【技術實現步驟摘要】
本技術涉及一種半導體制造，尤其涉及一種高溫陶瓷晶圓加熱盤。
技術介紹
1、隨著科學技術的不斷進步，市場對半導體需求的不斷增加，晶圓是制造半導體芯片的基本材料，晶圓的加熱技術是先進電子制造業中至為重要的關鍵性術，其廣泛應用于芯片封裝和集成電路裝備中，目的是為了減少產品在使用過程中因溫度不均勻、跌落、振動等因素導致元件的失效機率，從而延長產品的使用壽命。因此，加熱技術作為電子封裝技術的關鍵和核心，其技術水平的提高直接關系到封裝技術的優劣。
2、在晶圓的工藝生產過程中，晶圓的溫度需要達到預設溫度500℃以上，并且要保證一定的溫度均勻性±1℃以下，低于預設溫度或溫度不均勻就容易產生爆裂和不良率增多，因此晶圓加熱盤對于晶圓在生產工藝有至關重要的影響。但是，目前的晶圓加熱盤極易產生溫度不均勻，?晶圓生產效果差，成品率低等問題的出現。因此，對于晶圓加熱盤的溫度均勻性的控制需要得到進一步地完善，從而有效保證晶圓工藝效果。
3、目前市場晶圓加熱盤主要有以下兩種：
4、1.鋁制晶圓加熱盤，這種鋁加熱盤制作用方法是將電熱管直徑6毫米以上按照一定路徑彎曲成，電熱管埋有螺旋形電熱絲；將電熱管埋入到開有一定路徑槽的鋁板中，并用蓋板覆蓋上；對蓋板進行焊接使電熱管完全置于鋁板內部，這種結構的晶圓加熱板缺點是：由于螺旋形發熱絲在拉制過程和縮管后不可避免的絲距位移不均勻，這導致溫度不均勻；由于電熱管彎曲需要有個最小彎曲半徑，所以距離電熱管近的上表面溫度高過遠的則會很低，也是加熱盤表面溫度不均勻的原因；由于鋁材料本身的物理性質決定
5、2.陶瓷晶圓加熱盤，現有的陶瓷晶圓加熱盤，加熱絲呈螺旋狀從中心向外圍旋轉，加熱絲在熱盤中的分布不夠均勻，無法達到均勻加熱的目的，且無法滿足晶圓的高精度加熱要求，然而高精度加熱對半導體的工藝至關重要。
6、上述現有技術的晶圓加熱器無法恒溫的均勻加熱。
技術實現思路
1、本技術旨在解決上述缺陷，提供一種高溫陶瓷晶圓加熱盤及其制備方法。
2、為了克服
技術介紹
中存在的缺陷，本技術解決其技術問題所采用的技術方案是：這種高溫陶瓷晶圓加熱盤至少包括一塊表面平滑壁厚均勻的陶瓷基板，陶瓷基板的一面為加熱面、另一面為設計有一定路徑的電阻帶，所述電阻帶置于陶瓷基板上設置的路徑槽內，路徑槽的底部應是經精密加工的平面、其寬度比電阻帶寬度大0.2mm，所述路徑槽深度是電阻帶厚度值加3.0mmm,?路徑槽內還設有完全覆蓋電阻帶的陶瓷蓋板。
3、根據本技術的另一個實施例，進一步包括所述陶瓷基板的厚度不小于14mm。
4、根據本技術的另一個實施例，進一步包括所述高溫電阻帶的兩端連接電源電極，高溫電阻帶是一種高溫發熱材料鎢材或鉬材，所述電阻帶在陶瓷基板上的分布是由內到外每圈的中心距將逐浙變小，變小范圍控制2-10mm之間，最外層兩圈中心距是電阻帶寬度的2.0-4.0倍，呈外緊內松形結構分布。
5、根據本技術的另一個實施例，進一步包括所述電源電極置于支筒內，支筒固定在陶瓷基板上。
6、根據本技術的另一個實施例，進一步包括所述的陶瓷蓋板的材料和陶瓷基板材料一樣，加工成形工藝方法也是一致的。
7、本技術的有益效果是：這種高溫陶瓷晶圓加熱盤的發熱源為經精密切割成形的高溫電阻帶，材料為鎢或鉬，制成的陶瓷晶圓加熱盤，這種電阻帶是根據加熱盤結構及溫度場有限元分析后加工成形的，具有使晶圓受熱溫度高且均勻的優點。
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1.?一種高溫陶瓷晶圓加熱盤，其特征在于：至少包括一塊表面平滑壁厚均勻的陶瓷基板（101），陶瓷基板（101）的一面為加熱面、另一面為設計有一定路徑的電阻帶（201），所述電阻帶（201）置于陶瓷基板（101）上設置的路徑槽(102)內，路徑槽（102）的底部應是經精密加工的平面、其寬度比電阻帶（201）寬度大0.2mm，所述路徑槽（102）深度是電阻帶（201)厚度值加3.0mmm,?路徑槽（102）內還設有完全覆蓋電阻帶（201)的陶瓷蓋板（301）。
2.如權利要求1所述的一種高溫陶瓷晶圓加熱盤，其特征在于：所述陶瓷基板（101）的厚度不小于14mm。
3.如權利要求1所述的一種高溫陶瓷晶圓加熱盤，其特征在于：所述電阻帶（201）的兩端連接電源電極（202），高溫電阻帶（201）是一種高溫發熱材料鎢材或鉬材，所述電阻帶（201）在陶瓷基板（101）上的分布是由內到外每圈的中心距將逐浙變小，變小范圍控制2-10mm之間，最外層兩圈中心距是電阻帶（201）寬度的2.0-4.0倍，呈外緊內松形結構分布。
4.如權利要求3所述的一種高溫陶瓷晶圓加
5.如權利要求1所述的一種高溫陶瓷晶圓加熱盤，其特征在于：所述的陶瓷蓋板（301）的材料和陶瓷基板（101）材料一樣，加工成形工藝方法也是一致的。
...【技術特征摘要】
1.?一種高溫陶瓷晶圓加熱盤，其特征在于：至少包括一塊表面平滑壁厚均勻的陶瓷基板（101），陶瓷基板（101）的一面為加熱面、另一面為設計有一定路徑的電阻帶（201），所述電阻帶（201）置于陶瓷基板（101）上設置的路徑槽(102)內，路徑槽（102）的底部應是經精密加工的平面、其寬度比電阻帶（201）寬度大0.2mm，所述路徑槽（102）深度是電阻帶（201)厚度值加3.0mmm,?路徑槽（102）內還設有完全覆蓋電阻帶（201)的陶瓷蓋板（301）。
2.如權利要求1所述的一種高溫陶瓷晶圓加熱盤，其特征在于：所述陶瓷基板（101）的厚度不小于14mm。
3.如權利要求1所述的一種高溫陶瓷晶圓加...
【專利技術屬性】
技術研發人員：蔣日永，蔣蕭，
申請(專利權)人：江蘇奧崎電氣科技有限公司，
類型：新型
國別省市：
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