【技術實現步驟摘要】
大體來說，本公開涉及用于實施半導體技術的方法、系統及設備，且更特定來說，涉及用于實施高電壓應用的場效晶體管的方法、系統及設備。
技術介紹
1、場效晶體管(fet)由于其有效控制電流流動的能力已在各種電子應用中得以廣泛利用。在fet中，橫向擴散的金屬氧化物半導體(ldmos)可用于高功率應用中，例如，用于無線電及無線通信系統的功率放大器、rf(射頻)放大器及功率晶體管中。
2、隨著對高功率應用的需求持續增加，研發持續推進ldmos技術，不僅滿足生產ldmos的鑄造廠的制造能力及容量，而且推進并增強使用ldmos晶體管的高功率應用。
技術實現思路
1、大體來說，本公開的技術涉及用于實施半導體技術的工具及技術，且更特定來說，涉及用于半導體裝置及/或半導體裝置處理過程的方法、系統及設備。
2、在一方面中，半導體裝置包含源極、漏極、第一柵極、第二柵極及溝道。所述第二柵極電耦合到所述第一柵極。所述第一柵極及所述第二柵極經配置以控制所述源極與所述漏極之間的電流。所述溝道電耦合到所述第一柵極及所述第二柵極。所述溝道經配置用于使所述電流流動穿過所述溝道。
3、在一些實施例中，所述半導體裝置進一步包括連接器，所述連接器直接定位在所述第一柵極及所述第二柵極上以將所述第一柵極物理地連接到所述第二柵極。
4、在一些實施例中，所述第一柵極沿從所述源極到所述漏極的方向的第一距離長于所述第二柵極沿從所述源極到所述漏極的所述方向的第二距離。
5、在一些實施
6、在一些實施例中，所述溝道包括第一溝道及第二溝道。所述第一溝道與所述第一柵極接觸，且所述第二溝道與所述第二柵極接觸。所述半導體裝置進一步包括定位在所述第一溝道與所述第二溝道之間的鰭狀部。
7、根據一些實施例，所述第一柵極定位在所述第一溝道上，且所述第二柵極定位在所述第二溝道上。
8、根據一些實施例，所述鰭狀部定位在所述第一柵極與所述第二柵極之間。
9、在一些實施例中，所述溝道由與所述第一柵極及所述第二柵極兩者接觸的單個溝道組成。
10、在一些實施例中，所述半導體裝置進一步包括第二溝道，所述溝道與所述第二溝道在所述源極與所述漏極之間的方向上相對于彼此平行地定位。
11、在一些實施例中，所述溝道包括：硅、硅–鍺或鍺。
12、在一些實施例中，所述源極包括第一鰭狀部，且所述漏極包括第二鰭狀部。
13、根據一些實施例，所述第一鰭狀部及所述第二鰭狀部包括原位磷或硼摻雜外延。
14、在一些實施例中，所述半導體裝置進一步包括襯底、定位在所述襯底上的第一阱及定位在所述襯底上的第二阱。所述源極定位在所述第一阱上。所述漏極定位在所述第二阱上，所述溝道定位在所述第一阱上。所述第一柵極定位在所述第一阱上。
15、根據一些實施例，所述第二柵極與所述溝道接觸，且所述第二柵極定位在所述第一阱或所述第二阱中的至少一者上方。
16、在另一方面中，一種用于處理半導體裝置的方法包括：在襯底上形成第一阱及第二阱；在所述第一阱及所述第二阱上形成溝道；形成第一柵極及第二柵極；及在所述第一阱上形成源極且在所述第二阱上形成漏極。所述第一柵極電耦合到所述第二柵極，且所述溝道與所述第一柵極及所述第二柵極接觸。
17、在一些實施例中，所述方法進一步包括：將連接器直接定位在所述第一柵極及所述第二柵極上以將所述第一柵極物理地連接到所述第二柵極。
18、在一些實施例中，所述溝道包括第一溝道及第二溝道。所述第一溝道與所述第一柵極接觸，且所述第二溝道與所述第二柵極接觸。所述方法定位在所述第一溝道與所述第二溝道之間的鰭狀部。
19、根據一些實施例，所述第一柵極定位在所述第一溝道上，且所述第二柵極定位在所述第二溝道上。
20、根據一些實施例，所述鰭狀部定位在所述第一柵極與所述第二柵極之間。
21、在又一方面中，半導體裝置包含源極、漏極、第一柵極、第二柵極、連接器及溝道。所述第一柵極及所述第二柵極經配置以控制所述源極與所述漏極之間的電流。所述連接器直接定位在所述第一柵極及所述第二柵極上以將所述第一柵極物理地連接到所述第二柵極。所述溝道電耦合到電耦合到所述第一柵極及所述第二柵極。所述溝道經配置用于使所述電流流動穿過所述溝道。
22、可在不背離本專利技術的范圍情況下，對所論述實施例作出各種修改及添加。舉例來說，雖然上文所描述的實施例提及特定特征，但本專利技術的范圍還包括具有不同的特征組合的實施例及不包括所有全部上文所描述特征的實施例。
23、在附圖及以下說明中陳述本公開的一或多個方面的細節。根據本說明書及圖式以及權利要求書，將明了本公開中所描述的技術的其它特征、目的及優勢。
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1.一種半導體裝置，其包括：
2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述第一柵極沿從所述源極到所述漏極的方向的第一距離長于所述第二柵極沿從所述源極到所述漏極的所述方向的第二距離。
3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述溝道通過與所述第二柵極接觸而電耦合到所述第二柵極。
4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述溝道包括第一溝道及第二溝道，
5.根據權利要求4所述的半導體裝置，其中所述第一柵極定位在所述第一溝道上，且
6.根據權利要求4所述的半導體裝置，其中所述鰭狀部定位在所述第一柵極與所述第二柵極之間。
7.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述溝道由與所述第一柵極及所述第二柵極兩者接觸的單個溝道組成。
8.根據權利要求1所述的半導體裝置，其進一步包括：
9.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述溝道包括：硅、硅–鍺或鍺。
10.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述源極包括第一鰭狀部，且
11.根據權利要求10所述的半導體裝置，其中所述第一鰭狀
12.根據權利要求1所述的半導體裝置，其進一步包括：
13.根據權利要求12所述的半導體裝置，其中所述第二柵極與所述溝道接觸，且
14.一種用于處理半導體裝置的方法，其包括：
15.根據權利要求14所述的方法，其中所述溝道包括第一溝道及第二溝道，
16.根據權利要求15所述的方法，其中所述第一柵極定位在所述第一溝道上，且
17.根據權利要求15所述的方法，其中所述鰭狀部定位在所述第一柵極與所述第二柵極之間。
18.一種半導體裝置，其包括：
19.根據權利要求18所述的半導體裝置，其中所述溝道包括第一溝道及第二溝道，
20.根據權利要求19所述的半導體裝置，其中所述鰭狀部定位在所述第一柵極與所述第二柵極之間。
...【技術特征摘要】
1.一種半導體裝置，其包括：
2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述第一柵極沿從所述源極到所述漏極的方向的第一距離長于所述第二柵極沿從所述源極到所述漏極的所述方向的第二距離。
3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述溝道通過與所述第二柵極接觸而電耦合到所述第二柵極。
4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述溝道包括第一溝道及第二溝道，
5.根據權利要求4所述的半導體裝置，其中所述第一柵極定位在所述第一溝道上，且
6.根據權利要求4所述的半導體裝置，其中所述鰭狀部定位在所述第一柵極與所述第二柵極之間。
7.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述溝道由與所述第一柵極及所述第二柵極兩者接觸的單個溝道組成。
8.根據權利要求1所述的半導體裝置，其進一步包括：
9.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述溝道包括：硅、硅–鍺或鍺。
10.根據權利要求1所述...
【專利技術屬性】
技術研發人員：劉清，
申請(專利權)人：安華高科技股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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