【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及光電耦合器，尤其涉及一種光電耦合器的引線框架、疊合結構及光電耦合器。
技術介紹
1、光電耦合器作為一種電-光-電轉換隔離的安全器件，有著廣泛的市場應用領域和環境。通常，光電耦合器包含發光芯片與感光芯片，發光芯片與感光芯片被封裝膠包覆在同一封裝體內。當在光電耦合器的輸入端施加輸入電流信號時，發光芯片會發出光線，感光芯片接收到光線之后產生感應電流，從而實現了光電信號之間轉換。
2、常見的光電耦合器的類型包括晶體管光電耦合器、可控硅光電耦合器、光繼電器等，不同的光電耦合器類型結構，由于其內部的電氣原理以及電氣連接方式的不同，需要采用不同結構的引線框架進行封裝，而不同結構的引線框架對應的工夾具、載具、模具種類較多，導致重新設計與開模的費用較大，造成材料及制造成本的浪費。
技術實現思路
1、本專利技術的目的在于克服現有技術的不足，本專利技術提供了一種光電耦合器的引線框架、疊合結構及光電耦合器，引線框架的框架單元采用呈品字型的三個基島，可根據實際需求適配不同類型的光電耦合器，無需重新開模，降低制造成本。
2、本專利技術提供了一種光電耦合器的引線框架，所述光電耦合器的引線框架包括第一引線支架和第二引線支架，所述第一引線支架和第二引線支架之間設置有若干條相互平行的連接條，任意一條所述連接條上設置有若干個框架單元，任意一個所述框架單元包括功能區，所述功能區包括第一基島、第二基島、第三基島、第一連接橋、第二連接橋和第三連接橋，所述第一基島連接所述第一連接橋的一端，
3、進一步的，所述第一基島貼近所述連接條，所述第二基島位于所述第一基島的遠離所述連接條一側的側上方，所述第三基島位于所述第一基島的遠離所述連接條一側的側下方，所述第二基島、第三基島、第二連接橋、第三連接橋包圍所述第一基島和第一連接橋，所述第二基島和第三基島對稱設置。
4、進一步的，所述第一基島遠離所述連接條，所述第二基島位于所述第一基島的貼近所述連接條一側的側上方，所述第三基島位于所述第一基島的貼近所述連接條一側的側下方，所述第一連接橋夾在所述第二基島和第三基島之間，所述第二基島和第三基島對稱設置。
5、進一步的，任意一個基島上設置有用于放置光耦芯片的芯片粘結部，所述芯片粘結部為圓形凹槽或十字型凹槽。
6、進一步的，所述圓形凹槽或十字型凹槽的深度為0.05mm-0.2mm。
7、進一步的，所述圓形凹槽的直徑為0.8mm-2mm。
8、進一步的，所述十字型凹槽的十字邊長度為0.5mm-2mm。
9、進一步的，任意一個基島上除芯片粘結部外的區域上電鍍有高反射金屬層。
10、進一步的，任意兩個相鄰基島的最短間距為0.2mm-1mm。
11、進一步的，任意一條所述連接條包括第一連接筋、第二連接筋和第三連接筋，所述第一連接筋、第二連接筋和第三連接筋相互平行；
12、所述第一連接橋的另一端、所述第二連接橋的另一端、所述第三連接橋的另一端連接在所述第一連接筋上。
13、進一步的，所述框架單元還包括第一引腳和第二引腳，所述第一引腳和第二引腳垂直于所述連接條，所述第一引腳的一端、所述第二引腳的一端連接所述第一連接筋、功能區，所述第一引腳的另一端、所述第二引腳的另一端連接所述第三連接筋。
14、進一步的，所述第一引線支架和第二引線支架上設置有若干組對接凹口，每組對接凹口上下對稱。
15、進一步的，所述第一引線支架和第二引線支架上設置有若干個對接孔。
16、進一步的，所述連接條與所述第一引線支架、第二引線支架的連接處形成折彎。
17、進一步的，所述連接條與所述第一引線支架、第二引線支架的連接處形成的折彎角度為45°-90°，折彎高度為0.15mm-0.3mm。
18、進一步的，每個框架單元與每個框架單元所在的連接條的連接處形成折彎。
19、進一步的，所述框架單元與框架單元所在的連接條的連接處形成的折彎角度為45°-90°，折彎高度為0.4mm-0.8mm。
20、進一步的，所述光電耦合器的引線框架的材質為鋁、鐵、銅中的一種或多種合金。
21、本專利技術還提供了一種光電耦合器的引線框架的疊合結構，所述光電耦合器的引線框架的疊合結構包括第一引線框架和第二引線框架，所述第一引線框架和第二引線框架均為上述的光電耦合器的引線框架，所述第一引線框架和第二引線框架相互疊合，所述第一引線框架上設置的框架單元與所述第二引線框架上設置的框架單元一一對應疊合。
22、本專利技術還提供了一種光電耦合器，所述光電耦合器包括兩個相向設置的框架單元，若干個光耦芯片、鍵合線、封裝體，所述兩個框架單元均為上述的光電耦合器的引線框架中的框架單元，兩個框架單元的功能區相對設置，兩個框架單元的第一基島、第二基島、第三基島均相對設置，所述若干個光耦芯片、鍵合線設置在兩個框架單元上，所述封裝體將所述兩個框架單元的功能區、若干個光耦芯片、鍵合線一體封裝包覆，所述兩個框架單元的第一引腳和第二引腳伸出所述封裝體，朝所述封裝體外的同一側彎折。
23、本專利技術提供的光電耦合器的引線框架中，框架單元采用呈品字型排列的三個基島，可根據不同類型的光電耦合器對引線框架結構的實際需求，在不同基島上放置不同的光耦芯片，進行不同方式的加工，在切筋去廢時通過更換切筋刀具和位置實現不同效果，使其符合對應類型的光電耦合器的引線框架要求，無需重新進行開模，其工夾具、載具、模具均可共用，最大限度提升材料利用率，以及模具刀具壽命，有效降低成本，縮短產品開發周期和投入，保證產品可靠性，提高生產效率，具備更寬泛的應用前景。
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1.一種光電耦合器的引線框架，其特征在于，所述光電耦合器的引線框架包括第一引線支架和第二引線支架，所述第一引線支架和第二引線支架之間設置有若干條相互平行的連接條，任意一條所述連接條上設置有若干個框架單元，任意一個所述框架單元包括功能區，所述功能區包括第一基島、第二基島、第三基島、第一連接橋、第二連接橋和第三連接橋，所述第一基島連接所述第一連接橋的一端，所述第二基島連接所述第二連接橋的一端，所述第三基島連接所述第三連接橋的一端，所述第一連接橋的另一端、所述第二連接橋的另一端、所述第三連接橋的另一端連接所述連接條，所述第一基島、第二基島和第三基島呈品字型排列。
2.如權利要求1所述的光電耦合器的引線框架，其特征在于，所述第一基島貼近所述連接條，所述第二基島位于所述第一基島的遠離所述連接條一側的側上方，所述第三基島位于所述第一基島的遠離所述連接條一側的側下方，所述第二基島、第三基島、第二連接橋、第三連接橋包圍所述第一基島和第一連接橋，所述第二基島和第三基島對稱設置。
3.如權利要求1所述的光電耦合器的引線框架，其特征在于，所述第一基島遠離所述連接條，所述第二基島
4.如權利要求1所述的光電耦合器的引線框架，其特征在于，任意一個基島上設置有用于放置光耦芯片的芯片粘結部，所述芯片粘結部為圓形凹槽或十字型凹槽。
5.如權利要求4所述的光電耦合器的引線框架，其特征在于，所述圓形凹槽或十字型凹槽的深度為0.05mm-0.2mm。
6.如權利要求4所述的光電耦合器的引線框架，其特征在于，所述圓形凹槽的直徑為0.8mm-2mm。
7.如權利要求4所述的光電耦合器的引線框架，其特征在于，所述十字型凹槽的十字邊長度為0.5mm-2mm。
8.如權利要求4所述的光電耦合器的引線框架，其特征在于，任意一個基島上除芯片粘結部外的區域上電鍍有高反射金屬層。
9.如權利要求1所述的光電耦合器的引線框架，其特征在于，任意兩個相鄰基島的最短間距為0.2mm-1mm。
10.如權利要求1所述的光電耦合器的引線框架，其特征在于，任意一條所述連接條包括第一連接筋、第二連接筋和第三連接筋，所述第一連接筋、第二連接筋和第三連接筋相互平行；
11.如權利要求10所述的光電耦合器的引線框架，其特征在于，所述框架單元還包括第一引腳和第二引腳，所述第一引腳和第二引腳垂直于所述連接條，所述第一引腳的一端、所述第二引腳的一端連接所述第一連接筋、功能區，所述第一引腳的另一端、所述第二引腳的另一端連接所述第三連接筋。
12.如權利要求1所述的光電耦合器的引線框架，其特征在于，所述第一引線支架和第二引線支架上設置有若干組對接凹口，每組對接凹口上下對稱。
13.如權利要求1所述的光電耦合器的引線框架，其特征在于，所述第一引線支架和第二引線支架上設置有若干個對接孔。
14.如權利要求1所述的光電耦合器的引線框架，其特征在于，所述連接條與所述第一引線支架、第二引線支架的連接處形成折彎。
15.如權利要求14所述的光電耦合器的引線框架，其特征在于，所述連接條與所述第一引線支架、第二引線支架的連接處形成的折彎角度為45°-90°，折彎高度為0.15mm-0.3mm。
16.如權利要求1所述的光電耦合器的引線框架，其特征在于，每個框架單元與每個框架單元所在的連接條的連接處形成折彎。
17.如權利要求16所述的光電耦合器的引線框架，其特征在于，所述框架單元與框架單元所在的連接條的連接處形成的折彎角度為45°-90°，折彎高度為0.4mm-0.8mm。
18.如權利要求1所述的光電耦合器的引線框架，其特征在于，所述光電耦合器的引線框架的材質為鋁、鐵、銅中的一種或多種合金。
19.一種光電耦合器的引線框架的疊合結構，其特征在于，所述光電耦合器的引線框架的疊合結構包括第一引線框架和第二引線框架，所述第一引線框架和第二引線框架均為權利要求1-18任一項所述的光電耦合器的引線框架，所述第一引線框架和第二引線框架相互疊合，所述第一引線框架上設置的框架單元與所述第二引線框架上設置的框架單元一一對應疊合。
20.一種光電耦合器，其特征在于，所述光電耦合器包括兩個相向設置的框架單元，若干個光耦芯片、鍵合線、封裝體，所述兩個框架單元均為權利要求1-18任一項所述的光電耦合器的引線框架中的框架單元，兩個框架單元的功能區...
【技術特征摘要】
1.一種光電耦合器的引線框架，其特征在于，所述光電耦合器的引線框架包括第一引線支架和第二引線支架，所述第一引線支架和第二引線支架之間設置有若干條相互平行的連接條，任意一條所述連接條上設置有若干個框架單元，任意一個所述框架單元包括功能區，所述功能區包括第一基島、第二基島、第三基島、第一連接橋、第二連接橋和第三連接橋，所述第一基島連接所述第一連接橋的一端，所述第二基島連接所述第二連接橋的一端，所述第三基島連接所述第三連接橋的一端，所述第一連接橋的另一端、所述第二連接橋的另一端、所述第三連接橋的另一端連接所述連接條，所述第一基島、第二基島和第三基島呈品字型排列。
2.如權利要求1所述的光電耦合器的引線框架，其特征在于，所述第一基島貼近所述連接條，所述第二基島位于所述第一基島的遠離所述連接條一側的側上方，所述第三基島位于所述第一基島的遠離所述連接條一側的側下方，所述第二基島、第三基島、第二連接橋、第三連接橋包圍所述第一基島和第一連接橋，所述第二基島和第三基島對稱設置。
3.如權利要求1所述的光電耦合器的引線框架，其特征在于，所述第一基島遠離所述連接條，所述第二基島位于所述第一基島的貼近所述連接條一側的側上方，所述第三基島位于所述第一基島的貼近所述連接條一側的側下方，所述第一連接橋夾在所述第二基島和第三基島之間，所述第二基島和第三基島對稱設置。
4.如權利要求1所述的光電耦合器的引線框架，其特征在于，任意一個基島上設置有用于放置光耦芯片的芯片粘結部，所述芯片粘結部為圓形凹槽或十字型凹槽。
5.如權利要求4所述的光電耦合器的引線框架，其特征在于，所述圓形凹槽或十字型凹槽的深度為0.05mm-0.2mm。
6.如權利要求4所述的光電耦合器的引線框架，其特征在于，所述圓形凹槽的直徑為0.8mm-2mm。
7.如權利要求4所述的光電耦合器的引線框架，其特征在于，所述十字型凹槽的十字邊長度為0.5mm-2mm。
8.如權利要求4所述的光電耦合器的引線框架，其特征在于，任意一個基島上除芯片粘結部外的區域上電鍍有高反射金屬層。
9.如權利要求1所述的光電耦合器的引線框架，其特征在于，任意兩個相鄰基島的最短間距為0.2mm-1mm。
10.如權利要求1所述的光電耦合器的引線框架，其特征在于，任意一條所述連接條包括第一連接筋、第二連接筋和第三連接筋，所述第一連接筋、第二連接筋和第三連接筋相互平行；
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【專利技術屬性】
技術研發人員：喻曉鵬，朱明軍，李玉容，雷國文，麥家兒，張廣添，鐘詩琴，楊璐，李丹偉，
申請(專利權)人：佛山市國星光電股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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