【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體，特別是涉及一種光源掩膜協(xié)同優(yōu)化iro模型的確定方法、裝置及設(shè)備。
技術(shù)介紹
1、隨著集成電路工藝的持續(xù)進(jìn)步，尤其是向更高集成度和更小工藝節(jié)點(diǎn)邁進(jìn)，光刻工藝作為核心環(huán)節(jié)，其精度與效率成為制約芯片性能提升的關(guān)鍵因素。現(xiàn)有的光源掩膜協(xié)同優(yōu)化(illumination?and?reticle?optimization，iro)模型，在應(yīng)對(duì)這些日益復(fù)雜的制造工藝時(shí)，其局限性逐漸變得明顯。特別是對(duì)于涉及復(fù)雜化學(xué)相互作用的制造工藝，如某些特殊顯影工藝，傳統(tǒng)基于簡(jiǎn)化光學(xué)模型的iro模型方法難以全面捕捉實(shí)際過程中的物理和化學(xué)變化，導(dǎo)致預(yù)測(cè)結(jié)果與實(shí)際光刻效果之間存在顯著偏差，從而使得現(xiàn)有的iro模型優(yōu)化準(zhǔn)確性較差。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本申請(qǐng)?zhí)峁┑囊环N光源掩膜協(xié)同優(yōu)化iro模型的確定方法、裝置及設(shè)備，能夠提高iro模型的優(yōu)化準(zhǔn)確性。
2、第一方面，本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種光源掩膜協(xié)同優(yōu)化iro模型的確定方法，方法包括：
3、將預(yù)獲取的測(cè)試圖形輸入至初始iro模型中，得到初始設(shè)計(jì)版圖對(duì)應(yīng)的初始光源，測(cè)試圖形包括初始設(shè)計(jì)版圖中的關(guān)鍵圖形；
4、根據(jù)初始光源，使用目標(biāo)光刻膠對(duì)測(cè)試掩膜版進(jìn)行光刻，得到實(shí)際曝光能量矩陣fem數(shù)據(jù)和位于測(cè)試掩膜版關(guān)鍵位置處的目標(biāo)光刻膠的實(shí)際截面數(shù)據(jù)，測(cè)試掩膜版根據(jù)測(cè)試圖形確定；
5、根據(jù)實(shí)際fem數(shù)據(jù)和實(shí)際截面數(shù)據(jù)，確定光刻膠模型；
6、基于光刻膠模型，對(duì)初始iro模型進(jìn)行優(yōu)化，得到目標(biāo)iro模型。
<...【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種光源掩膜協(xié)同優(yōu)化IRO模型的確定方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述初始光源，使用目標(biāo)光刻膠對(duì)測(cè)試掩膜版進(jìn)行光刻，得到實(shí)際曝光能量矩陣FEM數(shù)據(jù)和位于所述測(cè)試掩膜版關(guān)鍵位置處的目標(biāo)光刻膠的實(shí)際截面數(shù)據(jù)，包括：
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述實(shí)際FEM數(shù)據(jù)和所述實(shí)際截面數(shù)據(jù)，確定光刻膠模型，包括：
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述將所述初始光源、所述初始設(shè)計(jì)版圖的曝光信息、所述初始設(shè)計(jì)版圖中每個(gè)薄膜層的材料信息、所述測(cè)試掩膜版的掩膜信息、所述實(shí)際FEM數(shù)據(jù)和所述實(shí)際截面數(shù)據(jù)輸入至預(yù)設(shè)仿真工具中，通過所述預(yù)設(shè)仿真工具對(duì)光刻過程進(jìn)行仿真，得到所述目標(biāo)光刻膠的物理參數(shù)，包括：
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述光刻膠模型，對(duì)所述初始IRO模型進(jìn)行優(yōu)化，得到目標(biāo)IRO模型之后還包括：
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述目標(biāo)IRO模型，對(duì)所述初始設(shè)計(jì)版圖進(jìn)行優(yōu)化，得到所述初始設(shè)計(jì)版圖對(duì)應(yīng)的目標(biāo)工藝
7.一種光源掩膜協(xié)同優(yōu)化IRO模型的確定裝置，其特征在于，所述裝置包括：
8.一種電子設(shè)備，其特征在于，所述設(shè)備包括：處理器以及存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序指令的存儲(chǔ)器；
9.一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，其特征在于，所述計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)上存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序指令，所述計(jì)算機(jī)程序指令被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)如權(quán)利要求1-6任意一項(xiàng)所述的光源掩膜協(xié)同優(yōu)化IRO模型的確定方法。
10.一種計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，其特征在于，所述計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品中的指令由電子設(shè)備的處理器執(zhí)行時(shí)，使得所述電子設(shè)備執(zhí)行如權(quán)利要求1-6任意一項(xiàng)所述的光源掩膜協(xié)同優(yōu)化IRO模型的確定方法。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種光源掩膜協(xié)同優(yōu)化iro模型的確定方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述初始光源，使用目標(biāo)光刻膠對(duì)測(cè)試掩膜版進(jìn)行光刻，得到實(shí)際曝光能量矩陣fem數(shù)據(jù)和位于所述測(cè)試掩膜版關(guān)鍵位置處的目標(biāo)光刻膠的實(shí)際截面數(shù)據(jù)，包括：
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述實(shí)際fem數(shù)據(jù)和所述實(shí)際截面數(shù)據(jù)，確定光刻膠模型，包括：
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述將所述初始光源、所述初始設(shè)計(jì)版圖的曝光信息、所述初始設(shè)計(jì)版圖中每個(gè)薄膜層的材料信息、所述測(cè)試掩膜版的掩膜信息、所述實(shí)際fem數(shù)據(jù)和所述實(shí)際截面數(shù)據(jù)輸入至預(yù)設(shè)仿真工具中，通過所述預(yù)設(shè)仿真工具對(duì)光刻過程進(jìn)行仿真，得到所述目標(biāo)光刻膠的物理參數(shù)，包括：
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述光刻膠模型，對(duì)所述...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：陳孔杰，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：深圳晶源信息技術(shù)有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：
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