渣總厚度能保證保護渣均勻熔化，使液渣層保持穩(wěn)定的同時起到保溫作用。
2、目前對結晶器內保護渣渣層厚度雖有在線檢測技術，但投入成本較大，且受信號干擾，檢測效果不穩(wěn)定。人工檢測保護渣渣層厚度既沒有準確的檢測效果，又存在安全隱患。
技術實現(xiàn)思路
1、本專利技術的目的是針對現(xiàn)有技術中存在的不足，提供一種用于控制結晶器內保護渣層厚度的裝置及方法，解決現(xiàn)有技術中對結晶器內保護渣層厚度的檢測手段效果不佳，難以準確控制結晶器內保護渣層厚度的問題。
2、為了實現(xiàn)上述目的，本專利技術提供一種用于控制結晶器內保護渣層厚度的裝置，包括：
3、支撐桿，所述支撐桿的一端設置有激光發(fā)射部件，所述激光發(fā)射部件能夠發(fā)射光線，且所述光線打到物體表面時能夠在物體表面形成可見光點；
4、高度調節(jié)機構，所述高度調節(jié)機構與所述支撐桿的另一端連接，且所述高度調節(jié)機構用于固定在結晶器的外部一側，所述高度調節(jié)機構能夠調節(jié)所述激光發(fā)射部件的高度，以使所述光
5、可選地，所述支撐桿的軸線為l形折線狀。
6、可選地，所述高度調節(jié)機構包括套管，所述支撐桿的另一端活動穿設在所述套管內，所述套管的一側設置有緊固螺釘，所述緊固螺釘能夠緊固處于所述套管內的所述支撐桿。
7、可選地，所述套管固定在中間罐罐車上。
8、可選地，所述激光發(fā)射部件為鐳射筆。
9、本專利技術還提供一種用于控制結晶器內保護渣層厚度的方法，利用上述的用于控制結晶器內保護渣層厚度的裝置，包括：
10、將高度調節(jié)機構固定在結晶器的外部一側；
11、開澆后待結晶器內液面穩(wěn)定后將結晶器內渣層厚度設置成設定厚度；
12、開啟激光發(fā)射部件；
13、調節(jié)高度調節(jié)機構使得激光發(fā)射部件的光線打在保護渣層上表面與結晶器內壁交界處并形成光點；
14、根據(jù)光點位置控制加渣量。
15、可選地，將高度調節(jié)機構固定在中間罐罐車上。
16、可選地，設定厚度為50-60cm。
17、可選地，加渣工人處于結晶器上部的一側，光點打在結晶器內遠離加渣工人的一側。
18、可選地，加渣工人根據(jù)光點位置控制加渣量，使得光點始終處于保護渣層上表面與結晶器內壁交界處。
19、本專利技術提供一種用于控制結晶器內保護渣層厚度的裝置及方法，其有益效果在于：該用于控制結晶器內保護渣層厚度的裝置能夠通過高度調節(jié)機構固定在結晶器外部一側，并且調節(jié)支撐桿及支撐桿的一端連接的激光發(fā)射部件的位置，使得激光發(fā)射部件發(fā)射出的光線能夠從結晶器的上部開口射入結晶器內部并形成光點，并且開澆后待結晶器內液面穩(wěn)定后將結晶器內渣層厚度設置成設定厚度時，可以調節(jié)高度調節(jié)機構使得激光發(fā)射部件的光線打在保護渣層上表面與結晶器內壁交界處并形成光點，此時光點形成一個保護渣層上表面的標定位置，若保護渣層厚度增加則光點會來到保護渣層的上表面上，若保護渣層厚度減小則光點會來到結晶器的內壁上，因此可以方便地根據(jù)光點位置控制向結晶器內的加渣量，保持光點位置始終處于保護渣層上表面與結晶器內壁交界處，避免保護渣層厚度過大或過小。
20、本專利技術的其它特征和優(yōu)點將在隨后具體實施方式部分予以詳細說明。
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1.一種用于控制結晶器內保護渣層厚度的裝置，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權利要求1所述的用于控制結晶器內保護渣層厚度的裝置，其特征在于，所述支撐桿的軸線為L形折線狀。
3.根據(jù)權利要求1所述的用于控制結晶器內保護渣層厚度的裝置，其特征在于，所述高度調節(jié)機構包括套管，所述支撐桿的另一端活動穿設在所述套管內，所述套管的一側設置有緊固螺釘，所述緊固螺釘能夠緊固處于所述套管內的所述支撐桿。
4.根據(jù)權利要求3所述的用于控制結晶器內保護渣層厚度的裝置，其特征在于，所述套管固定在中間罐罐車上。
5.根據(jù)權利要求1所述的用于控制結晶器內保護渣層厚度的裝置，其特征在于，所述激光發(fā)射部件為鐳射筆。
6.一種用于控制結晶器內保護渣層厚度的方法，利用權利要求1-5任一項所述的用于控制結晶器內保護渣層厚度的裝置，其特征在于，包括：
7.根據(jù)權利要求6所述的用于控制結晶器內保護渣層厚度的方法，其特征在于，將高度調節(jié)機構固定在中間罐罐車上。
8.根據(jù)權利要求6所述的用于控制結晶器內保護渣層厚度的方法，其特征在于，設定厚度為5
9.根據(jù)權利要求6所述的用于控制結晶器內保護渣層厚度的方法，其特征在于，加渣工人處于結晶器上部的一側，光點打在結晶器內遠離加渣工人的一側。
10.根據(jù)權利要求9所述的用于控制結晶器內保護渣層厚度的方法，其特征在于，加渣工人根據(jù)光點位置控制加渣量，使得光點始終處于保護渣層上表面與結晶器內壁交界處。
...【技術特征摘要】
1.一種用于控制結晶器內保護渣層厚度的裝置，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權利要求1所述的用于控制結晶器內保護渣層厚度的裝置，其特征在于，所述支撐桿的軸線為l形折線狀。
3.根據(jù)權利要求1所述的用于控制結晶器內保護渣層厚度的裝置，其特征在于，所述高度調節(jié)機構包括套管，所述支撐桿的另一端活動穿設在所述套管內，所述套管的一側設置有緊固螺釘，所述緊固螺釘能夠緊固處于所述套管內的所述支撐桿。
4.根據(jù)權利要求3所述的用于控制結晶器內保護渣層厚度的裝置，其特征在于，所述套管固定在中間罐罐車上。
5.根據(jù)權利要求1所述的用于控制結晶器內保護渣層厚度的裝置，其特征在于，所述激光發(fā)射部件為鐳射筆。
6.一種用于控制結...
【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：田東曉，趙成林，張建元，張龍，趙洋，王志通，趙冬立，尚進，郭一然，鄭文濤，
申請(專利權)人：凌源鋼鐵股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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