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    一種集成電路過流自保護電路和保護方法技術

    技術編號:44340347 閱讀:5 留言:0更新日期:2025-02-18 20:52
    本發明專利技術涉及電子學技術領域,具體涉及一種集成電路過流自保護電路和保護方法,包括運算放大減法子電路和運算放大比較子電路,所采用的運算放大器均為軌對軌運算放大器,本發明專利技術通過運算放大減法子電路和運算放大比較子電路的設置可以有效防止器件內部電流增加導致芯片局部溫度升高的情況,同時本發明專利技術采用的芯片均為運算放大器、易集成、體積小和電路簡單,這種電路架構簡單、成本低、方法簡單實用,從而解決了現有的集成電路在發生單粒子鎖定容易導致器件永久損壞的問題。

    【技術實現步驟摘要】

    本專利技術涉及電子學,尤其涉及一種集成電路過流自保護電路和保護方法


    技術介紹

    1、在航天領域,衛星中的集成電路偶爾會受到單粒子效應的影響,其中單離子鎖定影響比較大,集成電路如果發生單粒子鎖定,會使器件內部電流增大,芯片局部溫度升高,甚至導致器件永久性損壞。

    2、目前防范單粒子鎖定的措施主要是在芯片前端加限流電阻或者對設備進行斷電重啟。本專利技術提出一種新的過流自保護電路,該電路也可達到防范單粒子鎖定的作用,進而保護集成電路避免損壞。


    技術實現思路

    1、本專利技術的目的在于提供一種集成電路過流自保護電路和保護方法,旨在解決現有的集成電路在發生單粒子鎖定容易導致器件永久損壞的問題。

    2、為實現上述目的,第一方面,本專利技術提供了一種集成電路過流自保護電路,包括運算放大減法子電路和運算放大比較子電路,所述運算放大減法子電路和所述運算放大比較子電路連接。

    3、其中,所述運算放大減法子電路包括運算放大減法器u1a、濾波電容c1、濾波電容c4、電阻r9、電阻r6、電阻r2、電阻r1和電阻r3,所述運算放大減法器u1a的正電壓端接+5v,所述運算放大減法器u1a的正電壓端串聯所述濾波電容c1和所述濾波電容c4并接地;所述運算放大減法器u1a的負電壓接地;所述運算放大減法器u1a的正向輸出端連接所述電阻r9、所述電阻r6和所述電阻r2;所述運算放大減法器u1a的負向輸入端連接電阻r1并與輸出端連接,且串聯所述電阻r3至集成電路供電端。

    4、其中,所述濾波電容c1和所述濾波電容c4為0.1μf;所述電阻r1和r9為100kω;所述電阻r2為0.1ω;所述電阻r3和所述電阻r6為10kω。

    5、其中,所述運算放大比較子電路包括運算放大比較器u2a、濾波電容c2、濾波電容c5、濾波電容c7、濾波電容c8、電阻r11、電阻r8、電阻r12、電阻r5、電阻r4、電容c3、電容c6、正向開關二極管d1、電阻r10和電阻r7;所述運算放大比較器u2a的正電壓端接+5v,并串聯所述濾波電容c2和濾波電容c5;所述運算放大比較器u2a的負電壓端接-5v,并串聯濾波電容c7和濾波電容c8;所述運算放大比較器u2a的正向輸入端連接所述電阻r11和所述電阻r8,所述電阻r8另一端接+5v,所述電阻r12至所述運算放大比較器u2a的輸出端;所述運算放大比較器u2a的反向輸入端連接所述電阻r5,所述電阻r5的另一端連接所述電阻r4至所述運算放大減法器u1a的輸出端,并串聯所述電容c3和電容c6至接地;所述運算放大比較器u2a的輸出端連接正向開關二極管d1,所述正向開關二極管d1的另一端連接電阻r10和所述電阻r7。

    6、其中,所述濾波電容c2、所述濾波電容c5、所述濾波電容c7和所述濾波電容c8為0.1μf;所述電容c3和所述電容c6為1μf;所述電阻r5、所述電阻r8為10kω;所述電阻r4為1kω;所述電阻r7為2kω;所述電阻r10為499kω。

    7、第二方面,一種集成電路過流自保護電路保護方法,用于第一方面所述的集成電路過流自保護電路,包括以下步驟:

    8、根據限流值的大小確定電阻r11和電阻r12的阻值;

    9、電阻r2兩端產生壓差,所述壓差經所述運算放大減法器u1a進行相減并放大10倍輸出,輸出值經電阻r4后對濾波電容c3和濾波電容c6進行充電,該值記為v-,v-為0v,正向輸入端電壓大于0v,運算放大比較器u2a輸出+5v高電平,經正向開關二極管d1和電阻r7后,到芯片使能腳;

    10、當芯片電流逐漸增大時,v-逐漸增大,當v-的電壓大于正向輸入端電壓時,運算放大比較器u2a輸出低電平,此時芯片使能腳由于電壓變為0v,芯片停止工作。

    11、本專利技術的一種集成電路過流自保護電路,包括運算放大減法子電路和運算放大比較子電路,所采用的運算放大器均為軌對軌運算放大器,本專利技術通過所述運算放大減法子電路和所述運算放大比較子電路的設置可以有效防止器件內部電流增加導致芯片局部溫度升高的情況,同時本專利技術采用的芯片均為運算放大器、易集成、體積小和電路簡單,這種電路架構簡單、成本低、方法簡單實用,從而解決了現有的集成電路在發生單粒子鎖定容易導致器件永久損壞的問題。

    本文檔來自技高網...

    【技術保護點】

    1.一種集成電路過流自保護電路,其特征在于,

    2.如權利要求1所述的集成電路過流自保護電路,其特征在于,

    3.如權利要求2所述的集成電路過流自保護電路,其特征在于,

    4.如權利要求1所述的集成電路過流自保護電路,其特征在于,

    5.如權利要求4所述的集成電路過流自保護電路,其特征在于,

    6.一種集成電路過流自保護電路保護方法,用于權利要求1-5任一項所述的集成電路過流自保護電路,其特征在于,包括以下步驟:

    【技術特征摘要】

    1.一種集成電路過流自保護電路,其特征在于,

    2.如權利要求1所述的集成電路過流自保護電路,其特征在于,

    3.如權利要求2所述的集成電路過流自保護電路,其特征在于,

    4.如權利要求1所述的集成電路過...

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:石強熊平戩席虹標諸葛燕萍李鵬黃鋒鋒蔣高健吳見平王俊郎
    申請(專利權)人:中國電子科技集團公司第三十四研究所
    類型:發明
    國別省市:

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