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    調光導電膜及其制備方法技術

    技術編號:44364185 閱讀:1 留言:0更新日期:2025-02-25 09:44
    本發明專利技術公開了一種調光導電膜及其制備方法。該調光導電膜包括基材層、低折射樹脂層、高折射樹脂層、氧化硅層、第一ITO層、第一AZO層、Ag合金層、金屬阻擋層和第二ITO層。基材層具有相對設置的低折預涂面和高折預涂面;低折射樹脂層涂布在低折預涂面上。高折射樹脂層涂布在高折預涂面上。氧化硅層磁控濺射在高折射樹脂層的表面。第一ITO層磁控濺射在氧化硅層的表面。第一AZO層磁控濺射在第一ITO層的表面。Ag合金層磁控濺射在第一AZO層的表面。金屬阻擋層磁控濺射在Ag合金層的表面。第二ITO層磁控濺射在金屬阻擋層的表面。該調光導電膜的Ag合金層更為均勻且不易氧化,耐候性得到提高,具有更好的耐熱性且成本更低。

    【技術實現步驟摘要】

    本專利技術屬于膜材,具體涉及一種調光導電膜及其制備方法


    技術介紹

    1、隨著汽車智能化、電動化的發展,不同場景下的智能配置體驗成為眾多消費者的主要關注點。全景隔熱變色天幕的紫外線的隔絕率達到90%以上,具有低熱輻射和低透明度的特性。同時,通過電致變色技術實現了天幕明暗可調。全景隔熱變色天幕能夠兼顧隔熱保溫和明暗可調。

    2、全景隔熱變色天幕采用三明治結構,上層鍍銀玻璃負責反射車外輻射,中間的電致變色層負責明暗可調,下層low-e鍍膜負責車內保溫。電致變色是指材料的光學屬性,如反射率、透過率、吸收率等,在外加電場的作用下可以發生穩定、可逆的顏色變化,在外觀上表現為透明度的可逆變化。全景隔熱變色天幕還有著小于1.5v的低工作電壓,相比其他材質45v-120v的電壓更加節能,也大幅提升了安全性。由于工作驅動電壓較小,所以對電致變色的電極需求也是要比較底的阻抗。為了有更好的體驗感對于透過狀態的外景顯示也是非常高,對材料的隔熱性能,霧度性能,透過率性能都要求比較高。

    3、現有的全景隔熱變色天幕中的導電調光膜要達到超低方阻,會出膜厚較大,霧度高,不隔熱的問題。需要在合片的膠水中或者玻璃上面做阻隔uv、ir的處理,制造成本非常高。現有調光導電膜中添加cu、al的金屬層的隔熱性能和耐環測性差。而添加ag的金屬層由于ag和ito層(粗糙度比較大)疊在一起會導致ag層不連續,影響產品的性能,耐環測差,霧度較高等。另外,現有的導電調光膜鍍膜過程中沒法控制ag層的氧化問題,會影響產品使用的穩定性。

    4、公開于該
    技術介紹
    部分的信息僅僅旨在增加對本專利技術的總體背景的理解,而不應當被視為承認或以任何形式暗示該信息構成已為本領域一般技術人員所公知的現有技術。


    技術實現思路

    1、本專利技術的目的在于提供一種調光導電膜,其ag合金層更為均勻且不易氧化,耐候性得到提高,具有更好的耐熱性且成本更低。

    2、為了實現上述目的,本專利技術一具體實施例提供的技術方案如下:一種調光導電膜,其包括:基材層、低折射樹脂層、高折射樹脂層、氧化硅層、第一ito層、第一azo層、ag合金層、金屬阻擋層和第二ito層。基材層具有相對設置的低折預涂面和高折預涂面;低折射樹脂層涂布在所述低折預涂面;高折射樹脂層涂布在所述高折預涂面;氧化硅層磁控濺射在所述高折射樹脂層的表面;第一ito層磁控濺射在所述氧化硅層的表面;第一azo層磁控濺射在所述第一ito層的表面;ag合金層磁控濺射在所述第一azo層的表面;金屬阻擋層磁控濺射在所述ag合金層的表面;第二ito層磁控濺射在所述阻擋層的表面。

    3、在本專利技術的一個或多個實施例中,所述低折射樹脂層的厚度介于0.8μm-1μm;和/或,所述低折射樹脂層的折射率介于1.5nd-1.55nd。

    4、在本專利技術的一個或多個實施例中,所述高折射樹脂層的厚度介于0.8μm-1.2μm;和/或,所述高折射樹脂層的折射率介于1.62nd-1.68nd;和/或,所述高折射樹脂層的粗糙度ra介于2nm-5nm。

    5、在本專利技術的一個或多個實施例中,所述氧化硅層的厚度介于15nm-20nm。

    6、在本專利技術的一個或多個實施例中,所述第一ito層的厚度介于30nm-40nm;和/或,所述第一ito層中氧化銦和氧化錫的質量比介于(90-95):(10-5);和/或,所述第一ito層的表面粗糙度ra介于2nm-5nm。

    7、在本專利技術的一個或多個實施例中,所述第一azo層的厚度介于10nm-20nm;和/或,所述第一azo層中氧化鋁與氧化鋅質量比介于(0-5):(100-95);和/或,所述第一azo層的表面粗糙度ra介于0.5nm-1.5nm。

    8、在本專利技術的一個或多個實施例中,所述ag合金層的厚度介于10nm-20nm;和/或,所述ag合金層選自ag、au、pd等貴金屬中的多種;和/或,所述ag合金層中ag的質量占所述ag合金層的總質量的95%-99%,其他金屬的質量占所述ag合金層的總質量的1%-5%。

    9、在本專利技術的一個或多個實施例中,所述金屬阻擋層選自azo層、sno層和zno中的一種;和/或,所述金屬阻擋層的厚度介于1nm-2nm。

    10、在本專利技術的一個或多個實施例中,所述第二ito層的厚度介于30nm-40nm;和/或,所述第二ito層中氧化銦和氧化錫的質量比介于(90-95):(10-5)。

    11、與現有技術相比,本專利技術的調光導電膜通過在第一ito層上增設第一azo層,使得第一ito層的表面更為光滑,使其可以作為ag合金層的種子層,從而使得ag合金層更為均勻,耐候性得到提高。同時,ag合金層的引入可以提高調光導電膜的隔熱性能,且工藝簡單,降低了制造成本。另外,控制第一ito層的表面粗糙度可以降低調光導電膜的霧度。金屬阻擋層可以避免ag合金層在使用過程中氧化從而提高其耐久性。該調光導電膜通過上述層結構的設置解決了現有技術中霧度高,方阻高的問題,并提高了ag合金層和ito層的耐久性,集隔熱、調光于一體,降低汽車天幕玻璃的制造成本。

    12、本專利技術另一具體實施例提供的技術方案如下:一種調光導電膜的制備方法,其包括:提供基材層,所述基材層具有相對設置的低折預涂面和高折預涂面;在所述低折預涂面涂布丙烯酸樹脂形成低折射樹脂層,在所述高折預涂面涂布丙烯酸樹脂形成高折射樹脂層;通入氧氣和氬氣,使用氬氣轟擊硅靶材在所述高折射樹脂層的表面磁控濺射形成氧化硅層;通入氧氣和氬氣,使用氬氣轟擊氧化銦錫靶材在所述氧化硅層的表面磁控濺射形成第一ito層;通入氧氣和氬氣,使用氬氣轟擊氧化鋅鋁靶材在所述第一ito層的表面磁控濺射形成第一azo層;在無氧環境下,使用氬氣轟擊ag合金靶材在所述第一azo層的表面磁控濺射形成ag合金層;在無氧環境下,使用氬氣轟擊金屬靶材在所述ag合金層的表面磁控濺射形成金屬阻擋層;通入氧氣和氬氣,使用氬氣轟擊氧化銦錫靶材在所述阻擋層的表面形成第二ito層。

    13、與現有技術相比,本專利技術的調光導電膜的制備方法,制備ag合金層時不需要通入氧氣,避免了濺射ag合金層的過程中發生氧化導致調光導電膜失效的問題出現。該制備方法通過先制備第一azo層提高了ag合金層以及ito層的附著力,提高了ito層的耐久性。

    本文檔來自技高網...

    【技術保護點】

    1.一種調光導電膜,其特征在于,包括:

    2.根據權利要求1所述的調光導電膜,其特征在于,所述低折射樹脂層的厚度介于0.8μm-1μm;和/或,所述低折射樹脂層的折射率介于1.5nd-1.55nd。

    3.根據權利要求1所述的調光導電膜,其特征在于,所述高折射樹脂層的厚度介于0.8μm-1.2μm;和/或,所述高折射樹脂層的折射率介于1.62nd-1.68nd;和/或,所述高折射樹脂層的粗糙度Ra介于2nm-5nm。

    4.根據權利要求1所述的調光導電膜,其特征在于,所述氧化硅層的厚度介于15nm-20nm。

    5.根據權利要求1所述的調光導電膜,其特征在于,所述第一ITO層的厚度介于30nm-40nm;和/或,所述第一ITO層中氧化銦和氧化錫的質量比介于(90-95):(10-5);和/或,所述第一ITO層的表面粗糙度Ra介于2nm-5nm。

    6.根據權利要求1所述的調光導電膜,其特征在于,所述第一AZO層的厚度介于10nm-20nm;和/或,所述第一AZO層中氧化鋁與氧化鋅質量比介于(0-5):(100-95);和/或,所述第一AZO層的表面粗糙度Ra介于0.5nm-1.5nm。

    7.根據權利要求1所述的調光導電膜,其特征在于,所述Ag合金層的厚度介于10nm-20nm;和/或,所述Ag合金層選自Ag、Au、Pd等貴金屬中的多種;和/或,所述Ag合金層中Ag的質量占所述Ag合金層的總質量的95%-99%,其他金屬的質量占所述Ag合金層的總質量的1%-5%。

    8.根據權利要求1所述的調光導電膜,其特征在于,所述金屬阻擋層選自AZO層、SNO層和ZNO中的一種;和/或,所述金屬阻擋層的厚度介于1nm-2nm。

    9.根據權利要求1所述的調光導電膜,其特征在于,所述第二ITO層的厚度介于30nm-40nm;和/或,所述第二ITO層中氧化銦和氧化錫的質量比介于(90-95):(10-5)。

    10.一種權利要求1-9任一項所述的調光導電膜的制備方法,其特征在于,包括:

    ...

    【技術特征摘要】

    1.一種調光導電膜,其特征在于,包括:

    2.根據權利要求1所述的調光導電膜,其特征在于,所述低折射樹脂層的厚度介于0.8μm-1μm;和/或,所述低折射樹脂層的折射率介于1.5nd-1.55nd。

    3.根據權利要求1所述的調光導電膜,其特征在于,所述高折射樹脂層的厚度介于0.8μm-1.2μm;和/或,所述高折射樹脂層的折射率介于1.62nd-1.68nd;和/或,所述高折射樹脂層的粗糙度ra介于2nm-5nm。

    4.根據權利要求1所述的調光導電膜,其特征在于,所述氧化硅層的厚度介于15nm-20nm。

    5.根據權利要求1所述的調光導電膜,其特征在于,所述第一ito層的厚度介于30nm-40nm;和/或,所述第一ito層中氧化銦和氧化錫的質量比介于(90-95):(10-5);和/或,所述第一ito層的表面粗糙度ra介于2nm-5nm。

    6.根據權利要求1所述的調光導電膜,其特征在于,所述第一azo層的厚度介于10nm-2...

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:胡業新于佩強呂敬波王何杰宋尚金
    申請(專利權)人:江蘇日久光電股份有限公司
    類型:發明
    國別省市:

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