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    一種轉(zhuǎn)子組件及電機制造技術(shù)

    技術(shù)編號:44348240 閱讀:2 留言:0更新日期:2025-02-25 09:34
    本技術(shù)涉及了轉(zhuǎn)子組件結(jié)構(gòu)的技術(shù)領(lǐng)域,具體提供了一種轉(zhuǎn)子組件及電機,其中轉(zhuǎn)子組件包括套設(shè)有磁環(huán)的轉(zhuǎn)軸,磁環(huán)和轉(zhuǎn)軸之間形成大間隙裝配,在不使用額外定位輔具的前提下,在轉(zhuǎn)軸的外壁設(shè)置定位件,使套設(shè)部兩端的轉(zhuǎn)軸上均分布有定位件,定位件的外表面與磁環(huán)的內(nèi)壁的間隙控制在0.05mm內(nèi),通過定位件定位磁環(huán)與轉(zhuǎn)軸的相對位置,從而可直接進行轉(zhuǎn)子組件的裝配,且定位件材料來源簡單,成本較低,效果明顯,便于推廣應(yīng)用。

    【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】

    本技術(shù)涉及了轉(zhuǎn)子組件結(jié)構(gòu)的,具體涉及了一種轉(zhuǎn)子組件及電機


    技術(shù)介紹

    1、環(huán)形磁體因裝配簡單,作為轉(zhuǎn)子磁鋼廣泛運用于各類電機中,轉(zhuǎn)軸作為電機動力輸出的一種方式,往往需要通過使用膠水將磁環(huán)與轉(zhuǎn)軸連接起來,所以磁環(huán)與轉(zhuǎn)軸之間通常間隙裝配。但因磁環(huán)與轉(zhuǎn)軸的熱膨脹系數(shù)不同,為避免磁環(huán)在高溫時被轉(zhuǎn)軸脹裂,所以磁環(huán)與轉(zhuǎn)軸之間需要大間隙裝配。大間隙裝配就會導(dǎo)致磁環(huán)和轉(zhuǎn)軸出現(xiàn)不同心的問題,由此要保證轉(zhuǎn)子組件的跳動,裝配轉(zhuǎn)子組件時就需要利用額外的定位輔具對磁環(huán)與轉(zhuǎn)軸的相對位置進行固定。

    2、用定位輔具裝配時,由于定位輔具與磁環(huán)和轉(zhuǎn)軸之間均為間隙配合,間隙的累加將直接影響轉(zhuǎn)子組件的跳動,所以對定位輔具加工精度要求很高,才能滿足高精度轉(zhuǎn)子組件的跳動要求。另外,使用定位輔具組裝大批量轉(zhuǎn)子組件時,對定位輔具的數(shù)量提出了很高的要求,造成了轉(zhuǎn)子組件裝配成本的增加。


    技術(shù)實現(xiàn)思路

    1、本技術(shù)的目的在于:針對現(xiàn)有技術(shù)磁環(huán)和轉(zhuǎn)軸大間隙裝配時,使用額外定位輔具對磁環(huán)和轉(zhuǎn)軸的相對位置進行定位存在定位輔具加工精度要求高且成本較高的問題,提供一種轉(zhuǎn)子組件及電機,本申請?zhí)峁┑霓D(zhuǎn)子組件,在不使用額外定位輔具的前提下,在轉(zhuǎn)軸的外壁設(shè)置定位件,定位件的厚度小于磁環(huán)與轉(zhuǎn)軸的間隙,通過定位件定位磁環(huán)與轉(zhuǎn)軸的相對位置,從而可直接進行轉(zhuǎn)子組件的裝配,且定位件材料來源簡單,成本較低,效果明顯,便于推廣應(yīng)用。

    2、為了實現(xiàn)上述目的,本技術(shù)采用的技術(shù)方案為:

    3、一種轉(zhuǎn)子組件,包括外部套設(shè)有磁環(huán)的轉(zhuǎn)軸,磁環(huán)覆蓋區(qū)域形成套設(shè)部,所述套設(shè)部兩端的轉(zhuǎn)軸上均設(shè)置有定位件;所述定位件的外表面與所述磁環(huán)的內(nèi)壁的間隙不大于0.05mm。

    4、本技術(shù)提供的轉(zhuǎn)子組件,包括套設(shè)有磁環(huán)的轉(zhuǎn)軸,磁環(huán)和轉(zhuǎn)軸之間形成大間隙裝配,在不使用額外定位輔具的前提下,在轉(zhuǎn)軸的外壁設(shè)置定位件,使套設(shè)部兩端的轉(zhuǎn)軸上均分布有定位件,定位件的外表面與磁環(huán)的內(nèi)壁的間隙控制在0.05mm內(nèi),通過定位件定位磁環(huán)與轉(zhuǎn)軸的相對位置,從而可直接進行轉(zhuǎn)子組件的裝配,且定位件材料來源簡單,成本較低,效果明顯,便于推廣應(yīng)用。

    5、進一步的,所述磁環(huán)的內(nèi)壁和所述轉(zhuǎn)軸的外壁之間存在0.1mm以上的間隙。因磁環(huán)與轉(zhuǎn)軸的熱膨脹系數(shù)不同,為避免磁環(huán)在高溫時被轉(zhuǎn)軸脹裂,所以磁環(huán)與轉(zhuǎn)軸之間需要大間隙裝配。

    6、進一步的,所述定位件的外表面與所述磁環(huán)的內(nèi)壁的間隙為0.01mm~0.05mm。定位件的外表面與所述磁環(huán)的內(nèi)壁的間隙在合適的范圍內(nèi),能夠保證轉(zhuǎn)子之間的跳動效果。優(yōu)選地,所述定位件的外表面與所述磁環(huán)的內(nèi)壁的間隙為0.02mm~0.03mm。

    7、進一步的,所述定位件為金屬材質(zhì)結(jié)構(gòu)件或膠帶。進一步的,所述定位件為耐80℃以上高溫的材質(zhì)構(gòu)件。優(yōu)選地,所述定位件為鐵合金薄片、銅合金薄片或膠帶。

    8、進一步的,所述定位件周向纏繞設(shè)置在所述套設(shè)部兩端的轉(zhuǎn)軸上或所述定位件螺旋狀纏繞在所述轉(zhuǎn)軸上。

    9、進一步的,還包括軸套,所述軸套包覆在所述轉(zhuǎn)軸的外壁,所述定位件固定在所述軸套的外壁。

    10、本技術(shù)的另一目的是為了提供上述轉(zhuǎn)子組件的應(yīng)用產(chǎn)品電機。

    11、一種電機,包括上述的轉(zhuǎn)子組件。

    12、本技術(shù)提供的電機,采用了本申請?zhí)峁┑霓D(zhuǎn)子組件,無需額外裝配定位輔具,成本明顯降低,且使用效果較好,便于推廣應(yīng)用。

    13、綜上所述,由于采用了上述技術(shù)方案,本技術(shù)的有益效果是:

    14、1、本技術(shù)提供的轉(zhuǎn)子組件,包括套設(shè)有磁環(huán)的轉(zhuǎn)軸,磁環(huán)和轉(zhuǎn)軸之間形成大間隙裝配,在不使用額外定位輔具的前提下,在轉(zhuǎn)軸的外壁設(shè)置定位件,使套設(shè)部兩端的轉(zhuǎn)軸上均分布有定位件,定位件的外表面與磁環(huán)的內(nèi)壁的間隙控制在0.05mm內(nèi),通過定位件定位磁環(huán)與轉(zhuǎn)軸的相對位置,從而可直接進行轉(zhuǎn)子組件的裝配,且定位件材料來源簡單,成本較低,效果明顯,便于推廣應(yīng)用。

    15、2、本技術(shù)提供的電機,采用了本申請?zhí)峁┑霓D(zhuǎn)子組件,無需額外裝配定位輔具,成本明顯降低,且使用效果較好,便于推廣應(yīng)用。

    本文檔來自技高網(wǎng)...

    【技術(shù)保護點】

    1.一種轉(zhuǎn)子組件,包括外部套設(shè)有磁環(huán)的轉(zhuǎn)軸,磁環(huán)覆蓋區(qū)域形成套設(shè)部,其特征在于,所述套設(shè)部兩端的轉(zhuǎn)軸上均設(shè)置有定位件,所述定位件的外表面與所述磁環(huán)的內(nèi)壁的間隙不大于0.05mm。

    2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)子組件,其特征在于,所述定位件的外表面與所述磁環(huán)的內(nèi)壁的間隙為0.01mm~0.05mm。

    3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的轉(zhuǎn)子組件,其特征在于,所述定位件的外表面與所述磁環(huán)的內(nèi)壁的間隙為0.02mm~0.03mm。

    4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)子組件,其特征在于,所述定位件為耐80?℃以上高溫的材質(zhì)構(gòu)件。

    5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)子組件,其特征在于,所述定位件為金屬材質(zhì)結(jié)構(gòu)件或膠帶。

    6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的轉(zhuǎn)子組件,其特征在于,所述定位件為鐵合金薄片、銅合金薄片或膠帶。

    7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)子組件,其特征在于,所述定位件周向纏繞設(shè)置在所述套設(shè)部兩端的轉(zhuǎn)軸上或所述定位件螺旋狀纏繞在所述轉(zhuǎn)軸上。

    8.根據(jù)權(quán)利要求1-7任意一項所述的轉(zhuǎn)子組件,其特征在于,還包括軸套,所述軸套包覆在所述轉(zhuǎn)軸的外壁,所述定位件固定在所述軸套的外壁。

    9.一種電機,其特征在于,包括如權(quán)利要求1-8任意一項所述的轉(zhuǎn)子組件。

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    【技術(shù)特征摘要】

    1.一種轉(zhuǎn)子組件,包括外部套設(shè)有磁環(huán)的轉(zhuǎn)軸,磁環(huán)覆蓋區(qū)域形成套設(shè)部,其特征在于,所述套設(shè)部兩端的轉(zhuǎn)軸上均設(shè)置有定位件,所述定位件的外表面與所述磁環(huán)的內(nèi)壁的間隙不大于0.05mm。

    2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)子組件,其特征在于,所述定位件的外表面與所述磁環(huán)的內(nèi)壁的間隙為0.01mm~0.05mm。

    3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的轉(zhuǎn)子組件,其特征在于,所述定位件的外表面與所述磁環(huán)的內(nèi)壁的間隙為0.02mm~0.03mm。

    4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)子組件,其特征在于,所述定位件為耐80?℃以上高溫的材質(zhì)構(gòu)件。

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    【專利技術(shù)屬性】
    技術(shù)研發(fā)人員:韓佳才郭茜茜唐榮茂
    申請(專利權(quán))人:成都銀河磁體股份有限公司
    類型:新型
    國別省市:

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