【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)屬于功率器件，具體涉及一種功率器件pcm(process?controlmonitor，工藝控制監(jiān)控)監(jiān)控結(jié)構(gòu)及監(jiān)控方法。
技術(shù)介紹
1、多次外延注入工藝的sj?mos(超級結(jié)mosfet)在多次外延工藝中為了形成與之匹配的p型結(jié)構(gòu)，必須進行多次的外延層生長和p型離子注入，其生長次數(shù)與成本的高低直接成正比。雖然多次外延注入工藝成本較高，但可以在每次外延后控制不同的注入能量與注入劑量等參數(shù)，根據(jù)要求在不同深度形成不相同的p型區(qū)分布。
2、sj?mos量產(chǎn)需要精確控制n型、p型的電荷平衡問題，如何精確控制電荷平衡對sjmos量產(chǎn)具有重大的意義，其顯著影響bvdss(漏源擊穿電壓)的高低。
3、在目前sj?mos多層外延量產(chǎn)的情況下，需要監(jiān)控一層或多層pillar摻雜的穩(wěn)定性，來同步監(jiān)控sj?mos的bvdss的穩(wěn)定性。當(dāng)前量產(chǎn)中主要是通過監(jiān)控離子注入rs(方阻)的穩(wěn)定性，來確保摻雜的穩(wěn)定性。現(xiàn)有監(jiān)控方式中，硼離子注入每差異0.1e13，rs有交疊性，導(dǎo)致監(jiān)控的精確度較低。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問題，本專利技術(shù)提供了一種功率器件pcm監(jiān)控結(jié)構(gòu)及監(jiān)控方法本專利技術(shù)要解決的技術(shù)問題通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)：
2、本專利技術(shù)提供了一種功率器件pcm監(jiān)控結(jié)構(gòu)，包括：位于晶圓的劃片道中的多個層疊設(shè)置的電阻條，所述電阻條與sj?mos中相鄰的兩個p柱相接，所述電阻條的數(shù)量與所述p柱的p型離子注入次數(shù)相同。
3、在本專利技
4、在本專利技術(shù)的一個實施例中，所述電阻條的寬長比為10/1000。
5、在本專利技術(shù)的一個實施例中，所述p柱包括自下而上堆疊的多個pillar，所述pillar是通過外延層生長和p型離子注入形成的。
6、在本專利技術(shù)的一個實施例中，所述電阻條的p型離子注入劑量與所述p柱中對應(yīng)pillar的p型離子注入劑量相同。
7、在本專利技術(shù)的一個實施例中，還包括設(shè)置在ild層中的兩個接觸孔，所述兩個接觸孔與相鄰的兩個p柱的位置一一對應(yīng)。
8、在本專利技術(shù)的一個實施例中，所述接觸孔中設(shè)置有金屬引線，所述金屬引線的一端與所述p柱連接，另一端與pad連接。
9、本專利技術(shù)提供了一種如上述任一項實施例所述的功率器件pcm監(jiān)控結(jié)構(gòu)的監(jiān)控方法，包括：
10、將sj?mos的中待監(jiān)控pillar對應(yīng)的電阻條進行曝光；
11、在pad上加載電壓測試曝光的電阻條的電阻值，得到所述待監(jiān)控pillar的電阻檢測值；
12、將不同lot的晶圓中sj?mos的所述待監(jiān)控pillar的電阻檢測值進行對比，根據(jù)對比結(jié)果判斷sj?mos的bvdss是否穩(wěn)定。
13、在本專利技術(shù)的一個實施例中，當(dāng)不同lot的晶圓中sj?mos的所述待監(jiān)控pillar的電阻檢測值的差異大于預(yù)設(shè)閾值，則所述sj?mos的bvdss不穩(wěn)定。
14、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本專利技術(shù)的有益效果在于：
15、本專利技術(shù)的功率器件pcm監(jiān)控結(jié)構(gòu)，通過在晶圓的劃片道設(shè)計及布局多個層疊設(shè)置的電阻條，該電阻條與sj?mos中相鄰的兩個p柱相接，電阻條的數(shù)量與p柱的p型離子注入次數(shù)相同，通過測試劃片道內(nèi)電阻條的電阻值，實現(xiàn)對不同lot的晶圓中sj?mos的p柱的任意一層或任意多層pillar電阻的檢測，通過對比不同lot的晶圓中sj?mos的p柱的任意一層或任意多層pillar電阻值的差異，確認pillar摻雜與bvdss穩(wěn)定性的對應(yīng)關(guān)系。通過對比結(jié)果可以精準(zhǔn)、快速地找到bvdss波動的因素，更好的實現(xiàn)量產(chǎn)工藝的穩(wěn)定，減少bvdss波動，從而減少由于bvdss波動造成的經(jīng)濟損失。
16、上述說明僅是本專利技術(shù)技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本專利技術(shù)的技術(shù)手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實施，并且為了讓本專利技術(shù)的上述和其他目的、特征和優(yōu)點能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實施例，并配合附圖，詳細說明如下。
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1.一種功率器件PCM監(jiān)控結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：位于晶圓的劃片道中的多個層疊設(shè)置的電阻條，所述電阻條與SJ?MOS中相鄰的兩個p柱相接，所述電阻條的數(shù)量與所述p柱的p型離子注入次數(shù)相同。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率器件PCM監(jiān)控結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電阻條是通過外延層生長和p型離子注入形成的長方體結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的功率器件PCM監(jiān)控結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電阻條的寬長比為10/1000。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率器件PCM監(jiān)控結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述p柱包括自下而上堆疊的多個pillar，所述pillar是通過外延層生長和p型離子注入形成的。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的功率器件PCM監(jiān)控結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電阻條的p型離子注入劑量與所述p柱中對應(yīng)pillar的p型離子注入劑量相同。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率器件PCM監(jiān)控結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括設(shè)置在ILD層中的兩個接觸孔，所述兩個接觸孔與相鄰的兩個p柱的位置一一對應(yīng)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的功率器件PCM監(jiān)控結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述接觸
8.一種如權(quán)利要求1-7任一項所述的功率器件PCM監(jiān)控結(jié)構(gòu)的監(jiān)控方法，其特征在于，包括：
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的功率器件PCM監(jiān)控結(jié)構(gòu)的監(jiān)控方法，其特征在于，當(dāng)不同Lot的晶圓中SJ?MOS的所述待監(jiān)控pillar的電阻檢測值的差異大于預(yù)設(shè)閾值，則所述SJ?MOS的BVDSS不穩(wěn)定。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種功率器件pcm監(jiān)控結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：位于晶圓的劃片道中的多個層疊設(shè)置的電阻條，所述電阻條與sj?mos中相鄰的兩個p柱相接，所述電阻條的數(shù)量與所述p柱的p型離子注入次數(shù)相同。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率器件pcm監(jiān)控結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電阻條是通過外延層生長和p型離子注入形成的長方體結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的功率器件pcm監(jiān)控結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電阻條的寬長比為10/1000。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率器件pcm監(jiān)控結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述p柱包括自下而上堆疊的多個pillar，所述pillar是通過外延層生長和p型離子注入形成的。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的功率器件pcm監(jiān)控結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電阻條的p...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：馮巍，季偉，江桂欽，王鑫，
申請(專利權(quán))人：龍騰半導(dǎo)體股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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