【技術實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術涉及一種制備方法，特別是涉及一種有機發(fā)光二極管輔助陰極及其制備方法。
技術介紹
1、現(xiàn)有技術的有機發(fā)光二極管(organic?light-emitting?diode,oled)通常需要加入輔助電極，通常為陰極(cathode)，由于oled為電流驅(qū)動組件，當外部線路過長或過細時，于外部電路將會造成嚴重之電壓梯度，使真正落于oled組件之電壓下降，導致面板發(fā)光強度減少。且由于ito電阻過大(10ohm/square)，易造成不必要之外部功率消耗，增加一輔助電極以降低電壓梯度成了增加發(fā)光效率、減少驅(qū)動電壓的快捷方式。
2、現(xiàn)有技術的oled所采用的陰極材料通常為金屬合金，例如鎂銀合金等，通過熱蒸鍍的方法附著于oled的有機功能層的上方，形成陰極。
3、在實現(xiàn)本專利技術的過程中，專利技術人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術至少存在以下問題：
4、1、上述現(xiàn)有技術的oled所采用的材料及制備方法制備陰極后，經(jīng)常會因為陰極的導電性能不佳，造成顯示屏(panel)的內(nèi)電阻壓降(internal?resistance?drop，ir?drop)比較嚴重。
5、2、同時，在上述現(xiàn)有技術的有機發(fā)光二極管(oled)陰極制程中，熱蒸鍍時通常是采用普通遮罩(common?mask)進行蒸鍍，容易造成顯示屏透過率降低，不利于其在透明顯示行業(yè)的應用。
技術實現(xiàn)思路
1、為解決上述現(xiàn)有技術中存在的問題，本專利技術實施例提供了一種有機發(fā)光二極管輔助陰極及其制備方法。具體的技
2、第一方面，提供一種有機發(fā)光二極管輔助陰極的制備方法，其中包括以下步驟：
3、于有機發(fā)光二極管功能層上形成第一陰極層；
4、將納米銀混合于含氟溶劑內(nèi)，形成混合溶劑；
5、于第一陰極層上噴涂混合溶劑，形成第二陰極層；以及
6、加熱烘烤有機發(fā)光二極管功能層，去除含氟溶劑，并使納米銀附著于第一陰極層上。
7、在第一方面的第一種可能實現(xiàn)方式中，于有機發(fā)光二極管功能層上形成第一陰極層之前，還包括以下步驟：
8、形成薄膜晶體管；
9、于薄膜晶體管上形成銦錫氧化物層；以及
10、于銦錫氧化物層上形成有機發(fā)光二極管功能層。
11、在第一方面的第二種可能實現(xiàn)方式中，第一陰極層的材質(zhì)為鎂、銀、鋁、鐿、鈣或其對應的合金。
12、在第一方面的第三種可能實現(xiàn)方式中，第一陰極層的厚度為20-100埃。
13、在第一方面的第四種可能實現(xiàn)方式中，含氟溶劑為全氟乙氧基、甲苯或二甲苯溶劑。
14、在第一方面的第五種可能實現(xiàn)方式中，混合溶劑中的納米銀的重量含量為5-50％。
15、在第一方面的第六種可能實現(xiàn)方式中，附著于第一陰極層上的納米銀的厚度為100-220埃。
16、在第一方面的第七種可能實現(xiàn)方式中，附著于第一陰極層上的納米銀的形狀為規(guī)則或不規(guī)則形狀。
17、在第一方面的第八種可能實現(xiàn)方式中，加熱烘烤有機發(fā)光二極管功能層時，烘烤溫度小于100攝氏度。
18、第二方面，提供一種有機發(fā)光二極管輔助陰極，應用于有機發(fā)光二極管上的有機發(fā)光二極管功能層上，其中包括：
19、第一陰極層，設置于有機發(fā)光二極管功能層上；以及
20、第二陰極層，設置于第一陰極層上，第二陰極層的材質(zhì)為納米銀。
21、在第二方面的第一種可能實現(xiàn)方式中，有機發(fā)光二極管還包括：
22、薄膜晶體管；以及
23、銦錫氧化物層，設置于薄膜晶體管上，有機發(fā)光二極管功能層設置于銦錫氧化物層上。
24、在第二方面的第二種可能實現(xiàn)方式中，第一陰極層的材質(zhì)為鎂、銀、鋁、鐿、鈣或其對應的合金。
25、在第二方面的第三種可能實現(xiàn)方式中，第一陰極層的厚度為20-100埃。
26、在第二方面的第四種可能實現(xiàn)方式中，納米銀的厚度為100-220埃。
27、在第二方面的第五種可能實現(xiàn)方式中，納米銀的形狀為規(guī)則或不規(guī)則形狀。
28、本專利技術與現(xiàn)有技術相比具有的優(yōu)點有：
29、本專利技術是先在有機發(fā)光二極管功能層上制備第一陰極層，然后再將納米銀圖案化于第一陰極層上，通過該第一陰極層可以增加電極反射率，避免因僅設置一層納米銀導致的有機發(fā)光二極管器件的微腔效應及發(fā)光效率不高的問題。
30、同時，本專利技術的納米銀是混合在含氟溶劑中，通過混合溶劑將納米銀圖案化于第一陰極層上，由于含氟溶劑不會損傷oled功能層，且納米銀具有良好的導電性，因此可以改善有機發(fā)光二極管的內(nèi)電阻壓降造成的亮度不均問題。
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1.一種有機發(fā)光二極管輔助陰極的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光二極管輔助陰極的制備方法，其特征在于，所述于所述有機發(fā)光二極管功能層上形成所述第一陰極層之前，還包括以下步驟：
3.根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光二極管輔助陰極的制備方法，其特征在于，所述第一陰極層的材質(zhì)為鎂、銀、鋁、鐿、鈣或其對應的合金。
4.根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光二極管輔助陰極的制備方法，其特征在于，所述第一陰極層的厚度為20-100埃。
5.根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光二極管輔助陰極的制備方法，其特征在于，所述含氟溶劑為全氟乙氧基、甲苯或二甲苯溶劑。
6.根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光二極管輔助陰極的制備方法，其特征在于，所述混合溶劑中的所述納米銀的重量含量為5-50％。
7.根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光二極管輔助陰極的制備方法，其特征在于，所述附著于所述第一陰極層上的所述納米銀的厚度為100-220埃。
8.根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光二極管輔助陰極的制備方法，其特征在于，所述附著于所述
9.根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光二極管輔助陰極的制備方法，其特征在于，所述加熱烘烤所述有機發(fā)光二極管功能層時，烘烤溫度小于100攝氏度。
10.一種有機發(fā)光二極管輔助陰極，應用于有機發(fā)光二極管上的有機發(fā)光二極管功能層上，其特征在于，包括：
11.根據(jù)權利要求10所述的有機發(fā)光二極管輔助陰極，其特征在于，所述有機發(fā)光二極管還包括：
12.根據(jù)權利要求10所述的有機發(fā)光二極管輔助陰極，其特征在于，所述第一陰極層的材質(zhì)為鎂、銀、鋁、鐿、鈣或其對應的合金。
13.根據(jù)權利要求10所述的有機發(fā)光二極管輔助陰極，其特征在于，所述第一陰極層的厚度為20-100埃。
14.根據(jù)權利要求10所述的有機發(fā)光二極管輔助陰極，其特征在于，所述納米銀的厚度為100-220埃。
15.根據(jù)權利要求10所述的有機發(fā)光二極管輔助陰極，其特征在于，所述納米銀的形狀為規(guī)則或不規(guī)則形狀。
...【技術特征摘要】
1.一種有機發(fā)光二極管輔助陰極的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光二極管輔助陰極的制備方法，其特征在于，所述于所述有機發(fā)光二極管功能層上形成所述第一陰極層之前，還包括以下步驟：
3.根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光二極管輔助陰極的制備方法，其特征在于，所述第一陰極層的材質(zhì)為鎂、銀、鋁、鐿、鈣或其對應的合金。
4.根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光二極管輔助陰極的制備方法，其特征在于，所述第一陰極層的厚度為20-100埃。
5.根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光二極管輔助陰極的制備方法，其特征在于，所述含氟溶劑為全氟乙氧基、甲苯或二甲苯溶劑。
6.根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光二極管輔助陰極的制備方法，其特征在于，所述混合溶劑中的所述納米銀的重量含量為5-50％。
7.根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光二極管輔助陰極的制備方法，其特征在于，所述附著于所述第一陰極層上的所述納米銀的厚度為100-220埃。
8.根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光二極...
【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：李嘉宸，林家禾，
申請(專利權)人：拓曠上海光電科技有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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