【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
【國外來華專利技術(shù)】
本專利技術(shù)涉及半導(dǎo)體裝置以及半導(dǎo)體裝置的制造方法。
技術(shù)介紹
1、已知有在半導(dǎo)體基板形成晶體管等半導(dǎo)體裝置的技術(shù)（參照例如專利文獻(xiàn)1和專利文獻(xiàn)2）。
2、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
3、專利文獻(xiàn)
4、專利文獻(xiàn)1：美國專利申請公開第2020/0194550號說明書
5、專利文獻(xiàn)2：美國專利申請公開第2016/0329401號說明書
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、技術(shù)問題
2、優(yōu)選在半導(dǎo)體裝置中精度良好地控制半導(dǎo)體基板的摻雜濃度。
3、技術(shù)方案
4、為了解決上述問題，在本專利技術(shù)的第一方式中，提供一種半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體基板具備半導(dǎo)體基板，所述半導(dǎo)體基板具有上表面和下表面，包含體施主和熱施主，氧化學(xué)濃度為1×1016atoms/cm3以上。半導(dǎo)體裝置可以具備第一導(dǎo)電型的漂移區(qū)，所述漂移區(qū)設(shè)置于所述半導(dǎo)體基板，并包含所述體施主和所述熱施主。上述任一半導(dǎo)體裝置可以具備第一導(dǎo)電型的緩沖區(qū)，所述緩沖區(qū)設(shè)置于所述漂移區(qū)與所述半導(dǎo)體基板的所述下表面之間，并包含所述體施主和增加施主，摻雜濃度比所述漂移區(qū)的摻雜濃度高。在上述任一半導(dǎo)體裝置中，所述緩沖區(qū)可以在所述半導(dǎo)體基板的深度方向上具有一個以上的摻雜濃度峰。在上述任一半導(dǎo)體裝置中，所述一個以上的摻雜濃度峰可以包括距所述半導(dǎo)體基板的所述下表面最遠(yuǎn)地配置的最深峰。在上述任一半導(dǎo)體裝置中，所述增加施主可以包含所述熱施主。在上述任一半導(dǎo)體裝置中，遍及從所述緩沖區(qū)的下端到所述最深峰為止的整個第一范圍，
5、在上述任一半導(dǎo)體裝置中，所述增加施主可以包含cioi-h施主。
6、在上述任一半導(dǎo)體裝置中，遍及整個所述第一范圍，所述熱施主的濃度可以為同一深度位置處的所述增加施主的濃度的1%以上。
7、在上述任一半導(dǎo)體裝置中，所述半導(dǎo)體基板的氧化學(xué)濃度可以為1×1017atoms/cm3以上且5×1017atoms/cm3以下。
8、在上述任一半導(dǎo)體裝置中，所述漂移區(qū)中的所述熱施主的濃度可以為所述氧化學(xué)濃度的0.0001倍以下。
9、在上述任一半導(dǎo)體裝置中，所述漂移區(qū)的摻雜濃度可以為所述體施主的濃度的1.5倍以下。
10、上述任一半導(dǎo)體裝置在所述最深峰的頂點位置處，所述熱施主的濃度可以為摻雜濃度的0.1倍以下。
11、在上述任一半導(dǎo)體裝置中，所述緩沖區(qū)可以包含除所述最深峰以外的所述摻雜濃度峰中的摻雜濃度成為最大的最大峰。上述任一半導(dǎo)體裝置在所述最大峰的頂點位置處，所述熱施主的濃度可以為摻雜濃度的0.01倍以下。
12、在上述任一半導(dǎo)體裝置中，所述緩沖區(qū)可以包含距所述半導(dǎo)體基板的所述下表面最近的最淺峰。上述任一半導(dǎo)體裝置在所述最淺峰的頂點位置處，所述熱施主的濃度可以為摻雜濃度的0.001倍以下。
13、在上述任一半導(dǎo)體裝置中，在比所述緩沖區(qū)更靠所述半導(dǎo)體基板的所述上表面?zhèn)鹊膮^(qū)域內(nèi)，所述熱施主的濃度分布可以具有朝向所述半導(dǎo)體基板的所述上表面而減少的減少部。
14、在上述任一半導(dǎo)體裝置中，所述減少部可以具有朝向所述半導(dǎo)體基板的所述上表面?zhèn)鹊乃鰺崾┲鞯臐舛鹊膶?shù)斜率是所述氧化學(xué)濃度的對數(shù)斜率的0.5倍以上且10倍以下的區(qū)域。
15、在本專利技術(shù)的第二的方式中，提供一種使用半導(dǎo)體基板來制造半導(dǎo)體裝置的制造方法，所述半導(dǎo)體基板具有上表面和下表面，包含體施主和熱施主，氧化學(xué)濃度為1×1016atoms/cm3以上。所述半導(dǎo)體裝置可以具備第一導(dǎo)電型的漂移區(qū)，所述漂移區(qū)設(shè)置于所述半導(dǎo)體基板，并包含所述體施主和所述熱施主。半導(dǎo)體裝置可以具備第一導(dǎo)電型的緩沖區(qū)，所述緩沖區(qū)設(shè)置于所述漂移區(qū)與所述半導(dǎo)體基板的所述下表面之間，并包含所述體施主和增加施主，摻雜濃度比所述漂移區(qū)的摻雜濃度高。在上述任一半導(dǎo)體裝置中，所述緩沖區(qū)可以在所述半導(dǎo)體基板的深度方向上具有一個以上的摻雜濃度峰。在上述任一半導(dǎo)體裝置中，所述一個以上的摻雜濃度峰可以包括距所述半導(dǎo)體基板的所述下表面最遠(yuǎn)地配置的最深峰。在上述任一半導(dǎo)體裝置中，所述增加施主可以包含所述熱施主。制造方法可以以遍及從所述緩沖區(qū)的下端到所述最深峰為止的整個第一范圍而使所述熱施主的濃度為同一深度位置處的所述增加施主的濃度的10%以下的方式對所述半導(dǎo)體基板進(jìn)行退火。
16、上述任一制造方法在對所述半導(dǎo)體基板進(jìn)行退火的各工序中，所述半導(dǎo)體基板的溫度通過400℃以上且500℃以下的溫度帶的時間可以為每通過一次20分鐘以下。
17、上述任一制造方法在對所述半導(dǎo)體基板進(jìn)行退火的各工序中，所述半導(dǎo)體基板的溫度通過425℃以上且475℃以下的溫度帶的時間可以為每通過一次10分鐘以下。
18、上述任一制造方法在對所述半導(dǎo)體基板進(jìn)行退火的各工序中，所述半導(dǎo)體基板的溫度通過400℃以上且500℃以下的溫度帶的時間的累計時間可以為120分鐘以下。
19、上述任一制造方法在對所述半導(dǎo)體基板進(jìn)行退火的各工序中，所述半導(dǎo)體基板的溫度通過425℃以上且475℃以下的溫度帶的時間的累計時間可以為60分鐘以下。
20、上述任一制造方法可以在所述半導(dǎo)體基板的所述上表面的上方形成金屬電極。上述任一制造方法可以在小于400℃下進(jìn)行形成所述金屬電極之后的工序。
21、上述
技術(shù)實現(xiàn)思路
并沒有列舉本專利技術(shù)的全部必要特征。另外，這些特征組的子組合也能夠另外成為專利技術(shù)。
【技術(shù)保護(hù)點】
1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備半導(dǎo)體基板，所述半導(dǎo)體基板具有上表面和下表面，包含體施主和熱施主，氧化學(xué)濃度為1×1016atoms/cm3以上，
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
8.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
9.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
10.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
12.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，使用半導(dǎo)體基板來制造半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體基板具有上表面和下表面，包含體施主和熱施主，氧化學(xué)濃度為1×1016a
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，
15.根據(jù)權(quán)利要求12至14中任一項所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，
16.根據(jù)權(quán)利要求12至14中任一項所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，
17.根據(jù)權(quán)利要求12至14中任一項所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，
...【技術(shù)特征摘要】
【國外來華專利技術(shù)】
1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備半導(dǎo)體基板，所述半導(dǎo)體基板具有上表面和下表面，包含體施主和熱施主，氧化學(xué)濃度為1×1016atoms/cm3以上，
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
8.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
9.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
10.根據(jù)權(quán)利要求1至6...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：辻英德，高島信也，上野勝典，吉村尚，谷口竣太郎，
申請(專利權(quán))人：富士電機(jī)株式會社，
類型：發(fā)明
國別省市：
還沒有人留言評論。發(fā)表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。