【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本申請涉及半導(dǎo)體，更具體地說，涉及一種表面色差檢測方法、裝置、電子設(shè)備和存儲介質(zhì)。
技術(shù)介紹
1、碳化硅是一種重要的先進半導(dǎo)體材料，具有70種結(jié)晶型態(tài)，其中最為常見的是β-sic和α-sic。β-sic屬于立方結(jié)構(gòu)，而α-sic則屬于六方結(jié)構(gòu)。此外，碳化硅還具有不同的取向，如3c-sic、4h-sic、6h-sic等，這些不同的晶型和取向?qū)μ蓟璧奈锢硇再|(zhì)和應(yīng)用有著重要影響。
2、目前主流碳化硅晶片是4h型導(dǎo)電碳化硅拋光片，被應(yīng)用于電力電子芯片的制造，是一種棕綠色的晶片。純凈碳化硅的顏色是無色透明的，然而，在工業(yè)生產(chǎn)中，由于含有鐵等不純物質(zhì)或是摻雜物質(zhì)的存在、制備工藝等多種因素都可能導(dǎo)致碳化硅顏色的發(fā)生變化，且色差的變化極其細微，變化趨勢是逐漸變化的，利用局部視野無法實現(xiàn)判定。
3、目前對碳化硅晶片的顏色的檢測方法是通過人員目視判定色差，但人眼對顏色的感知是一個復(fù)雜而主觀的過程，它涉及到多個方面的因素，包括生理、心理、文化和個人經(jīng)驗等，導(dǎo)致對碳化硅晶片表面色差的判定的準確性較差。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、有鑒于此，本申請?zhí)峁┮环N表面色差檢測方法、裝置、電子設(shè)備和存儲介質(zhì)，用于對碳化硅晶片的表面色差進行檢測，以解決目視檢測因主觀因素較強導(dǎo)致的準確性較差的問題。
2、為了實現(xiàn)上述目的，現(xiàn)提出的方案如下：
3、一種表面色差檢測方法，應(yīng)用于電子設(shè)備，?用于對碳化硅晶片的表面色差進行檢測，所述表面色差檢測方法包括步驟：
4、采集碳化硅晶片
5、基于預(yù)設(shè)背景灰度值和灰度對比值對所述全局形貌數(shù)據(jù)進行色差提取，得到多個色差區(qū)域，所述色差區(qū)域為明色差區(qū)域和暗色差區(qū)域；
6、基于所述多個色差區(qū)域的總面積與所述待檢測碳化硅晶片的總面積的比值確定色差指標。
7、可選的，所述光源為垂直光源或斜射光源。
8、可選的，所述基于預(yù)設(shè)背景灰度值和灰度對比值對所述全局形貌數(shù)據(jù)進行色差提取，得到多個色差區(qū)域，包括步驟：
9、選取背景灰度值和灰度對比值；
10、基于所述背景灰度值為基礎(chǔ)，以所述灰度對比值為灰度范圍從所述全局形貌數(shù)據(jù)中進行識別；
11、將超出所述灰度范圍的區(qū)域識別為所述色差區(qū)域。
12、可選的，所述選取背景灰度值，包括步驟：
13、當所述光源為垂直光源時，設(shè)定所述背景灰度值為一個固定值，將所述灰度對比值設(shè)定為一個固定數(shù)值范圍；
14、當所述光源為斜射光源時，選取所述全局形貌數(shù)據(jù)中距離所述碳化硅晶的中心預(yù)設(shè)距離處的多個灰度值的平均值為所述背景灰度值，將所述灰度對比值設(shè)定為一個固定數(shù)值范圍。
15、可選的，所述將超出所述灰度范圍的區(qū)域識別為所述色差區(qū)域，包括：
16、將亮度超出所述灰度范圍的上限的區(qū)域識別為所述明色差區(qū)域；
17、將亮度低于所述灰度范圍的下限的區(qū)域識別為所述暗色差區(qū)域。
18、可選的，還包括步驟：
19、基于所述色差指標確定所述碳化硅晶片是否存在缺陷。
20、一種表面色差檢測裝置，應(yīng)用于電子設(shè)備，?用于對碳化硅晶片的表面色差進行檢測，所述表面色差檢測裝置包括：
21、數(shù)據(jù)采集模塊，被配置為采集碳化硅晶片經(jīng)光源照射的透射光，得到所述碳化硅晶片的全局形貌數(shù)據(jù)；
22、色差提取模塊，被配置為基于預(yù)設(shè)背景灰度值和灰度對比值對所述全局形貌數(shù)據(jù)進行色差提取，得到多個色差區(qū)域，所述色差區(qū)域為明色差區(qū)域和暗色差區(qū)域；
23、指標確定模塊，被配置為基于所述多個色差區(qū)域的總面積與所述待檢測碳化硅晶片的總面積的比值確定色差指標。
24、可選的，還包括：
25、缺陷檢測模塊，被配置為基于所述色差指標確定所述碳化硅晶片是否存在缺陷。
26、一種電子設(shè)備，所述電子設(shè)備包括至少一個處理器和與所述處理器連接的存儲器，其中：
27、所述存儲器用于存儲計算機程序或指令；
28、所述處理器用于執(zhí)行所述計算機程序或指令，以使所述電子設(shè)備實現(xiàn)如上所述的表面色差檢測方法。
29、一種存儲介質(zhì)，應(yīng)用于電子設(shè)備，所述存儲介質(zhì)承載有一個或多個計算機程序，所述一個或多個計算機程序能夠被所述電子設(shè)備執(zhí)行，從而使所述電子設(shè)備實現(xiàn)如上所述的表面色差檢測方法。
30、從上述的技術(shù)方案可以看出，本申請公開了一種表面色差檢測方法、裝置、電子設(shè)備和存儲介質(zhì)，該方法和裝置應(yīng)用于電子設(shè)備，?用于對碳化硅晶片的表面色差進行檢測。該表面色差檢測方法具體為采集碳化硅晶片經(jīng)光源照射的透射光，得到碳化硅晶片的全局形貌數(shù)據(jù)；基于預(yù)設(shè)背景灰度值和灰度對比值對全局形貌數(shù)據(jù)進行色差提取，得到多個色差區(qū)域，色差區(qū)域為明色差區(qū)域和暗色差區(qū)域；基于多個色差區(qū)域的總面積與待檢測碳化硅晶片的總面積的比值確定色差指標。由于本方案在得到色差指標的過程中不需要人工參與，從而能夠解決目視檢測因主觀因素較強導(dǎo)致的準確性較差的問題。
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1.一種表面色差檢測方法，應(yīng)用于電子設(shè)備，?用于對碳化硅晶片的表面色差進行檢測，其特征在于，所述表面色差檢測方法包括步驟：
2.如權(quán)利要求1所述的表面色差檢測方法，其特征在于，所述光源為垂直光源或斜射光源。
3.如權(quán)利要求1所述的表面色差檢測方法，其特征在于，所述基于預(yù)設(shè)背景灰度值和灰度對比值對所述全局形貌數(shù)據(jù)進行色差提取，得到多個色差區(qū)域，包括步驟：
4.如權(quán)利要求3所述的表面色差檢測方法，其特征在于，所述選取背景灰度值，包括步驟：
5.如權(quán)利要求3所述的表面色差檢測方法，其特征在于，所述將超出所述灰度范圍的區(qū)域識別為所述色差區(qū)域，包括：
6.如權(quán)利要求1~5任一項所述的表面色差檢測方法，其特征在于，還包括步驟：
7.一種表面色差檢測裝置，應(yīng)用于電子設(shè)備，?用于對碳化硅晶片的表面色差進行檢測，其特征在于，所述表面色差檢測裝置包括：
8.如權(quán)利要求7所述的表面色差檢測裝置，其特征在于，還包括：
9.一種電子設(shè)備，其特征在于，所述電子設(shè)備包括至少一個處理器和與所述處理器連接的存儲器，其中
10.一種存儲介質(zhì)，應(yīng)用于電子設(shè)備，其特征在于，所述存儲介質(zhì)承載有一個或多個計算機程序，所述一個或多個計算機程序能夠被所述電子設(shè)備執(zhí)行，從而使所述電子設(shè)備實現(xiàn)如權(quán)利要求1~6任一項所述的表面色差檢測方法。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種表面色差檢測方法，應(yīng)用于電子設(shè)備，?用于對碳化硅晶片的表面色差進行檢測，其特征在于，所述表面色差檢測方法包括步驟：
2.如權(quán)利要求1所述的表面色差檢測方法，其特征在于，所述光源為垂直光源或斜射光源。
3.如權(quán)利要求1所述的表面色差檢測方法，其特征在于，所述基于預(yù)設(shè)背景灰度值和灰度對比值對所述全局形貌數(shù)據(jù)進行色差提取，得到多個色差區(qū)域，包括步驟：
4.如權(quán)利要求3所述的表面色差檢測方法，其特征在于，所述選取背景灰度值，包括步驟：
5.如權(quán)利要求3所述的表面色差檢測方法，其特征在于，所述將超出所述灰度范圍的區(qū)域識別為所述色差區(qū)域，包括：
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【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：李秀麗，鄒宇，張平，婁艷芳，王波，彭同華，楊建，
申請(專利權(quán))人：江蘇天科合達半導(dǎo)體有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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