【技術實現步驟摘要】
本申請涉及電子封裝，具體而言，涉及一種具有互連通道的封裝結構及其制備方法。
技術介紹
1、隨著電子產品的不斷發展，對封裝結構的要求也越來越高。傳統的封裝結構通常采用單一基板，將多個處理單元直接安裝在基板上。
2、emib是intel主導的2.5d封裝技術，使用多個嵌入式橋接芯片(silicon?bridge)實現芯粒間的高速互聯。
3、emib的封裝體一般是在基板上嵌入硅橋，利用硅橋實現多個不同芯片的互連；然而，用于嵌入硅橋的基板一般采用abf、bt、fr-4等材質，這些材質的基板與其內部嵌入的硅橋的熱膨脹系數差異較大，導致封裝體在使用時容易在溫度變化或機械應力作用下，出現焊點斷裂或基板翹曲等問題，影響系統的長期可靠性。
4、針對上述問題，目前尚未有有效的技術解決方案。
技術實現思路
1、本申請的目的在于提供一種具有互連通道的封裝結構及其制備方法，以解決封裝結構的焊點斷裂和基板翹曲問題。
2、第一方面，本申請提供了一種具有互連通道的封裝結構，所述具有互連通道的封裝結構包括：
3、第一玻璃基板，其頂面具有嵌入槽；
4、玻璃轉換塊，安裝在所述嵌入槽內；
5、多個處理單元，均設置在所述第一玻璃基板頂面，并通過所述玻璃轉換塊互連；
6、所述第一玻璃基板還具有多個第一玻璃通孔及填充在所述第一玻璃通孔內的導電金屬，所述處理單元還與所述第一玻璃通孔內的導電金屬互連。
7、本申請的具有互連通
8、所述的具有互連通道的封裝結構，其中，所述嵌入槽的槽底設有第一金屬層。
9、在該示例中，第一金屬層在玻璃轉換塊與基板之間起到了良好的熱橋作用，改善了熱傳導性能，可以幫助更有效地散發玻璃轉換塊和處理單元產生的熱量，能夠迅速將玻璃轉換塊產生的熱量傳導至第一玻璃基板，進而通過散熱系統散發出去，有助于保持芯片在適宜的工作溫度范圍內，有助于維持整個封裝結構的溫度穩定，防止過熱導致的性能下降或損壞；此外，第一金屬層還在電磁屏蔽方面發揮了重要作用，在高頻信號傳輸過程中，第一金屬層可以有效減少電磁干擾，提高信號的完整性。
10、所述的具有互連通道的封裝結構，其中，所述玻璃轉換塊包括由上而下依次設置的絕緣層、玻璃轉換塊布線層、玻璃轉換塊襯底和粘結層。
11、在該示例中，玻璃轉換塊的具體結構在解決高效信號傳輸問題的過程中發揮了關鍵作用，其絕緣層有效隔離了外部干擾，保護了內部電路，其玻璃轉換塊布線層通過優化的布線設計，實現了高速、低損耗的信號傳輸，其玻璃轉換塊襯底不僅提供了機械支撐，還可以集成額外功能，增強了玻璃轉換塊的性能，其粘結層則確保了整個結構的穩定性和可靠性。
12、所述的具有互連通道的封裝結構，其中，所述粘結層和絕緣層的材質相同。
13、所述的具有互連通道的封裝結構，其中，所述玻璃轉換塊頂面還具有由阻焊層圍繞的焊盤。
14、所述的具有互連通道的封裝結構，其中，所述處理單元為fpga、gpu、cpu、內存、i/o芯片、eic中的一種。
15、所述的具有互連通道的封裝結構，其中，所述具有互連通道的封裝結構還包括：
16、第二玻璃基板，固定在所述第一玻璃基板頂面，且具有多個與第一玻璃通孔一一對應的第二玻璃通孔以及多個位置對應于所述玻璃轉換塊的觸點的第三玻璃通孔，所述第二玻璃通孔和第三玻璃通孔內填充有導電金屬。
17、所述的具有互連通道的封裝結構，其中，所述第二玻璃基板底面中部具有向下延伸的圍壩，所述圍壩插入所述嵌入槽中，且內外壁分別與所述玻璃轉換塊外周和嵌入槽內壁接觸。
18、所述的具有互連通道的封裝結構，其中，所述第二玻璃基板中位于圍壩內側的部分的厚度小于位于圍壩外側的部分的厚度。
19、第二方面，本申請還提供了一種具有互連通道的封裝結構的制備方法，用于制作如第一方面提供的具有互連通道的封裝結構，所述制備方法包括以下步驟：
20、準備第一玻璃基板，并對所述第一玻璃基板進行打孔，以形成嵌入槽和多個第一玻璃通孔；
21、在所述第一玻璃通孔中填充導電金屬；
22、根據處理單元的鍵合需求制備玻璃轉換塊，并將所述玻璃轉換塊固定在所述嵌入槽中；
23、將多個處理單元鍵合在所述第一玻璃基板上方，以使多個處理單元與第一玻璃通孔內的導電金屬互連，并使多個處理單元通過所述玻璃轉換塊互連。
24、由上可知，本申請提供的具有互連通道的封裝結構及其制備方法，其中，具有互連通道的封裝結構由具有互連通道的封裝結構的制備方法制成，其結合玻璃基板、玻璃轉換塊和多個處理單元，實現了高度集成、高性能和高可靠性的封裝解決方案，能夠有效抵抗熱循環和機械應力的影響，解決封裝結構在使用時容易在溫度變化或機械應力作用下出現的焊點斷裂或基板翹曲等問題，極大地提高了產品的可靠性、耐用度。
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1.一種具有互連通道的封裝結構，其特征在于，所述具有互連通道的封裝結構包括：
2.根據權利要求1所述的具有互連通道的封裝結構，其特征在于，所述嵌入槽的槽底設有第一金屬層。
3.根據權利要求1所述的具有互連通道的封裝結構，其特征在于，所述玻璃轉換塊包括由上而下依次設置的絕緣層、玻璃轉換塊布線層、玻璃轉換塊襯底和粘結層。
4.根據權利要求3所述的具有互連通道的封裝結構，其特征在于，所述粘結層和絕緣層的材質相同。
5.根據權利要求3所述的具有互連通道的封裝結構，其特征在于，所述玻璃轉換塊頂面還具有由阻焊層圍繞的焊盤。
6.根據權利要求1所述的具有互連通道的封裝結構，其特征在于，所述處理單元為FPGA、GPU、CPU、內存、I/O芯片、EIC中的一種。
7.根據權利要求1所述的具有互連通道的封裝結構，其特征在于，所述具有互連通道的封裝結構還包括：
8.根據權利要求7所述的具有互連通道的封裝結構，其特征在于，所述第二玻璃基板底面中部具有向下延伸的圍壩，所述圍壩插入所述嵌入槽中，且內外壁分別與所述玻璃轉換塊外
9.根據權利要求8所述的具有互連通道的封裝結構，其特征在于，所述第二玻璃基板中位于圍壩內側的部分的厚度小于位于圍壩外側的部分的厚度。
10.一種具有互連通道的封裝結構的制備方法，用于制作如權利要求1-9任一項所述的具有互連通道的封裝結構，其特征在于，所述制備方法包括以下步驟：
...【技術特征摘要】
1.一種具有互連通道的封裝結構，其特征在于，所述具有互連通道的封裝結構包括：
2.根據權利要求1所述的具有互連通道的封裝結構，其特征在于，所述嵌入槽的槽底設有第一金屬層。
3.根據權利要求1所述的具有互連通道的封裝結構，其特征在于，所述玻璃轉換塊包括由上而下依次設置的絕緣層、玻璃轉換塊布線層、玻璃轉換塊襯底和粘結層。
4.根據權利要求3所述的具有互連通道的封裝結構，其特征在于，所述粘結層和絕緣層的材質相同。
5.根據權利要求3所述的具有互連通道的封裝結構，其特征在于，所述玻璃轉換塊頂面還具有由阻焊層圍繞的焊盤。
6.根據權利要求1所述的具有互連通道的封裝結構，其特征在于，所述處理單元為fpg...
【專利技術屬性】
技術研發人員：華顯剛，賀姝敏，劉麗詩，
申請(專利權)人：廣東佛智芯微電子技術研究有限公司，
類型：發明
國別省市：
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