單晶爐制造技術

本技術提供了一種單晶爐，其包括爐體、保溫筒、加熱器、至少一對主電極、支撐組件和主泵，爐體包括爐筒和連接于爐筒的底部的爐底，爐底上開設有至少四個導氣孔；保溫筒呈環(huán)狀并設置于爐體內；加熱器呈環(huán)狀并設置于保溫筒內；主電極的第一端與加熱器的上部相連接，主電極的第二端依次貫穿保溫筒和爐筒；支撐組件位于爐體的外部并能沿爐體的徑向移動，主電極的第二端與支撐組件相連接；主泵與各導氣孔相連通。本技術的單晶爐，通過將主電極的安裝位置調整至爐體的中部，使得爐底上可以開設更多的導氣孔，降低了導氣孔被堵塞導致氣體流通不暢的幾率，保證了在低爐壓狀態(tài)下拉晶的穩(wěn)定性，提高了產(chǎn)出晶棒品質。

【技術實現(xiàn)步驟摘要】

本技術涉及電池，特別涉及一種單晶爐。

技術介紹

1、單晶爐是一種在惰性氣體(以氮氣和氦氣為主)環(huán)境中，用石墨加熱器將多晶硅等多晶材料熔化，用直拉法生長無錯位單晶的設備。單晶直徑在生長過程中可受到溫度，提拉速度與轉速，坩堝跟蹤速度與轉速，保護氣體的流速等因素的影響。現(xiàn)有的單晶爐由于爐底布局緊湊，最多只能設置兩個導氣孔，當生產(chǎn)至等徑后期階段時，若導氣孔受到氧化物堵塞，氣體流通不暢，對產(chǎn)出晶棒品質及長晶也會產(chǎn)生不利影響。

技術實現(xiàn)思路

1、本技術的目的是提供一種能夠設置兩個以上導氣孔的單晶爐，以降低導氣孔被堵塞導致氣體流通不暢的幾率。

2、為達到上述目的，本技術提供了一種單晶爐，其包括：

3、爐體，其包括爐筒和連接于所述爐筒的底部的爐底，所述爐底上開設有至少四個導氣孔；

4、保溫筒，其呈環(huán)狀并設置于所述爐體內；

5、加熱器，其呈環(huán)狀并設置于所述保溫筒內；

6、至少一對主電極，所述主電極的第一端與所述加熱器的上部相連接，所述主電極的第二端依次貫穿所述保溫筒和所述爐筒；

7、支撐組件，其位于所述爐體的外部并能沿所述爐體的徑向移動，所述主電極的第二端與所述支撐組件相連接；

8、主泵，其與各所述導氣孔相連通。

9、如上所述的單晶爐，其中，所述加熱器由至少兩瓣發(fā)熱體圍合而成，每瓣所述發(fā)熱體的兩端均連接有一個所述主電極。

10、如上所述的單晶爐，其中，所述主電極包括石墨電極和銅電極，所述石墨電極的第一端與所述發(fā)熱體相連接，所述石墨電極的第二端貫穿所述保溫筒與所述銅電極的第一端相連接，所述銅電極的第二端貫穿所述爐筒與所述支撐組件相連接。

11、如上所述的單晶爐，其中，所述發(fā)熱體的上部兩端均形成有卡接塊，所述石墨電極的第一端的外周面上設置有卡槽，所述卡接塊能與所述卡槽卡接配合。

12、如上所述的單晶爐，其中，所述石墨電極的第二端的端面上設有螺紋孔，所述銅電極的第一端的端面上設有螺柱，通過所述螺柱與所述螺紋孔的螺紋配合，所述石墨電極與所述銅電極相連接。

13、如上所述的單晶爐，其中，所述主電極的外部套設有保護套。

14、如上所述的單晶爐，其中，所述保護套包括由內至外依次設置的陶瓷層、石墨層和保溫氈層。

15、如上所述的單晶爐，其中，所述陶瓷層的內表面設置有防脫倒勾。

16、如上所述的單晶爐，其中，所述支撐組件包括多個與各所述主電極相對應的支撐柱，所述支撐柱的上部開設有支撐孔，所述支撐孔內連接有絕緣套，所述主電極的第二端穿過所述絕緣套并與所述絕緣套相連接。

17、如上所述的單晶爐，其中，每一所述支撐柱的下端均連接有一滑軌，所述支撐柱能沿所述滑軌移動，各所述滑軌均沿所述爐筒的徑向延伸。

18、如上所述的單晶爐，其中，所述支撐柱與所述爐筒之間連接有螺紋管。

19、如上所述的單晶爐，其中，所述單晶爐還包括輔助泵，所述輔助泵與各所述導氣孔相連通。

20、與現(xiàn)有技術相比，上述的技術方案具有如下的優(yōu)點：

21、本技術的單晶爐，通過將主電極的安裝位置調整至爐體的中部，使得爐底無需設置主電極安裝孔，從而使得爐底上可以開設更多的導氣孔，降低了導氣孔被堵塞導致氣體流通不暢的幾率，保證在低爐壓狀態(tài)下拉晶的穩(wěn)定性，提高了產(chǎn)出晶棒品質；

22、本技術的單晶爐，加熱器通過主電極懸掛在保溫筒內，實現(xiàn)了器蓋距統(tǒng)一，便于工作人員統(tǒng)一管理；

23、本技術的單晶爐，加熱器由多瓣加熱體圍合而成，體積小，便于安裝，且當某瓣發(fā)熱體損壞時，可以單獨維修該發(fā)熱體，無需更換整個加熱器，維修方便，且維護成本低；

24、本技術的單晶爐，發(fā)熱體與主電極通過卡接塊與卡槽的卡接配合相連接，無需在發(fā)熱體上設置電極腳板，降低了發(fā)熱體損壞的幾率。

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【技術保護點】

1.一種單晶爐，其特征在于，所述單晶爐包括：

2.根據(jù)權利要求1所述的單晶爐，其特征在于，

3.根據(jù)權利要求2所述的單晶爐，其特征在于，

4.根據(jù)權利要求3所述的單晶爐，其特征在于，

5.根據(jù)權利要求3所述的單晶爐，其特征在于，

6.根據(jù)權利要求1至5中任一項所述的單晶爐，其特征在于，

7.根據(jù)權利要求6所述的單晶爐，其特征在于，

8.根據(jù)權利要求7所述的單晶爐，其特征在于，

9.根據(jù)權利要求1至5中任一項所述的單晶爐，其特征在于，

10.根據(jù)權利要求9所述的單晶爐，其特征在于，

11.根據(jù)權利要求9所述的單晶爐，其特征在于，

12.根據(jù)權利要求1至5中任一項所述的單晶爐，其特征在于，

【技術特征摘要】

1.一種單晶爐，其特征在于，所述單晶爐包括：

2.根據(jù)權利要求1所述的單晶爐，其特征在于，

3.根據(jù)權利要求2所述的單晶爐，其特征在于，

4.根據(jù)權利要求3所述的單晶爐，其特征在于，

5.根據(jù)權利要求3所述的單晶爐，其特征在于，

6.根據(jù)權利要求1至5中任一項所述的單晶爐，其特征在于，

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【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：宋澤飛，馬玉花，黃守祥，黃曉林，陳奕峰，
申請(專利權)人：天合光能股份有限公司，
類型：新型
國別省市：