【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本專利技術涉及用于在氧化硅和多晶硅的存在下選擇性蝕刻氮化硅的組合物和方法。優先權主張本申請案主張申請日期為2022年5月13日的美國臨時專利號63/341,801的優先權。優先權檔案出于所有目的并入本文中。
技術介紹
1、在微電子產業中，對于改進的裝置性能和對于減小的裝置尺寸和減小的裝置特征尺寸的需求持續存在。減小的特征尺寸提供增加裝置特征密度和增加裝置速度的雙重優點。
2、減小特征和裝置尺寸需要尋找新的方法來改進制造微電子裝置的多步驟工藝的步驟。在用于制備多種類型的微電子裝置的方法中，移除氮化硅的步驟是常見的。氮化硅(si3n4)的薄層(通常從硅烷(sih4)和氨(nh3)通過化學氣相沉積而沉積)可用于微電子裝置中作為水和鈉的勢壘。此外，圖案化氮化硅層用作用于空間選擇性氧化硅生長的掩膜。在施覆之后，這些氮化硅材料的全部或一部分可能需要移除，這通常通過蝕刻來進行。
3、通過蝕刻從襯底移除氮化硅有利地以不損壞或破壞微電子裝置的其它暴露或覆蓋的特征的方式進行。通常，一種移除氮化硅的方法是以相對于還存在于微電子裝置襯底的表面處的其它材料(如氧化硅)優先地移除氮化硅的方式進行。根據各種商業方法，通過涉及在高溫下例如在具有在150℃到180℃的范圍內的溫度的浴中使襯底表面暴露到濃磷酸(h3po4)的濕式蝕刻工藝從微電子裝置表面移除氮化硅。用于相對于氧化硅選擇性移除氮化硅的常規濕式蝕刻技術已使用水性磷酸(h3po4)溶液(通常是約85重量％磷酸和15重量％水)。使用新鮮熱磷酸，典型si3n4:sio2選擇性可為約40
4、在其它裝置結構中，除了氧化硅之外，還可存在多晶硅的經暴露表面，其進一步使期望選擇性氮化硅蝕刻工藝復雜化。因此，需要可用于在氧化硅和多晶硅表面的存在下優先蝕刻氮化硅的組合物和方法。
技術實現思路
1、總的來說，本專利技術涉及用于濕式蝕刻含有包含氮化硅、氧化硅和多晶硅的表面的微電子裝置襯底的表面的組合物和方法。任選地，其它材料存在于襯底上，如導電材料、半導體材料、或可用于微電子裝置中的絕緣材料或可用于制備微電子裝置中的處理材料。還可存在材料，如金屬硅化物，但通常不暴露，除非在缺陷(如裂紋或微影對不準)的情況下。本專利技術的方法涉及鈍化步驟和氮化硅蝕刻步驟，如下文更全面地描述。發現所述兩個步驟的組合大大地改進在多晶硅和氧化硅存在下的氮化硅蝕刻操作的選擇性。
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1.一種組合物，其包含以下各項的反應產物：
2.根據權利要求1所述的組合物，其為以下各項的反應產物：
3.根據權利要求1所述的組合物，其中所述硝酸是以以組合物的總重量計約0.1到約0.25重量％的量使用。
4.一種選擇性蝕刻微電子裝置襯底上的氮化硅的方法，所述襯底包括包含氮化硅的表面、包含氧化硅的表面、和包含多晶硅的表面，所述方法包括：
5.一種選擇性蝕刻微電子裝置襯底上的氮化硅的方法，所述襯底包括包含氮化硅的表面、包含氧化硅的表面、和包含多晶硅的表面，所述方法包括：
6.根據權利要求5所述的方法，其中有效于蝕刻氮化硅的所述組合物包含：
7.根據權利要求6所述的方法，其中所述磷酸是以以組合物的總重量計約80到約90重量％的量存在。
8.根據權利要求6所述的方法，其中有效于蝕刻氮化硅的所述組合物進一步包含：
9.根據權利要求6所述的方法，其中有效于蝕刻氮化硅的所述組合物進一步包含：
10.根據權利要求6所述的方法，其中有效于蝕刻氮化硅的所述組合物進一步包含選自以下的一種或多種
11.根據權利要求4所述的方法，其中有效于蝕刻氮化硅的所述組合物包含約80到約90重量％的磷酸、水、四甲基銨硅酸鹽和(3-氨基丙基)硅烷三醇，總重量百分比等于100％。
12.根據權利要求11所述的方法，其中有效于蝕刻氮化硅的所述組合物進一步包含氟化物化合物。
13.一種試劑盒，其在兩個或更多個容器中包含下列中的二者或更多者
...【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】
1.一種組合物，其包含以下各項的反應產物：
2.根據權利要求1所述的組合物，其為以下各項的反應產物：
3.根據權利要求1所述的組合物，其中所述硝酸是以以組合物的總重量計約0.1到約0.25重量％的量使用。
4.一種選擇性蝕刻微電子裝置襯底上的氮化硅的方法，所述襯底包括包含氮化硅的表面、包含氧化硅的表面、和包含多晶硅的表面，所述方法包括：
5.一種選擇性蝕刻微電子裝置襯底上的氮化硅的方法，所述襯底包括包含氮化硅的表面、包含氧化硅的表面、和包含多晶硅的表面，所述方法包括：
6.根據權利要求5所述的方法，其中有效于蝕刻氮化硅的所述組合物包含：
7.根據權利要求6所述的方法，其中所述磷酸是以以組合物的總重量計約...
【專利技術屬性】
技術研發人員：S·M·比洛德，C·葉文埃斯，
申請(專利權)人：恩特格里斯公司，
類型：發明
國別省市：
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