【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體制備領域，特別涉及一種柵極金屬填充方法。
技術介紹
1、現有利用gate?last(后柵極)工藝制備高介電柵極金屬時，由于柵極金屬填充區域的線寬小，且需要保持填充區域的高度，導致填充鋁金屬時會出現填充不良的問題，進而在化學機械研磨時會導致柵極金屬填充區域內鋁金屬的缺失，甚至在研磨時帶出鋁金屬造成刮痕，進而影響制備器件的良率。
技術實現思路
1、有鑒于此，本專利技術的目的在于提供一種柵極金屬填充方法，解決了現有技術中柵極金屬填充區域內鋁金屬缺失，甚至在研磨時帶出鋁金屬造成刮痕，進而影響制備器件的良率的問題。
2、為解決上述技術問題，本專利技術提供了一種柵極金屬填充方法，包括：
3、在柵極金屬填充區域填充有偽多晶硅的器件中，刻蝕預設高度的所述偽多晶硅和預設高度的側墻至平齊，以使剩余偽多晶硅和剩余側墻的高度小于所述柵極金屬填充區域的高度，作為待成型柵極金屬的器件；所述側墻形成在所述柵極金屬填充區域中偽多晶硅的側面；
4、在所述待成型柵極金屬的器件中開設有所述柵極金屬填充區域的表面制備待刻蝕膜層；
5、對所述待刻蝕膜層進行刻蝕，以在設有所述柵極金屬填充區域的基體與所述剩余側墻間組成的高度差臺階處，形成膜層斜坡，作為已成型柵極金屬的器件；
6、清除所述已成型柵極金屬的器件中所述剩余偽多晶硅，以在所述已成型柵極金屬的器件中，形成漏斗狀柵極金屬填充區域；
7、依次在所述漏斗狀柵極金屬填充區域填充柵極金屬介
8、可選的，所述對所述待刻蝕膜層進行刻蝕，以在設有所述柵極金屬填充區域的基體與所述剩余側墻間，組成的高度差臺階處，形成膜層斜坡，作為已成型柵極金屬的器件，包括：
9、對所述待刻蝕膜層進行無光罩刻蝕，以形成所述膜層斜坡，作為所述已成型柵極金屬的器件。
10、可選的，所述對所述待刻蝕膜層進行刻蝕，以在設有所述柵極金屬填充區域的基體與所述剩余側墻間，組成的高度差臺階處，形成膜層斜坡，作為已成型柵極金屬的器件，包括：
11、刻蝕所述待刻蝕膜層至露出所述剩余偽多晶硅，并形成所述膜層斜坡，作為所述已成型柵極金屬的器件。
12、可選的，刻蝕所述待刻蝕膜層至露出所述剩余偽多晶硅，并形成所述膜層斜坡，作為所述已成型柵極金屬的器件，包括：
13、刻蝕所述待刻蝕膜層至剛好露出全部所述剩余偽多晶硅，并形成所述膜層斜坡，作為所述已成型柵極金屬的器件。
14、可選的，刻蝕所述待刻蝕膜層至露出所述剩余偽多晶硅，并形成所述膜層斜坡，作為所述已成型柵極金屬的器件，包括：
15、刻蝕所述待刻蝕膜層至露出所述剩余偽多晶硅，且形成頂部與所述基體處于同一高度的膜層斜坡，作為所述已成型柵極金屬的器件。
16、可選的，所述在柵極金屬填充區域填充有偽多晶硅的器件中，刻蝕預設高度的所述偽多晶硅和預設高度的側墻至平齊，以使剩余偽多晶硅和剩余側墻的高度小于所述柵極金屬填充區域的高度，作為待成型柵極金屬的器件，包括：
17、在所述柵極金屬填充區域填充有所述偽多晶硅的器件中，刻蝕預設高度的所述側墻，以使所述剩余側墻的高度小于所述柵極金屬填充區域的高度，作為待刻蝕器件；
18、對所述待刻蝕器件中所述偽多晶硅進行刻蝕，以使所述剩余偽多晶硅與所述剩余側墻平齊，作為所述待成型柵極金屬的器件。
19、可選的，所述在所述柵極金屬填充區域填充有所述偽多晶硅的器件中，刻蝕預設高度的所述側墻，以使所述剩余側墻的高度小于所述柵極金屬填充區域的高度，作為待刻蝕器件，包括：
20、在所述柵極金屬填充區域填充有所述偽多晶硅的器件中，利用干法刻蝕法刻蝕預設高度的所述側墻，以使所述剩余側墻的高度小于所述柵極金屬填充區域的高度，作為所述待刻蝕器件；
21、相應的，所述對所述待刻蝕器件中所述偽多晶硅進行刻蝕，以使所述剩余偽多晶硅與所述剩余側墻平齊，作為所述待成型柵極金屬的器件，包括：
22、對所述待刻蝕器件中所述偽多晶硅進行干法刻蝕，以使所述剩余偽多晶硅與所述剩余側墻平齊，作為所述待成型柵極金屬的器件。
23、可選的，所述在所述待成型柵極金屬的器件中開設有所述柵極金屬填充區域的表面制備待刻蝕膜層，包括：
24、在所述待成型柵極金屬的器件中開設有所述柵極金屬填充區域的表面沉積氮化硅基材，形成待刻蝕氮化硅膜層。
25、可選的，所述在所述柵極金屬填充區域填充有所述偽多晶硅的器件中，刻蝕預設高度的所述側墻，以使所述剩余側墻的高度小于所述柵極金屬填充區域的高度，作為待刻蝕器件，包括：
26、在所述柵極金屬填充區域填充有所述偽多晶硅的器件中，開設有所述柵極金屬填充區域的整體表面制備光阻材料；
27、去除所述柵極金屬填充區域正上側的光阻材料，刻蝕預設高度的所述側墻，以使所述剩余側墻的高度小于所述柵極金屬填充區域的高度，作為所述待刻蝕器件；
28、相應的，所述對所述待刻蝕器件中所述偽多晶硅進行刻蝕，以使所述剩余偽多晶硅與所述剩余側墻平齊，作為所述待成型柵極金屬的器件，包括：
29、對所述待刻蝕器件中所述偽多晶硅進行刻蝕，以使所述剩余偽多晶硅與所述剩余側墻平齊，去除剩余的所述光阻材料，作為所述待成型柵極金屬的器件。
30、可選的，依次在所述漏斗狀柵極金屬填充區域填充柵極金屬介質和柵極金屬，完成柵極金屬的填充之后，還包括：
31、對所述完成柵極金屬的填充的表面，進行化學機械研磨，以使所述完成柵極金屬的填充的表面平坦化。
32、可見，本專利技術提供的柵極金屬填充方法，包括在柵極金屬填充區域填充有偽多晶硅的器件中，刻蝕預設高度的偽多晶硅和預設高度的側墻至平齊，以使剩余偽多晶硅和剩余側墻的高度小于柵極金屬填充區域的高度，作為待成型柵極金屬的器件，側墻形成在柵極金屬填充區域中偽多晶硅的側面，在待成型柵極金屬的器件中開設有柵極金屬填充區域的表面制備待刻蝕膜層，對待刻蝕膜層進行刻蝕，以在設有柵極金屬填充區域的基體與剩余側墻間，組成的高度差臺階處，形成膜層斜坡，作為已成型柵極金屬的器件，清除已成型柵極金屬的器件中剩余偽多晶硅，以在已成型柵極金屬的器件中，形成漏斗狀柵極金屬填充區域，依次在漏斗狀柵極金屬填充區域填充柵極金屬介質和柵極金屬，完成柵極金屬的填充。本專利技術通過將柵極金屬填充區域設置為漏斗狀柵極金屬填充區域，在不改變成型后柵極金屬的寬度，以及保持柵極金屬電阻的情況下，提高填充柵極金屬的效率，提高填充的柵極金屬的均勻性，避免柵極金屬發生缺失，與現有技術相兼容，進而提高了柵極金屬的優良率。
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1.一種柵極金屬填充方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的柵極金屬填充方法，其特征在于，所述對所述待刻蝕膜層進行刻蝕，以在設有所述柵極金屬填充區域的基體與所述剩余側墻間，組成的高度差臺階處，形成膜層斜坡，作為已成型柵極金屬的器件，包括：
3.根據權利要求1所述的柵極金屬填充方法，其特征在于，所述對所述待刻蝕膜層進行刻蝕，以在設有所述柵極金屬填充區域的基體與所述剩余側墻間，組成的高度差臺階處，形成膜層斜坡，作為已成型柵極金屬的器件，包括：
4.根據權利要求3所述的柵極金屬填充方法，其特征在于，刻蝕所述待刻蝕膜層至露出所述剩余偽多晶硅，并形成所述膜層斜坡，作為所述已成型柵極金屬的器件，包括：
5.根據權利要求3所述的柵極金屬填充方法，其特征在于，刻蝕所述待刻蝕膜層至露出所述剩余偽多晶硅，并形成所述膜層斜坡，作為所述已成型柵極金屬的器件，包括：
6.根據權利要求1所述的柵極金屬填充方法，其特征在于，所述在柵極金屬填充區域填充有偽多晶硅的器件中，刻蝕預設高度的所述偽多晶硅和預設高度的側墻至平齊，以使剩余偽多晶硅和剩余
7.根據權利要求6所述的柵極金屬填充方法，其特征在于，所述在所述柵極金屬填充區域填充有所述偽多晶硅的器件中，刻蝕預設高度的所述側墻，以使所述剩余側墻的高度小于所述柵極金屬填充區域的高度，作為待刻蝕器件，包括：
8.根據權利要求1所述的柵極金屬填充方法，其特征在于，所述在所述待成型柵極金屬的器件中開設有所述柵極金屬填充區域的表面制備待刻蝕膜層，包括：
9.根據權利要求6所述的柵極金屬填充方法，其特征在于，所述在所述柵極金屬填充區域填充有所述偽多晶硅的器件中，刻蝕預設高度的所述側墻，以使所述剩余側墻的高度小于所述柵極金屬填充區域的高度，作為待刻蝕器件，包括：
10.根據權利要求1所述的柵極金屬填充方法，其特征在于，依次在所述漏斗狀柵極金屬填充區域填充柵極金屬介質和柵極金屬，完成柵極金屬的填充之后，還包括：
...【技術特征摘要】
1.一種柵極金屬填充方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的柵極金屬填充方法，其特征在于，所述對所述待刻蝕膜層進行刻蝕，以在設有所述柵極金屬填充區域的基體與所述剩余側墻間，組成的高度差臺階處，形成膜層斜坡，作為已成型柵極金屬的器件，包括：
3.根據權利要求1所述的柵極金屬填充方法，其特征在于，所述對所述待刻蝕膜層進行刻蝕，以在設有所述柵極金屬填充區域的基體與所述剩余側墻間，組成的高度差臺階處，形成膜層斜坡，作為已成型柵極金屬的器件，包括：
4.根據權利要求3所述的柵極金屬填充方法，其特征在于，刻蝕所述待刻蝕膜層至露出所述剩余偽多晶硅，并形成所述膜層斜坡，作為所述已成型柵極金屬的器件，包括：
5.根據權利要求3所述的柵極金屬填充方法，其特征在于，刻蝕所述待刻蝕膜層至露出所述剩余偽多晶硅，并形成所述膜層斜坡，作為所述已成型柵極金屬的器件，包括：
6.根據權利要求1所述的柵極金屬填充方法，其特征在于，所述在柵極金屬填充區域填充有偽多晶硅的...
【專利技術屬性】
技術研發人員：張海良，柳會雄，陳武佳，呂歡，李光煜，
申請(專利權)人：上海集成電路裝備材料產業創新中心有限公司，
類型：發明
國別省市：
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