【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體，特別是涉及一種光刻膠顯影速率模型的建模方法、計算機可讀存儲介質、計算機程序產品和計算機裝置。
技術介紹
1、光刻工藝是一個復雜的生產過程，主要包括旋轉涂膠、軟烘、曝光、曝光后烘焙、顯影等步驟，用于將掩模版的圖案轉移到涂過光刻膠的硅片表面上。這些工藝過程可以用物理光學、光化學反應、物理化學反應等模型，借助數學公式描述，從而實現嚴格光刻仿真的建模。示例性地，對于化學放大膠的曝光過程，通常先利用光學模型仿真光刻膠內的光強分布，再利用光化學反應仿真得到曝光后光刻膠內的光酸、堿等物質的濃度分布。對于后烘過程，通常利用物理擴散模型、酸催化的去仿真保護反應、酸堿中和反應等，得到后烘之后的酸、堿、抑制劑濃度分布。
2、形成三維光刻膠輪廓的顯影步驟是光刻工藝中最關鍵的步驟之一，在制造過程中能否精確控制顯影過程，直接影響到芯片的良率。相關技術中，通常利用基于溶解抑制劑濃度的顯影速率模型仿真顯影后的光刻膠三維輪廓，例如mack?development?model、notchmodel、inverse?mack?development?model等。
3、然而，上述基本光刻膠顯影速率模型只考慮了單點的溶解抑制劑的濃度與顯影速率之間的關系，而忽略了周圍溶解抑制劑濃度變化對該點的顯影速率的影響。隨著光刻技術發展，晶圓的圖形關鍵尺寸不斷降低，由顯影負載(例如顯影劑在高度曝光區域被局部耗盡，進而影響周圍曝光區域的顯影速率)帶來的圖形密度效應(pattern?density?effect)也更加顯著。上述基本光刻膠顯
技術實現思路
1、鑒于上述問題，提出了本專利技術以便提供一種克服上述問題或者至少部分地解決上述問題的光刻膠顯影速率模型的建模方法、計算機可讀存儲介質、計算機程序產品和計算機裝置。
2、本專利技術的一個目的是提供一種光刻膠顯影速率模型的建模方法，對現有基本光刻膠顯影速率模型進行調整，以能夠考慮顯影過程中單點周圍的物質濃度對單點的顯影速率的影響，至少部分地反映顯影負載，從而提高光刻膠顯影速率模型的仿真準確度。
3、具體地，根據本專利技術的一個方面，本專利技術提供了一種光刻膠顯影速率模型的建模方法，包括：
4、根據已獲取的掩模版圖的預設計算范圍內的掩模圖像，計算出所述預設計算范圍內的預設采樣窗口內的圖形密度圖；
5、根據所述圖形密度圖計算獲得顯影速率調整模型；
6、利用所述顯影速率調整模型對已獲取的基本光刻膠顯影速率模型進行調整，得到調整后的光刻膠顯影速率模型。
7、可選地，所述的利用所述顯影速率調整模型對已獲取的基本光刻膠顯影速率模型進行調整，得到調整后的光刻膠顯影速率模型的步驟中，使用如下公式進行調整：
8、r′(m)＝r(m)*r(pd)
9、其中r′(m)代表調整后的所述光刻膠顯影速率模型中的顯影速率隨溶解抑制劑的濃度的變化關系，r(m)代表所述基本光刻膠顯影速率模型中的顯影速率隨溶解抑制劑的濃度的變化關系，m代表光刻膠中溶解抑制劑的濃度，r(pd)代表所述顯影速率調整模型中的顯影速率調整因數隨圖形密度的變化關系，pd代表所述圖形密度圖中某處的圖形密度。
10、可選地，所述的根據所述圖形密度圖計算獲得顯影速率調整模型，包括：
11、通過預設變換函數對所述圖形密度圖進行變換；
12、根據變換后的所述圖形密度圖，獲得所述顯影速率調整模型。
13、可選地，所述的通過預設變換函數對所述圖形密度圖進行變換，包括：
14、獲取多個預設參數，多個所述預設參數包括預設最大修正率、預設最小修正率和預設圖形密度閾值，并生成所述預設變換函數；
15、通過所述預設變換函數對所述圖形密度圖中各處進行變換，得到變換后的所述圖形密度圖。
16、可選地，所述預設變換函數具有如下形式：
17、
18、其中r(pd)代表所述顯影速率調整模型中的顯影速率調整因數隨圖形密度的變化關系，pd代表所述圖形密度圖中某處的圖形密度，rmax代表預設最大修正率，rmin代表預設最小修正率，slope代表預設斜率參數，density_threshold代表預設圖形密度閾值。
19、可選地，所述的利用所述顯影速率調整模型對已獲取的基本光刻膠顯影速率模型進行調整，得到調整后的光刻膠顯影速率模型之后，所述建模方法還包括：
20、利用調整后的所述光刻膠顯影速率模型進行仿真，得到光刻膠顯影后的仿真三維輪廓；
21、根據所述仿真三維輪廓和已獲取的光刻膠顯影后的實測三維輪廓，對各所述預設參數進行更新；
22、根據更新后的各所述預設參數，更新所述顯影速率調整模型，并更新調整后的所述光刻膠顯影速率模型。
23、可選地，所述的根據已獲取的掩模版圖的預設計算范圍內的掩模圖像，計算出所述預設計算范圍內的預設采樣窗口內的圖形密度圖，包括：
24、使用已獲取的預設圖像平滑算法，對所述預設計算范圍內的掩模圖像進行處理，并得到所述預設采樣窗口內的所述圖形密度圖。
25、可選地，所述的根據已獲取的掩模版圖的預設計算范圍內的掩模圖像，計算出所述預設計算范圍內的預設采樣窗口內的圖形密度圖，包括：
26、利用所述預設計算范圍內的掩模圖像和已獲取的預設圖像平滑算法，對所述預設采樣窗口內的掩模圖像進行處理，并得到所述預設采樣窗口內的所述圖形密度圖。
27、可選地，所述預設圖像平滑算法為預設圖像濾波器。
28、可選地，所述預設計算范圍的大小大于所述預設采樣窗口，以在使用所述預設圖像濾波器對所述預設采樣窗口內的掩模圖像的任一采樣點進行卷積計算時，所述預設圖像濾波器的濾波窗口均處于所述預設計算范圍內。
29、根據本專利技術的另一個方面，還提供了一種計算機可讀存儲介質，其上存儲有計算機程序，所述計算機程序被處理器執行時實現上述的光刻膠顯影速率模型的建模方法的步驟。
30、根據本專利技術的又一個方面，還提供了一種計算機程序產品，包括計算機程序，該計算機程序被處理器執行時實現上述的光刻膠顯影速率模型的建模方法的步驟。
31、根據本專利技術的再一個方面，還提供了一種計算機裝置，包括存儲器、處理器及存儲在存儲器上的計算機程序，所述處理器執行所述計算機程序以實現上述的光刻膠顯影速率模型的建模方法的步驟。
32、本專利技術的光刻膠顯影速率模型的建模方法中，掩模圖像可反映光刻膠中各單點處的與顯影相關的物質濃度(例如溶解抑制劑的濃度)，圖形密度圖則可反映光刻膠中各單點及其鄰域的物質濃度。通過由圖形密度圖計算獲得的顯影速率調整模型對現有的基本光刻膠顯影速率模型進行調整，使得調整后的光刻膠顯影速率模型考慮了顯影過程中周圍物質濃度對單點的顯影速率的影響，至少部分地反映了顯影負載，從而提高了顯影速率本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種光刻膠顯影速率模型的建模方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的建模方法，其特征在于，所述的利用所述顯影速率調整模型對已獲取的基本光刻膠顯影速率模型進行調整，得到調整后的光刻膠顯影速率模型的步驟中，使用如下公式進行調整：
3.根據權利要求1所述的建模方法，其特征在于，所述的根據所述圖形密度圖計算獲得顯影速率調整模型，包括：
4.根據權利要求3所述的建模方法，其特征在于，所述的通過預設變換函數對所述圖形密度圖進行變換，包括：
5.根據權利要求4所述的建模方法，其特征在于，所述預設變換函數具有如下形式：
6.根據權利要求4所述的建模方法，其特征在于，所述的利用所述顯影速率調整模型對已獲取的基本光刻膠顯影速率模型進行調整，得到調整后的光刻膠顯影速率模型之后，所述建模方法還包括：
7.根據權利要求1所述的建模方法，其特征在于，所述的根據已獲取的掩模版圖的預設計算范圍內的掩模圖像，計算出所述預設計算范圍內的預設采樣窗口內的圖形密度圖，包括：
8.根據權利要求7所述的建模方法，其特征在于，<...
【技術特征摘要】
1.一種光刻膠顯影速率模型的建模方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的建模方法，其特征在于，所述的利用所述顯影速率調整模型對已獲取的基本光刻膠顯影速率模型進行調整，得到調整后的光刻膠顯影速率模型的步驟中，使用如下公式進行調整：
3.根據權利要求1所述的建模方法，其特征在于，所述的根據所述圖形密度圖計算獲得顯影速率調整模型，包括：
4.根據權利要求3所述的建模方法，其特征在于，所述的通過預設變換函數對所述圖形密度圖進行變換，包括：
5.根據權利要求4所述的建模方法，其特征在于，所述預設變換函數具有如下形式：
6.根據權利要求4所述的建模方法，其特征在于，所述的利用所述顯影速率調整模型對已獲取的基本光刻膠顯影速率模型進行調整，得到調整后的光刻膠顯影速率模型之后，所述建模方法還包括：
7.根據權利要求1所述...
【專利技術屬性】
技術研發人員：李慧，
申請(專利權)人：深圳晶源信息技術有限公司，
類型：發明
國別省市：
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