【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及集成電路制造，特別是涉及一種半導體器件制備方法。
技術介紹
1、隨著半導體技術的飛速發展，器件集成度日益提高而器件特征尺寸日益縮小，使得后段封裝的轉接層(interposer?layer)制作工藝越來越向前段工藝過渡，在光刻方面光阻開口尺寸越來越小，光刻機波長越來越短，光刻膠(也稱光阻，本說明書中，光刻膠和光阻可互換使用)在曝光過程中出現一定程度的駐波效應，導致光刻精度下降，由此導致生產良率下降。具體地，駐波效應的產生原因為，光刻膠曝光時，光線透過光刻膠照射在襯底上，在光刻膠和襯底的界面處，光線會被反射，這些反射光和入射光會形成干涉，使得光強沿膠深方向的分布不均勻，由此在光刻膠中的曝光區域內出現相長相消的條紋。光刻膠在顯影后，側壁會產生波浪狀的不平整而形成了駐波效應。
2、為解決駐波效應，目前業內主流方法是在光刻制程旋涂光阻之前先旋涂一層抗反射涂層，或者用cvd技術沉積一層sin層來作為抗反射涂層，以此來減少由于襯底反射光和光刻機入射光所形成的衍射效應而造成的駐波效應。
3、但這種方式存在諸多不足，比如：
4、1)由于其旋涂的抗反射層的原料成本極高，在一定程度上增加了整個制程的成本費用；
5、2)由于抗反射層不同于光阻，不會跟光阻一樣溶解于顯影液中，在后續的蝕刻制程中，會增加一步對于抗反射涂層的蝕刻，增加制程的不穩定性；
6、3)相對于旋涂的抗反射層來說，cvd工藝沉積的一層無機抗反射層同樣存在著增加后續cmp制程以及薄膜制程的工藝步驟，也增加了后續蝕刻制
7、應該注意，上面對技術背景的介紹只是為了方便對本申請的技術方案進行清楚、完整的說明，并方便本領域技術人員的理解而闡述的。不能僅僅因為這些方案在本申請的
技術介紹
部分進行了闡述而認為上述技術方案為本領域技術人員所公知。
技術實現思路
1、鑒于以上所述現有技術的缺點，本專利技術的目的在于提供一種半導體器件制備方法，用于解決現有技術中，采用旋涂形式的制備的有機抗反射涂層或cvd沉積的無機抗反射層以減少由于襯底反射光和光刻機入射光所形成的衍射效應而造成的駐波效應的方法導致制程復雜和制造成本增加等問題。
2、為實現上述目的及其他相關目的，本專利技術提供一種半導體器件制備方法，包括步驟：
3、s1：準備具有<111>晶向的單晶硅片；
4、s2：將單晶硅片置于質量分數為25％-50％的酸液中浸泡15s-60s，之后進行清洗；
5、s3：將清洗后的單晶硅片置于質量分數為40％-50％的堿液中浸泡60s-150s，由此在單晶硅片表面形成錯落排布的三角錐結構，之后進行清洗；
6、s4：于單晶硅片形成有三角錐結構的表面形成光刻膠層；
7、s5：對光刻膠層進行曝光顯影，以在光刻膠層中形成顯露出單晶硅片的若干開口；
8、s6：依開口對單晶硅片進行刻蝕，以于單晶硅片中形成若干溝槽，之后去除殘余的光刻膠層；
9、s7：于溝槽中沉積薄膜。
10、可選地，所述酸液包括氫氟酸和/或鹽酸。
11、可選地，所述堿液包括nh4oh、koh和naoh中的若干種。
12、可選地，步驟s2中在酸液中浸泡30s，步驟s3中在堿液中浸泡120s。
13、可選地，步驟s5中包括對光刻膠層進行曝光后，于70℃-90℃的溫度下進行后烘，之后再進行顯影。
14、可選地，后烘過程中還包括通入堿性氣體以中和光刻膠層頂部于曝光后產生的過多的光致酸的步驟。
15、可選地，步驟s7中包括先于溝槽內表面形成種子層，之后再形成主體層的步驟。
16、更可選地，于所述溝槽中填充的材質包括硅或銅。
17、可選地，所述光刻膠層為2層以上，底層的光刻膠層的吸光系數大于上部的光刻膠層的吸光系數。
18、可選地，步驟s2和s3中的清洗均為采用去離子水清洗60s。
19、如上所述，本專利技術的半導體器件制備方法，具有以下有益效果：本專利技術提供的半導體器件制備方法經改善的工藝和流程設計，可以有效消除駐波效應，提高光刻精度，有助于提高器件制備良率和降低制作成本。
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1.一種半導體器件制備方法，其特征在于，包括步驟：
2.根據權利要求1所述的半導體器件制備方法，其特征在于，所述酸液包括氫氟酸和/或鹽酸。
3.根據權利要求1所述的半導體器件制備方法，其特征在于，所述堿液包括NH4OH、KOH和NaOH中的若干種。
4.根據權利要求1所述的半導體器件制備方法，其特征在于，步驟S2中在酸液中浸泡30s，步驟S3中在堿液中浸泡120s。
5.根據權利要求1所述的半導體器件制備方法，其特征在于，步驟S5中包括對光刻膠層進行曝光后，于70℃-90℃的溫度下進行后烘，之后再進行顯影。
6.根據權利要求5所述的半導體器件制備方法，其特征在于，后烘過程中還包括通入堿性氣體以中和光刻膠層頂部于曝光后產生的過多的光致酸的步驟。
7.根據權利要求1所述的半導體器件制備方法，其特征在于，步驟S7中包括先于溝槽內表面形成種子層，之后再形成主體層的步驟。
8.根據權利要求7所述的半導體器件制備方法，其特征在于，于所述溝槽中填充的材質包括硅或銅。
9.根據權利要求1所述的半導體器
10.根據權利要求1所述的半導體器件制備方法，其特征在于，步驟S2和S3中的清洗均為采用去離子水清洗60s。
...【技術特征摘要】
1.一種半導體器件制備方法，其特征在于，包括步驟：
2.根據權利要求1所述的半導體器件制備方法，其特征在于，所述酸液包括氫氟酸和/或鹽酸。
3.根據權利要求1所述的半導體器件制備方法，其特征在于，所述堿液包括nh4oh、koh和naoh中的若干種。
4.根據權利要求1所述的半導體器件制備方法，其特征在于，步驟s2中在酸液中浸泡30s，步驟s3中在堿液中浸泡120s。
5.根據權利要求1所述的半導體器件制備方法，其特征在于，步驟s5中包括對光刻膠層進行曝光后，于70℃-90℃的溫度下進行后烘，之后再進行顯影。
6.根據權利要求5所述的半導體器件制...
【專利技術屬性】
技術研發人員：張志奇，劉曉林，周祖源，
申請(專利權)人：盛合晶微半導體江陰有限公司，
類型：發明
國別省市：
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