【技術實現步驟摘要】
本申請涉及半導體芯片封裝領域，特別涉及一種通孔互連結構及其制備方法。
技術介紹
1、玻璃通孔（?through?glass?via?，tgv）互連技術具有高頻電學特性優異、成本低、工藝流程簡單、機械穩定性強等應用優勢，因而，廣泛應用于射頻器件、微機電系統(micro-electro-mechanical?systems，mems)封裝、光電系統集成等領域。
2、相關技術中，通孔互連結構的制備方法存在不足。
技術實現思路
1、本申請實施例提供一種通孔互連結構及其制備方法，旨在降低通孔互連結構的制備難度以及提高通孔互連結構的可靠性。
2、本申請第一方面的實施例提供了一種通孔互連結構的制備方法，通孔互連結構的制備方法包括以下步驟：在基板內形成多個盲孔，基板具有相背的正面和背面，各盲孔自正面向背面延伸；在正面制備多個導電部，各導電部包括相互連接的導電柱和第一信號線，導電柱填充盲孔，第一信號線形成于正面；使用第一蝕刻劑對基板進行第一次蝕刻，以使基板減薄至背面與導電柱之間具有預設間距；使用第二蝕刻劑對基板進行第二次蝕刻，以使基板減薄至導電柱凸出于背面，第二蝕刻劑對基板的蝕刻速率小于第一蝕刻劑對基板的蝕刻速率，且在基板和導電柱中，第二蝕刻劑選擇性蝕刻基板；在背面所在側制備多個第二信號線，各第二信號線和各導電柱連接。
3、根據本申請第一方面前述任一實施方式，制備方法滿足以下條件中的至少一種：基板為玻璃基板；第一蝕刻劑對基板的蝕刻速率與第二蝕刻劑對基板的蝕刻速率的
4、根據本申請第一方面前述任一實施方式，制備方法滿足以下條件中的至少一種：預設間距為0~10μm；盲孔的深度為0~200μm；在使用第一蝕刻劑對所述基板進行第一次蝕刻的步驟之前，基板的厚度不小于500μm。
5、根據本申請第一方面前述任一實施方式，導電柱包括覆蓋盲孔內壁的內壁種子層及設于內壁種子層上的導電芯；第一信號線包括設于正面的種子層島及設于種子層島上的第一走線；其中，內壁種子層與種子層島為一體結構，導電芯和第一走線為一體結構。
6、根據本申請第一方面前述任一實施方式，第一走線的厚度為0~5μm。
7、根據本申請第一方面前述任一實施方式，在正面制備多個導電部的步驟包括：在正面沉積種子材料，以形成覆蓋盲孔內壁的內壁種子層以及覆蓋正面的種子層；在種子層上制備圖案化的第一圖案層，第一圖案層具有多個第一待沉積孔，各第一待沉積孔使各盲孔暴露以及使種子層暴露形成第一沉積區；在第一待沉積孔沉積金屬材料，以在內壁種子層上形成導電芯以及在第一沉積區上形成第一走線；剝離第一圖案層，以使種子層暴露形成多個待蝕刻區；蝕刻待蝕刻區，以使種子層圖案化而形成多個種子層島。
8、根據本申請第一方面前述任一實施方式，制備方法滿足以下條件中的至少一種：各第一沉積區環繞各盲孔設置；在第一待沉積孔沉積金屬材料的步驟中，采用電鍍工藝進行沉積；第一走線的厚度為0~5μm。
9、根據本申請第一方面前述任一實施方式，第一走線在基板上的正投影不超出內壁種子層和種子層島構成的一體結構在基板上的正投影范圍。
10、根據本申請第一方面前述任一實施方式，第一走線在基板上的正投影與內壁種子層和種子層島構成的一體結構在基板上的正投影重合。
11、根據本申請第一方面前述任一實施方式，在使用第二蝕刻劑對基板進行第二次蝕刻的步驟之后，且在背面所在側制備多個第二信號線的步驟之前，制備方法還包括：在背面制備介質層，介質層覆蓋背面和導電柱；對介質層進行減薄處理，以使導電柱外露。
12、根據本申請第一方面前述任一實施方式，在對介質層進行減薄處理的步驟中，對介質層進行研磨減薄處理。
13、根據本申請第一方面前述任一實施方式，介質層減薄至導電柱被研磨減薄處理。
14、根據本申請第一方面前述任一實施方式，在背面所在側制備多個第二信號線的步驟包括：在介質層上形成圖案化的第二圖案層，第二圖案層具有多個第二待沉積孔，各第二待沉積孔使各導電柱暴露以及使介質層暴露形成第二沉積區；在第二待沉積孔沉積金屬材料，以在第二沉積區上形成多個第二信號線。
15、根據本申請第一方面前述任一實施方式，各第二沉積區環繞各導電柱設置；或/和，在第二待沉積孔沉積金屬材料的步驟之后，在背面所在側制備多個第二信號線的步驟還包括：剝離第二圖案層。
16、根據本申請第一方面前述任一實施方式，在使用第一蝕刻劑對基板進行第一次蝕刻的步驟前，制備方法還包括：貼附保護膜，保護膜覆蓋多個導電部。
17、根據本申請第一方面前述任一實施方式，在使用第二蝕刻劑對基板進行第二次蝕刻的步驟后，且在背面制備介質層的步驟前，制備方法還包括：除去保護膜，并將正面與載板臨時鍵合。
18、根據本申請第一方面前述任一實施方式，在第二待沉積孔沉積金屬材料的步驟之后，制備方法還包括：將正面與載板解鍵合。
19、本申請第二方面還提供一種通孔互連結構，采用上述任一第一方面實施例的通孔互連結構的制備方法制備而成。
20、在本申請的通孔互連結構的制備方法中，通過在形成有多個盲孔的基板的正面制備多個導電部，因而可以選擇厚度較大的基板以提高基板的機械強度，從而可以降低工藝制程中基板破片的風險；而且相較于通孔雙面沉積工藝，盲孔沉積工藝可以將形成于正面上的金屬層厚度可以控制在直接作為正面走線的厚度范圍內，因而正面走線和盲孔的填充可以同步制作，從而減少工藝步驟。同時，對基板進行蝕刻以使基板減薄至導電柱凸出于背面的制程中，采用第一蝕刻劑和第二蝕刻劑分步對基板進行蝕刻，分步蝕刻制程不僅工藝可靠性高，而且對孔內導電柱的損害小。因而，本申請通過盲孔工藝和分步刻蝕減薄露導電柱的工藝相結合制備通孔互連結構的制備方法，不僅可以降低通孔互連結構的制備難度，而且可以提高通孔互連結構的可靠性。
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1.一種通孔互連結構的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.根據權利要求1所述的通孔互連結構的制備方法，其特征在于，所述制備方法滿足以下條件中的至少一種：
3.根據權利要求1所述的通孔互連結構的制備方法，其特征在于，所述制備方法滿足以下條件中的至少一種：
4.根據權利要求1所述的通孔互連結構的制備方法，其特征在于，
5.根據權利要求4所述的通孔互連結構的制備方法，其特征在于，所述第一走線的厚度為0~5μm。
6.根據權利要求1所述的通孔互連結構的制備方法，其特征在于，在所述正面制備多個導電部的步驟包括：
7.根據權利要求6所述的通孔互連結構的制備方法，其特征在于，所述制備方法滿足以下條件中的至少一種：
8.根據權利要求4-7任一項所述的通孔互連結構的制備方法，其特征在于，所述第一走線在所述基板上的正投影不超出所述內壁種子層和所述種子層島構成的一體結構在所述基板上的正投影范圍。
9.根據權利要求8所述的通孔互連結構的制備方法，其特征在于，所述第一走線在所述基板上的正投影與所述內壁種子
10.根據權利要求1所述的通孔互連結構的制備方法，其特征在于，在使用第二蝕刻劑對所述基板進行第二次蝕刻的步驟之后，且在所述背面所在側制備多個第二信號線的步驟之前，所述制備方法還包括：
11.根據權利要求10所述的通孔互連結構的制備方法，其特征在于，在對所述介質層進行減薄處理的步驟中，對所述介質層進行研磨減薄處理。
12.根據權利要求11所述的通孔互連結構的制備方法，其特征在于，所述介質層減薄至所述導電柱被研磨減薄處理。
13.根據權利要求10-12任一項所述的通孔互連結構的制備方法，其特征在于，在所述背面所在側制備多個第二信號線的步驟包括：
14.根據權利要求13所述的通孔互連結構的制備方法，其特征在于，各所述第二沉積區環繞各所述導電柱設置；或/和，
15.根據權利要求14所述的通孔互連結構的制備方法，其特征在于，在使用第一蝕刻劑對所述基板進行第一次蝕刻的步驟前，所述制備方法還包括：
16.根據權利要求15所述的通孔互連結構的制備方法，其特征在于，在使用第二蝕刻劑對所述基板進行第二次蝕刻的步驟后，且在所述背面制備介質層的步驟前，所述制備方法還包括：
17.根據權利要求16所述的通孔互連結構的制備方法，其特征在于，在所述第二待沉積孔沉積金屬材料的步驟之后，所述制備方法還包括：
18.一種通孔互連結構，其特征在于，采用如權利要求1-17任一所述的通孔互連結構的制備方法制備而成。
...【技術特征摘要】
1.一種通孔互連結構的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.根據權利要求1所述的通孔互連結構的制備方法，其特征在于，所述制備方法滿足以下條件中的至少一種：
3.根據權利要求1所述的通孔互連結構的制備方法，其特征在于，所述制備方法滿足以下條件中的至少一種：
4.根據權利要求1所述的通孔互連結構的制備方法，其特征在于，
5.根據權利要求4所述的通孔互連結構的制備方法，其特征在于，所述第一走線的厚度為0~5μm。
6.根據權利要求1所述的通孔互連結構的制備方法，其特征在于，在所述正面制備多個導電部的步驟包括：
7.根據權利要求6所述的通孔互連結構的制備方法，其特征在于，所述制備方法滿足以下條件中的至少一種：
8.根據權利要求4-7任一項所述的通孔互連結構的制備方法，其特征在于，所述第一走線在所述基板上的正投影不超出所述內壁種子層和所述種子層島構成的一體結構在所述基板上的正投影范圍。
9.根據權利要求8所述的通孔互連結構的制備方法，其特征在于，所述第一走線在所述基板上的正投影與所述內壁種子層和所述種子層島構成的一體結構在所述基板上的正投影重合。
10.根據權利要求1所述的通孔互連結構的制備方法，其特征在于，在使用第二蝕刻劑對所述基板進行第二次蝕刻的步驟之后...
【專利技術屬性】
技術研發人員：周衍旭，張文斌，呂奎，
申請(專利權)人：江蘇匯顯顯示技術有限公司，
類型：發明
國別省市：
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