【技術實現步驟摘要】
本技術涉及半導體封裝的，尤其涉及一種to-252引線框架、封裝結構及引線框架條帶。
技術介紹
1、半導體功率器件是依托半導體材料特性，利用控制輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種半導體器件。to-252引線框架是一種用于封裝電子元件的結構，主要用于封裝高頻、低壓、整流二極管、續流二極管、保護二極管等器件，其設計特點包括散熱片、應力釋放孔和應力釋放燕尾槽等結構，這些設計能夠增強塑封料與框架的結合力，減少塑料收縮時的變形量，降低芯片受到的應力彎曲及橫向剪切力，從而提高了器件的可靠性和使用壽命。
2、現有的to-252系列產品由于封裝外形尺寸限制，一般只封裝一顆半導體芯片，具有柵極（g）、源極（s）和漏極（d）三個電極，封裝器件的功能單一，無集成驅動、控制及保護電路，如果要實現產品功能，則需要在pcb電路板上設置驅動、控制電路器件來與封裝器件配合使用。
技術實現思路
1、本技術提供一種to-252引線框架、封裝結構及引線框架條帶，解決了現有的封裝器件功能單一以及集成度低的問題。
2、為達到上述目的，本技術采用如下技術方案：
3、第一方面，本技術提供一種to-252引線框架，包括：框架載體、半導體功率芯片、集成控制芯片、散熱片、焊線以及多個連接引腳；
4、所述散熱片和多個所述連接引腳相對設置在所述框架載體的兩側，且所述散熱片與所述框架載體直接接觸，多個所述連接引腳與所述框架載體之間設有連接間隙；
5、所述框架載體的工作面設有
6、所述集成控制芯片、所述網格線鍍銀區域、所述半導體功率芯片以及所述連接引腳之間通過所述焊線相互連接。
7、在一種可能的實現方式中，還包括粘片膠水層，所述粘片膠水層設置在所述半導體功率芯片與所述框架載體、以及所述集成控制芯片與所述框架載體之間。
8、在一種可能的實現方式中，所述半導體功率芯片為氮化鎵半導體功率芯片。
9、在一種可能的實現方式中，所述網格線鍍銀區域包括第一鍍銀區域和第二鍍銀區域；
10、所述第一鍍銀區域設置在所述框架載體的工作面上靠近所述散熱片的一側；所述第二鍍銀區域設置在所述框架載體的工作面上靠近多個所述引腳的一側。
11、在一種可能的實現方式中，所述半導體功率芯片和所述集成控制芯片依次排列在所述框架載體的工作面上，且所述半導體功率芯片和所述集成控制芯片位于所述第一鍍銀區域和所述第二鍍銀區域之間。
12、第二方面，本技術提供一種to-252封裝結構，包括上述任一項所述的to-252引線框架，還包括塑封體；
13、所述塑封體包裹在所述to-252引線框架的框架載體的外部，且所述to-252引線框架的散熱片遠離所述框架載體的一端裸露在所述塑封體外部，所述to-252引線框架的多個連接引腳遠離所述框架載體的一端裸露在所述塑封體外部。
14、在一種可能的實現方式中，所述塑封體外部未設置所述散熱片和所述連接引腳的兩側相對開設有缺口。
15、第三方面，本技術提供一種to-252引線框架條帶，包括上述任一項所述的to-252引線框架，還包括連接筋；
16、所述to-252引線框架為多個，多個所述to-252引線框架呈陣列排布，并通過所述連接筋連接。
17、在一種可能的實現方式中，所述連接筋包括互相平行設置的頂邊連筋、中筋、底邊連筋以及橫筋，還包括與所述頂邊連筋垂直設置的豎筋；
18、所述頂邊連筋與所述中筋之間設有第一裝載部，所述中筋與所述底邊連筋之間設有第二裝載部；所述第一裝載部和所述第二裝載部均包括鏡像對稱設置的第一排引線框架和第二排引線框架，所述第一排引線框架和所述第二排引線框架均包括多個間隔設置的所述to-252引線框架；
19、所述第一排引線框架和所述第二排引線框架之間通過所述橫筋連接；
20、所述頂邊連筋、所述中筋、所述底邊連筋之間通過所述豎筋連接。
21、在一種可能的實現方式中，所述頂邊連筋、所述第一裝載部、所述中筋、所述第二裝載部以及所述底邊連筋之間呈階梯狀依次連接，且所述頂邊連筋、所述中筋和所述底邊連筋位于同一平面，所述第一裝載部和所述第二裝載部位于另一平面。
22、本技術實施例提供的to-252引線框架，將半導體功率芯片和集成控制芯片集成在同一個引線框架內，即在同一個半導體封裝器件內對半導體功率芯片集成驅動、控制和保護電路，從而提高封裝器件的封裝集成度，增加封裝器件的能實現的功能，使得半導體控制系統設計更為簡單、設計進展更快速，封裝后的產品尺寸更小巧，提高系統級封裝成本和封裝體積。
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1.一種TO-252引線框架，其特征在于，包括：框架載體（11）、半導體功率芯片（12）、集成控制芯片（13）、散熱片（14）、焊線（15）以及多個連接引腳（16）；
2.根據權利要求1所述的TO-252引線框架，其特征在于，還包括粘片膠水層（18），所述粘片膠水層（18）設置在所述半導體功率芯片（12）與所述框架載體（11）、以及所述集成控制芯片（13）與所述框架載體（11）之間。
3.根據權利要求1所述的TO-252引線框架，其特征在于，所述半導體功率芯片（12）為氮化鎵半導體功率芯片。
4.根據權利要求1所述的TO-252引線框架，其特征在于，所述網格線鍍銀區域（17）包括第一鍍銀區域和第二鍍銀區域；
5.根據權利要求4所述的TO-252引線框架，其特征在于，所述半導體功率芯片（12）和所述集成控制芯片（13）依次排列在所述框架載體（11）的工作面上，且所述半導體功率芯片（12）和所述集成控制芯片（13）位于所述第一鍍銀區域和所述第二鍍銀區域之間。
6.一種TO-252封裝結構，其特征在于，包括權利要求1~5中任一
7.根據權利要求6所述的TO-252封裝結構，其特征在于，所述塑封體（21）外部未設置所述散熱片（14）和所述連接引腳（16）的兩側相對開設有缺口（22）。
8.一種TO-252引線框架條帶，其特征在于，包括權利要求1~5中任一項所述的TO-252引線框架（1），還包括連接筋；
9.根據權利要求8所述的TO-252引線框架條帶，其特征在于，所述連接筋包括互相平行設置的頂邊連筋（31）、中筋（32）、底邊連筋（33）以及橫筋（34），還包括與所述頂邊連筋（31）垂直設置的豎筋（35）；
10.根據權利要求9所述的TO-252引線框架條帶，其特征在于，所述頂邊連筋（31）、所述第一裝載部（36）、所述中筋（32）、所述第二裝載部（37）以及所述底邊連筋（33）之間呈階梯狀依次連接，且所述頂邊連筋（31）、所述中筋（32）和所述底邊連筋（33）位于同一平面，所述第一裝載部（36）和所述第二裝載部（37）位于另一平面。
...【技術特征摘要】
1.一種to-252引線框架，其特征在于，包括：框架載體（11）、半導體功率芯片（12）、集成控制芯片（13）、散熱片（14）、焊線（15）以及多個連接引腳（16）；
2.根據權利要求1所述的to-252引線框架，其特征在于，還包括粘片膠水層（18），所述粘片膠水層（18）設置在所述半導體功率芯片（12）與所述框架載體（11）、以及所述集成控制芯片（13）與所述框架載體（11）之間。
3.根據權利要求1所述的to-252引線框架，其特征在于，所述半導體功率芯片（12）為氮化鎵半導體功率芯片。
4.根據權利要求1所述的to-252引線框架，其特征在于，所述網格線鍍銀區域（17）包括第一鍍銀區域和第二鍍銀區域；
5.根據權利要求4所述的to-252引線框架，其特征在于，所述半導體功率芯片（12）和所述集成控制芯片（13）依次排列在所述框架載體（11）的工作面上，且所述半導體功率芯片（12）和所述集成控制芯片（13）位于所述第一鍍銀區域和所述第二鍍銀區域之間。
6.一種to-252封裝結構，其特...
【專利技術屬性】
技術研發人員：張濤，韓萌，萬強強，陳安強，崔彥珍，
申請(專利權)人：華羿微電子股份有限公司，
類型：新型
國別省市：
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