【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本申請(qǐng)涉及光伏，特別是涉及一種太陽(yáng)電池、太陽(yáng)電池的制備方法以及光伏組件。
技術(shù)介紹
1、bc電池，指的是背接觸（back?contact）電池，是一種用于提高太陽(yáng)能電池效率的先進(jìn)設(shè)計(jì)，其核心設(shè)計(jì)理念在于將電池的所有金屬電極放置在電池片的背光面，從而保證電池的向光面不受任何金屬柵線遮擋，進(jìn)而最大化電池吸收太陽(yáng)光的面積，減少光學(xué)損失，提升光電轉(zhuǎn)換效率。傳統(tǒng)技術(shù)中采用高純氮化硅疊層膜作為鈍化層，由于背接觸電池中p端和n端均在電池的背光面，因此需要進(jìn)一步提高背面鈍化性能。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、基于此，本申請(qǐng)一實(shí)施例提供了一種鈍化性能好且光電轉(zhuǎn)化效率高的太陽(yáng)電池、太陽(yáng)電池的制備方法以及光伏組件。
2、第一方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N太陽(yáng)電池，所述太陽(yáng)電池包括：
3、基底，所述基底包括沿厚度方向相對(duì)設(shè)置的向光面和背光面。
4、鈍化層，所述鈍化層設(shè)置于所述基底的所述背光面上，所述鈍化層包括沿遠(yuǎn)離所述基底的方向依次層疊設(shè)置的至少兩層氮化硅層、氮氧化硅層和氧化硅層；各所述氮化硅層的折射率沿遠(yuǎn)離所述基底的方向依次增大。
5、在一些實(shí)施方式中，所述鈍化層包括沿遠(yuǎn)離所述基底的方向依次層疊設(shè)置的第一氮化硅層、第二氮化硅層、第三氮化硅層和第四氮化硅層。
6、可選地，所述第一氮化硅層的厚度為15nm~25nm，所述第一氮化硅層的折射率為1.90~1.95。
7、可選地，所述第二氮化硅層的厚度為20nm~30nm，所述第二氮化硅層的折射率為1.95~
8、可選地，所述第三氮化硅層的厚度為25nm~35nm，所述第三氮化硅層的折射率為2.00~2.05。
9、可選地，所述第四氮化硅層的厚度為35nm~45nm，所述第四氮化硅層的折射率為2.05~2.10。
10、在一些實(shí)施方式中，所述氮氧化硅層的折射率大于各所述氮化硅層的總折射率。
11、可選地，各所述氮化硅層的總折射率為2.1~2.17。
12、在一些實(shí)施方式中，所述鈍化層包括至少兩層所述氮氧化硅層；各所述氮氧化硅層的折射率沿遠(yuǎn)離所述基底的方向依次增大。
13、可選地，所述鈍化層包括沿遠(yuǎn)離所述基底的方向依次層疊設(shè)置的第一氮氧化硅層和第二氮氧化硅層。
14、進(jìn)一步可選地，所述第一氮氧化硅層的厚度為20nm~30nm，所述第一氮氧化硅層的折射率為2.04~2.08。
15、進(jìn)一步可選地，所述第二氮氧化硅層的厚度為25nm~35nm，所述第二氮氧化硅層的折射率為2.07~2.15。
16、第二方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N太陽(yáng)電池的制備方法，所述太陽(yáng)電池的制備方法包括：
17、提供基底，所述基底包括沿厚度方向相對(duì)設(shè)置的向光面和背光面；
18、在所述基底的背光面依次形成至少兩層氮化硅層、至少一層氮氧化硅層和氧化硅層，在所述基底的背光面得到鈍化層，其中，所述氮化硅層的折射率沿遠(yuǎn)離所述基底的方向依次增大。
19、在一些實(shí)施方式中，形成所述氧化硅層后，對(duì)所述基底進(jìn)行退火。
20、可選地，所述退火的溫度為550℃~600℃，時(shí)間為200s~300s。
21、在一些實(shí)施方式中，所述鈍化層包括沿遠(yuǎn)離所述基底方向依次形成的第一氮化硅層、第二氮化硅層、第三氮化硅層和第四氮化硅層。
22、可選地，采用化學(xué)氣相沉積法形成所述第一氮化硅層，其中，硅源的通入流量為2600sccm~2800sccm，氮源的通入流量為9000sccm~11000sccm，溫度為430℃~480℃，壓力為1500mtorr~1700mtorr，時(shí)間為50s~180s，功率為11000w~13000w，占空比為0.03~0.07。
23、可選地，采用化學(xué)氣相沉積法形成所述第二氮化硅層，其中，硅源的通入流量為2600sccm~2800sccm，氮源的通入流量為9000sccm~11000sccm，溫度為430℃~480℃，壓力為1500mtorr~1700mtorr，時(shí)間為100s~200s，功率為12000w~15000w，占空比為0.03~0.07。
24、可選地，采用化學(xué)氣相沉積法形成所述第三氮化硅層，其中，硅源的通入流量為1800sccm~2000sccm，氮源的通入流量為11000sccm~13000sccm，溫度為430℃~480℃，壓力為1600mtorr~1700mtorr，時(shí)間為180s~220s，功率為13000w~15000w，占空比為0.03~0.07。
25、可選地，采用化學(xué)氣相沉積法形成所述第四氮化硅層，其中，硅源的通入流量為1200sccm~1400sccm，氮源的通入流量為12000sccm~14000sccm，溫度為430℃~480℃，壓力為1600mtorr~1800mtorr，時(shí)間為300s~400s，功率為14000w~16000w，占空比為0.03~0.07。
26、在一些實(shí)施方式中，所述鈍化層包括沿遠(yuǎn)離所述基底的方向依次形成的第一氮氧化硅層和第二氮氧化硅層。
27、可選地，采用化學(xué)氣相沉積法形成所述第一氮氧化硅層，其中，硅源的通入流量為900sccm~1100sccm，氮源的通入流量為2000sccm~4000sccm，氧源的通入流量為6000sccm~8000sccm，溫度為430℃~480℃，壓力為1700mtorr~1800mtorr，時(shí)間為110s~160s，功率為14000w~16000w，占空比為0.03~0.05。
28、可選地，采用化學(xué)氣相沉積法形成所述第二氮氧化硅層，其中，硅源的通入流量為800sccm~1000sccm，氮源的通入流量為2000sccm~4000sccm，氧源的通入流量為8500sccm~9000sccm，溫度為430℃~480℃，壓力為1700mtorr~1800mtorr，時(shí)間為130s~230s，功率為14000w~16000w，占空比為0.03~0.05。
29、在一些實(shí)施方式中，采用化學(xué)氣相沉積法形成所述氧化硅層，其中，硅源的通入流量為1100sccm~1300sccm，氧源的通入流量為10000sccm~13000sccm，溫度為430℃~480℃，壓力為1700mtorr~1900mtorr，時(shí)間為80s~280s，功率為15000w~16000w，占空比為0.03~0.04。
30、第三方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N光伏組件，所述光伏組件包括如第一方面所述的太陽(yáng)電池和/或如第二方面所述的太陽(yáng)電池的制備方法制備得到的太陽(yáng)電池。
31、與傳統(tǒng)技術(shù)相比，本申請(qǐng)至少具有如下有益效果：
32、本申請(qǐng)?zhí)?yáng)電池背面中鈍化層采用氮化硅層、氮氧化硅層和氧化硅層的組合，并且采用折射率依次增加的多層氮化硅層，能夠增加鈍化層厚度，改善長(zhǎng)波響應(yīng)，有效降低光損失。此外還能夠增加氮化硅層中氫離子濃度，提高氫鈍化效果，協(xié)同配合提高太本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種太陽(yáng)電池，其特征在于，所述太陽(yáng)電池包括：
2.如權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)電池，其特征在于，所述鈍化層包括沿遠(yuǎn)離所述基底的方向依次層疊設(shè)置的第一氮化硅層、第二氮化硅層、第三氮化硅層和第四氮化硅層；
3.如權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)電池，其特征在于，所述氮氧化硅層的折射率大于各所述氮化硅層的總折射率；
4.如權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的太陽(yáng)電池，其特征在于，所述鈍化層包括至少兩層所述氮氧化硅層；各所述氮氧化硅層的折射率沿遠(yuǎn)離所述基底的方向依次增大；
5.一種太陽(yáng)電池的制備方法，其特征在于，所述太陽(yáng)電池的制備方法包括：
6.如權(quán)利要求5所述的太陽(yáng)電池的制備方法，其特征在于，形成所述氧化硅層后，對(duì)所述基底進(jìn)行退火；
7.如權(quán)利要求5所述的太陽(yáng)電池的制備方法，其特征在于，所述鈍化層包括沿遠(yuǎn)離所述基底方向依次形成的第一氮化硅層、第二氮化硅層、第三氮化硅層和第四氮化硅層；
8.如權(quán)利要求5所述的太陽(yáng)電池的制備方法，其特征在于，所述鈍化層包括沿遠(yuǎn)離所述基底的方向依次形成的第一氮氧化硅層和第二氮氧化硅層；
10.一種光伏組件，其特征在于，所述光伏組件包括權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的太陽(yáng)電池和/或權(quán)利要求5~7任一項(xiàng)所述的太陽(yáng)電池的制備方法制備得到的太陽(yáng)電池。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種太陽(yáng)電池，其特征在于，所述太陽(yáng)電池包括：
2.如權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)電池，其特征在于，所述鈍化層包括沿遠(yuǎn)離所述基底的方向依次層疊設(shè)置的第一氮化硅層、第二氮化硅層、第三氮化硅層和第四氮化硅層；
3.如權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)電池，其特征在于，所述氮氧化硅層的折射率大于各所述氮化硅層的總折射率；
4.如權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的太陽(yáng)電池，其特征在于，所述鈍化層包括至少兩層所述氮氧化硅層；各所述氮氧化硅層的折射率沿遠(yuǎn)離所述基底的方向依次增大；
5.一種太陽(yáng)電池的制備方法，其特征在于，所述太陽(yáng)電池的制備方法包括：
6.如權(quán)利要求5所述的太陽(yáng)電池的制備方法，其特征在于，形成所述氧化硅層后，對(duì)所述基底進(jìn)行退火；
7.如權(quán)利要求5所述的太陽(yáng)電池的制備方法，其特征在于，所述鈍化層包括沿遠(yuǎn)離所述基底...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：梁敏，歐文凱，張東威，申品文，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：江門普樂(lè)開(kāi)瑞太陽(yáng)能科技有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：
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