【技術實現步驟摘要】
本專利技術屬于半導體，特別涉及一種淺溝槽隔離結構的制備方法及半導體結構。
技術介紹
1、隨著半導體器件尺寸的不斷減小，器件之間隔離區的尺寸也相應減小。目前，大多采用淺溝槽隔離（shallow?trench?isolation，簡稱sti）結構實現器件之間的隔離。
2、現有技術中，淺溝槽隔離工藝在墊氧化層去除過程中，sti?氧化物的邊緣尖角會從兩側受到侵蝕，加速溝槽氧化物拐角處凹陷（divot）的形成，從而影響器件的可靠性。
技術實現思路
1、鑒于以上現有技術的缺點，本專利技術提供一種淺溝槽隔離結構的制備方法及半導體結構，以改善淺溝槽隔離結構中的凹陷問題。
2、為實現上述目的及其它相關目的，本專利技術提供一種淺溝槽隔離結構的制備方法，該方法包括以下步驟：
3、提供基底，所述基底包括襯底和形成在所述襯底內的溝槽氧化物，所述溝槽氧化物凸出于所述襯底的部分具有凹陷；
4、在所述襯底上形成圖形化的硬掩模層，所述圖形化的硬掩模層在對應所述溝槽氧化物的區域具有開口；
5、在所述圖形化的硬掩模層上形成氧化物層，所述氧化物層覆蓋所述溝槽氧化物并填充所述凹陷；
6、以所述圖形化的硬掩模層為停止層，平坦化處理所述氧化物層；
7、去除所述圖形化的硬掩模層。
8、在本專利技術一實施例中，在所述襯底上形成圖形化的硬掩模層，包括：
9、在所述襯底上形成硬掩模層，所述硬掩模層覆蓋所述襯底及所述溝槽氧化物；<...
【技術保護點】
1.一種淺溝槽隔離結構的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在所述襯底上形成圖形化的硬掩模層，包括：
3.根據權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，所述硬掩模層的材料包括氮化硅，所述氮化硅的厚度為300至400埃。
4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述氧化物層的材料與所述溝槽氧化物的材料均選自氧化硅，所述氧化物層的厚度大于所述硬掩模層的厚度。
5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在去除所述硬掩模層之前，還包括去除部分所述氧化物層，以調節所述溝槽氧化物與所述襯底的高度差。
6.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，去除部分所述氧化物層的方法包括采用氫氟酸濕法刻蝕去除部分所述氧化物層。
7.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，去除所述硬掩模層的方法包括采用熱磷酸濕法刻蝕去除所述硬掩模層。
8.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述氧化物層的形成方法包括高深寬比沉積工藝，所述氧化物層的厚度為800至1000埃。
9.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述提供基底的過程，包括以下步驟：
10.一種半導體結構，其特征在于，包括權利要求1至9任一所述的制備方法制備的淺溝槽隔離結構。
...【技術特征摘要】
1.一種淺溝槽隔離結構的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在所述襯底上形成圖形化的硬掩模層，包括：
3.根據權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，所述硬掩模層的材料包括氮化硅，所述氮化硅的厚度為300至400埃。
4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述氧化物層的材料與所述溝槽氧化物的材料均選自氧化硅，所述氧化物層的厚度大于所述硬掩模層的厚度。
5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在去除所述硬掩模層之前，還包括去除部分所述氧化物層，以調節所述溝槽氧化物與所述襯底的高度差。...
【專利技術屬性】
技術研發人員：王瑞，盛云，許玉威，黃爽，高志杰，
申請(專利權)人：合肥晶合集成電路股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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