【技術實現步驟摘要】
本申請涉及半導體，尤其涉及一種半導體器件、存儲系統及電子設備。
技術介紹
1、隨著平面型閃存存儲器的發展，半導體的生產工藝取得了巨大的進步。但是最近幾年，平面型閃存的發展遇到了各種挑戰：物理極限、現有顯影技術極限以及存儲電子密度極限等。在此背景下，為解決平面閃存遇到的困難以及追求更低的單位存儲單元的生產成本，各種不同的三維(3d)閃存存儲器結構應運而生，例如3d?nor(3d或非)閃存和3d?nand(3d與非)閃存。
2、其中，3d?nand存儲器以其小體積、大容量為出發點，將儲存單元采用三維模式層層堆疊的高度集成為設計理念，生產出高單位面積存儲密度，高效存儲單元性能的存儲器，已經成為新興存儲器設計和生產的主流工藝。
3、但是，在目前的存儲器中，由于存儲單元之間的連接方式單一，無法滿足存儲器更多的需求。
技術實現思路
1、本申請實施例提供一種半導體器件、儲存系統及電子設備，能夠提高堆疊部之間連接的多樣性，滿足半導體器件的更多需求。
2、本申請實施例提供一種半導體器件，其包括：
3、堆疊結構，包括層疊設置的多個堆疊部，所述堆疊部包括轉接層以及設置于所述轉接層上的芯片；
4、其中，所述堆疊部中的所述芯片與所述轉接層電性連接，相鄰的所述堆疊部中的所述芯片之間通過所述轉接層電性連接。
5、在本申請的一些實施例中，所述轉接層中設置有連接引線，所述芯片靠近所述轉接層的一側設置有第一接觸結構，在所述堆疊部中，所述第一接觸結
6、在本申請的一些實施例中，相鄰的兩個所述堆疊部之間，其中一個所述堆疊部的所述芯片靠近另一個所述堆疊部的所述轉接層設置；
7、其中，相鄰的兩個所述堆疊部之間設置有第二接觸結構，且所述第二接觸結構與所述芯片以及所述連接引線相連接。
8、在本申請的一些實施例中，在所述堆疊部中，所述轉接層上設置有多個所述芯片，且在相鄰的兩個所述堆疊部之間，其中一個所述堆疊部中的一個所述芯片與另一個所述堆疊部中多個所述芯片中的任一者電性連接。
9、在本申請的一些實施例中，所述連接引線包括設置于所述轉接層中且沿第一方向延伸的第一引線，且所述第一方向平行于多個所述堆疊部的層疊方向。
10、在本申請的一些實施例中，所述連接引線還包括設置于所述轉接層中且沿第二方向延伸的第二引線，且所述第二方向與所述第一方向相交。
11、在本申請的一些實施例中，所述轉接層包括多個介質子層，且所述第一引線沿所述第一方向穿過至少一個所述介質子層，所述第二引線位于相鄰的所述介質子層之間。
12、在本申請的一些實施例中，所述轉接層的材料包括硅材料、氮化硅材料以及樹脂材料中的至少一種，所述連接引線的材料包括導電金屬材料。
13、在本申請的一些實施例中，所述半導體器件還包括外連引線，所述外連引線連接于任意兩個所述堆疊部中的兩個所述轉接層之間。
14、在本申請的一些實施例中，所述半導體器件還包括基板，所述堆疊結構設置于所述基板上，且所述外連引線連接于所述基板和至少一個所述堆疊部的所述轉接層之間。
15、在本申請的一些實施例中，所述半導體器件還包括第一連接件，所述第一連接件設置于所述基板和所述堆疊結構之間，多個所述堆疊部包括靠近所述基板表面的底層堆疊部；
16、其中，在每一個所述堆疊部中，所述轉接層位于所述芯片和所述基板之間，且所述底層堆疊部中的所述轉接層與所述第一連接件相連接。
17、在本申請的一些實施例中，所述半導體器件還包括設置于所述堆疊結構遠離所述基板一側的對置基板，且所述對置基板中設置有第二連接件，所述外連引線連接于所述第二連接件和至少一個所述堆疊部的所述轉接層之間。
18、在本申請的一些實施例中，所述芯片包括存儲陣列和/或外圍電路，所述外圍電路耦合至所述存儲陣列，且用于控制所述存儲陣列存儲數據。
19、根據本申請的上述目的，本申請實施例還提供一種存儲系統，所述存儲系統包括控制器以及所述半導體器件，所述控制器耦合至所述半導體器件，且用于控制所述半導體器件存儲數據。
20、根據本申請的上述目的，本申請實施例還提供一種電子設備，包括所述存儲系統。
21、本申請實施例提供一種半導體器件、儲存系統及電子設備，通過在堆疊結構中設置堆疊部，且堆疊部包括轉接層和芯片，而芯片電性連接于轉接層上，以及多個堆疊部中的芯片都可以通過轉接層進行電性連接，使得芯片之間的電連接更加靈活，可以滿足半導體器件的更多需求。
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1.一種半導體器件，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述轉接層中設置有連接引線，所述芯片靠近所述轉接層的一側設置有第一接觸結構，在所述堆疊部中，所述第一接觸結構與所述轉接層的所述連接引線相連接。
3.根據權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，相鄰的兩個所述堆疊部之間，其中一個所述堆疊部的所述芯片靠近另一個所述堆疊部的所述轉接層設置；
4.根據權利要求3所述的半導體器件，其特征在于，在所述堆疊部中，所述轉接層上設置有多個所述芯片，且在相鄰的兩個所述堆疊部之間，其中一個所述堆疊部中的一個所述芯片與另一個所述堆疊部中多個所述芯片中的任一者電性連接。
5.根據權利要求3所述的半導體器件，其特征在于，所述連接引線包括設置于所述轉接層中且沿第一方向延伸的第一引線，且所述第一方向平行于多個所述堆疊部的層疊方向。
6.根據權利要求5所述的半導體器件，其特征在于，所述連接引線還包括設置于所述轉接層中且沿第二方向延伸的第二引線，且所述第二方向與所述第一方向相交。
7.根據權利要求6所述的半導
8.根據權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，所述轉接層的材料包括硅材料、氮化硅材料以及樹脂材料中的至少一種，所述連接引線的材料包括導電金屬材料。
9.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件還包括外連引線，所述外連引線連接于任意兩個所述堆疊部中的兩個所述轉接層之間。
10.根據權利要求9所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件還包括基板，所述堆疊結構設置于所述基板上，且所述外連引線連接于所述基板和至少一個所述堆疊部的所述轉接層之間。
11.根據權利要求10所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件還包括第一連接件，所述第一連接件設置于所述基板和所述堆疊結構之間，多個所述堆疊部包括靠近所述基板表面的底層堆疊部；
12.根據權利要求10所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件還包括設置于所述堆疊結構遠離所述基板一側的對置基板，且所述對置基板中設置有第二連接件，所述外連引線連接于所述第二連接件和至少一個所述堆疊部的所述轉接層之間。
13.根據權利要求1至12任一項所述的半導體器件，其特征在于，所述芯片包括存儲陣列和/或外圍電路，所述外圍電路耦合至所述存儲陣列，且用于控制所述存儲陣列存儲數據。
14.一種存儲系統，其特征在于，所述存儲系統包括控制器以及如權利要求1至13任一項所述的半導體器件，所述控制器耦合至所述半導體器件，且用于控制所述半導體器件存儲數據。
15.一種電子設備，其特征在于，包括權利要求14所述的存儲系統。
...【技術特征摘要】
1.一種半導體器件，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述轉接層中設置有連接引線，所述芯片靠近所述轉接層的一側設置有第一接觸結構，在所述堆疊部中，所述第一接觸結構與所述轉接層的所述連接引線相連接。
3.根據權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，相鄰的兩個所述堆疊部之間，其中一個所述堆疊部的所述芯片靠近另一個所述堆疊部的所述轉接層設置；
4.根據權利要求3所述的半導體器件，其特征在于，在所述堆疊部中，所述轉接層上設置有多個所述芯片，且在相鄰的兩個所述堆疊部之間，其中一個所述堆疊部中的一個所述芯片與另一個所述堆疊部中多個所述芯片中的任一者電性連接。
5.根據權利要求3所述的半導體器件，其特征在于，所述連接引線包括設置于所述轉接層中且沿第一方向延伸的第一引線，且所述第一方向平行于多個所述堆疊部的層疊方向。
6.根據權利要求5所述的半導體器件，其特征在于，所述連接引線還包括設置于所述轉接層中且沿第二方向延伸的第二引線，且所述第二方向與所述第一方向相交。
7.根據權利要求6所述的半導體器件，其特征在于，所述轉接層包括多個介質子層，且所述第一引線沿所述第一方向穿過至少一個所述介質子層，所述第二引線位于相鄰的所述介質子層之間。
8.根據權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，所述轉接層的材料包括硅材料、氮化硅材料以及樹脂材料中...
【專利技術屬性】
技術研發人員：張澤輝，謝煒，范冬宇，莫平，伍術，劉磊，夏志良，
申請(專利權)人：長江存儲科技有限責任公司，
類型：發明
國別省市：
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