【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及一種oled用掩模制造方法，更詳細地涉及一種能夠適用現有半導體裝備來制造進而能夠縮減制造時間且能夠最大限度減少掩模的下垂的oled用掩模制造方法。
技術介紹
1、oled(organic?light-emitting?diode)是有機發光二極管，利用有機化合物產生光。這樣的有機化合物可以當在各個像素中流動電流時發出光。與等離子體顯示器或lcd(liquid?crystal?display；液晶顯示器)不同，oled顯示器不需要背光板或led背光，單個像素直接發出光，因此能夠提供高的對比度和寬頻視聽覺。
2、這樣的oled制造中包括基板制造、透明電極圖案制造、有機發光物質層蒸鍍、電極圖案制造以及保護層附著等各種步驟。
3、其中，有機發光物質層蒸鍍是將oled的核心即有機發光物質層蒸鍍在tft(thinfilm?transistor；薄膜晶體管)的像素來實現。這樣的有機發光物質層起到發出光的作用，并為了呈現各種顏色，使用各種有機化合物。
4、為了蒸鍍前述的有機發光物質層，使用fmm(fine?metal?mask；高精度金屬掩模)，fmm由具有微細孔洞的金屬板構成。即，可以在蒸鍍源中加熱有機物，加熱的有機物升華并通過位于上方的fmm的孔洞而在oled子像素準確地蒸鍍配置綠色、紅色、藍色等的有機發光物質。
5、觀察這樣的制造fmm的以往方法的話，會使用電鑄法(electro?forming)、激光圖案化(laser?patterning)、蝕刻等方法。fmm是打通有超微細
6、以往，主要通過對鐵和鎳的合金即低膨脹合金(invar)進行壓延等而薄薄地展開來制造fmm。然而，以往所使用的低膨脹合金適用了酸性溶液的濕式蝕刻或適用激光加工、電鍍來制造微細圖案，因此需要根據制造方法的額外的設備以及裝備，對于掩模加工需要2-3周的長時間。
7、另外，最近逐漸對高分辨率顯示器的要求變高，為了達到這樣的高分辨率，需要fmm的微細圖案化作業，為此，fmm的厚度需更薄。然而，當使用以往的低膨脹合金時，將厚度設為20μm以下存在局限。進而，當使用低膨脹合金來制造fmm時，由于自身重量而fmm的中央部下垂，存在難以對齊fmm等的問題。
技術實現思路
1、本專利技術的目的在于，為了解決上述那樣的問題，提供能夠使用在以往半導體裝備中所使用的設備以及裝備來制造fmm的oled用掩模及其制造方法。
2、另外，本專利技術的目的在于，為了達到高分辨率，提供能夠將厚度設為比以往所使用的低膨脹合金更薄進而能夠減少中央部下垂的oled用掩模及其制造方法。
3、如上所述的本專利技術的目的可以通過含金屬的oled用掩模制造方法實現，其特征在于，所述金屬的oled用掩模制造方法包括：提供基板的步驟；在所述基板的第一面形成感光膜的步驟；在所述感光膜形成圖案的步驟；對應于所述圖案蝕刻所述基板的局部的第一蝕刻步驟；以及蝕刻所述基板的第二面而對應于所述圖案形成圖案孔的第二蝕刻步驟。
4、在此，在本專利技術的一實施例中，可以是，所述基板由金屬構成。
5、另外，可以是，在所述第一蝕刻步驟以及第二蝕刻步驟中蝕刻方法彼此不同。
6、進而，可以是，在所述第一蝕刻步驟中，通過干式蝕刻將所述基板的局部進行蝕刻。
7、另外，可以是，在所述第二蝕刻步驟中，通過濕式蝕刻，將所述基板的第二面以預先定的厚度蝕刻而對應于所述圖案形成圖案孔。
8、另一方面，可以是，在所述第二蝕刻步驟中，在所述基板的邊緣形成未被蝕刻的框架部。
9、另外，可以是，所述金屬由干式蝕刻以及濕式蝕刻都能進行的金屬構成。
10、例如，可以是，所述基板由選自鈹、鐵、鎳、鉻、鎢、鈷、鉬、錫、鋅鈦、鋁、碳化鎢以及鉑中的任一個或者兩個以上的合金構成。
11、另外，可以是，所述基板由鈹構成，或者由所述鈹和選自鐵、鎳、鉻、鎢、鈷、鉬、錫、鋅鈦、鋁、碳化鎢以及鉑中的任一個以上的合金構成。
12、另一方面，在本專利技術的另一實施例中，可以是，所述oled用掩模制造方法還包括：在所述基板的第一面形成金屬膜的步驟，所述感光膜在所述金屬膜的上面形成。
13、在此情況下，可以是，在所述基板的第一面形成金屬膜的步驟中，將所述金屬膜焊接于所述基板的第一面，或者將所述金屬蒸鍍于所述基板的第一面。
14、進而，可以是，所述金屬膜由選自鈹、鐵、鎳、鉻、鎢、鈷、鉬、錫、鋅鈦、鋁、碳化鎢以及鉑中的任一個或者兩個以上的合金構成。
15、另外，可以是，所述金屬膜由鈹構成，或者由所述鈹和選自鐵、鎳、鉻、鎢、鈷、鉬、錫、鋅鈦、鋁、碳化鎢以及鉑中的任一個以上的合金構成。
16、進而，可以是，在所述第一蝕刻步驟中，對應于所述圖案蝕刻所述金屬膜以及所述基板的局部。
17、另外，可以是，在所述第二蝕刻步驟中，所述基板構成為具備使所述金屬膜的一組圖案孔暴露的開口部的框架形態。
18、根據具有前述結構的本專利技術，在制造oled用掩模，即fmm時，不需要額外的設備以及裝備而使用現有半導體裝備中所使用的設備以及裝備，因此能夠減少設備所帶來的費用以及空間的制約。
19、另外，根據本專利技術，能夠將厚度設為比以往所使用的低膨脹合金更薄，因此能夠達到高分辨率，進而減少中央部下垂而能夠更加容易地執行fmm的對齊。
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1.一種含金屬的OLED用掩模制造方法，其特征在于，所述OLED用掩模制造方法包括：
2.根據權利要求1所述的OLED用掩模制造方法，其特征在于，
3.根據權利要求2所述的OLED用掩模制造方法，其特征在于，
4.根據權利要求2所述的OLED用掩模制造方法，其特征在于，
5.根據權利要求2所述的OLED用掩模制造方法，其特征在于，
6.根據權利要求5所述的OLED用掩模制造方法，其特征在于，
7.根據權利要求2所述的OLED用掩模制造方法，其特征在于，
8.根據權利要求2所述的OLED用掩模制造方法，其特征在于，
9.根據權利要求2所述的OLED用掩模制造方法，其特征在于，
10.根據權利要求1所述的OLED用掩模制造方法，其特征在于，
11.根據權利要求10所述的OLED用掩模制造方法，其特征在于，
12.根據權利要求10所述的OLED用掩模制造方法，其特征在于，
13.根據權利要求10所述的OLED用掩模制造方法，其特征在于，
...【技術特征摘要】
1.一種含金屬的oled用掩模制造方法，其特征在于，所述oled用掩模制造方法包括：
2.根據權利要求1所述的oled用掩模制造方法，其特征在于，
3.根據權利要求2所述的oled用掩模制造方法，其特征在于，
4.根據權利要求2所述的oled用掩模制造方法，其特征在于，
5.根據權利要求2所述的oled用掩模制造方法，其特征在于，
6.根據權利要求5所述的oled用掩模制造方法，其特征在于，
7.根據權利要求2所述的oled用掩模制造方法，其特征在于，
8.根據權利要求2所述的ole...
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