【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及高壓svg設備的冷卻。更具體地說，本專利技術涉及一種高壓svg用冷卻裝置。
技術介紹
1、高壓靜止無功發生器(svg)在電力系統中廣泛應用，主要用于改善電網電壓質量、提高輸電能力和穩定性。隨著電力電子技術的發展，svg的功率密度不斷提高，對冷卻系統的性能要求也日益嚴格。傳統的風冷方式由于散熱效率低、噪聲大等問題，在高功率密度的應用場景下已難以滿足需求。因此，開發高效可靠的冷卻裝置成為提升svg整體性能的關鍵。
2、目前，針對svg的冷卻問題，行業內主要采用以下幾種解決方案：一是簡單的自然風冷或強制風冷，通過風扇將熱量排出機柜；二是液體冷卻系統，利用循環冷卻液帶走設備產生的熱量；三是半導體電子制冷技術，通過peltier效應實現局部降溫。這些方法各有特點，但在實際應用中存在一定的局限性。
3、盡管上述冷卻方案能夠在一定程度上解決svg的溫升問題，但仍存在明顯的不足。例如，傳統風冷方式散熱效率較低，無法有效應對高功率密度下的大量發熱量；而現有的液體冷卻系統雖然散熱效果較好，但結構復雜，維護成本較高；半導體電子制冷技術則受限于其制冷能力有限，且能耗較大。這些問題限制了svg的整體性能和可靠性，亟需一種綜合高效的冷卻解決方案來克服現有技術的缺陷。
技術實現思路
1、本專利技術的目的是提供一種高壓svg用冷卻裝置，結合水冷系統和半導體制冷技術的優點，根據實際需要選擇冷卻方式，從而在保證冷卻裝置對高壓svg的冷卻效果的前提下，減少能耗。
2、為
3、冷卻管路，其設置在高壓svg機柜內，其進水口和出水口穿出高壓svg的機柜；
4、水冷系統，其進水口和出水口分別與所述冷卻管路的出水口和進水口連通；
5、半導體制冷機構，其嵌設在高壓svg機柜上；
6、溫度檢測單元，其用以獲取高壓svg機柜內溫度以及所述水冷系統內冷卻水的溫度；
7、控制單元，其分別與所述水冷系統、所述半導體制冷機構和所述溫度檢測單元電連接。
8、進一步的，所述的一種高壓svg用冷卻裝置中，所述水冷系統包括：
9、汽水分離器，其進水口通過第一管道與所述冷卻管路的出水口連通；
10、水箱，其進水口通過第二管道與所述汽水分離器的出水口連通；
11、增壓泵，其進水口通過第三管道與所述水箱的出水口連通；
12、去離子罐，其進水口通過第四管道與所述增壓泵的出水口連通，所述第四管道上設有第一電磁閥；
13、換熱器，其進水口分別通過第五管道和第六管道與所述增壓泵的出水口和所述去離子罐的出水口連通，所述換熱器的進水口通過第七管道與所述冷卻管路的進水口連通，所述第五管道上設有第二電磁閥；
14、補水泵，其出水口通過第八管道與所述去離子罐的進水口連通，所述第八管道上設有第三電磁閥；
15、補水罐，其出水口通過第九管道與所述補水泵的進水口連通；
16、所述第一電磁閥、第二電磁閥和第三電磁閥分別與所述控制單元電連接。
17、進一步的，所述的一種高壓svg用冷卻裝置中，所述水箱的外殼上連接有半導體制冷器，所述半導體制冷器與所述控制單元電連接。
18、進一步的，所述的一種高壓svg用冷卻裝置中，所述水冷系統還包括：
19、箱體，所述汽水分離器、水箱、增壓泵、去離子罐、換熱器、補水泵和補水罐均設置在所述箱體內，
20、網板，所述箱體上多個通風孔，所述通風孔內設有所述網板。
21、進一步的，所述的一種高壓svg用冷卻裝置中，所述溫度檢測單元包括：
22、第一溫度傳感器，其用于獲取高壓svg機柜內溫度；
23、第二溫度傳感器，其用于獲取所述第六管道內冷卻水的溫度；
24、第三溫度傳感器，其用于獲取所述第七管道內冷卻水的溫度；
25、所述第一溫度傳感器、第二溫度傳感器和第三溫度傳感器分別與所述控制單元電連接。
26、進一步的，所述的一種高壓svg用冷卻裝置中，所述水箱內設有液位計，所述液位計與所述控制單元電連接。
27、進一步的，所述的一種高壓svg用冷卻裝置中，所述半導體制冷機構包括：
28、多個半導體制冷組件，其間隔設置在所述機柜內，并分別與所述控制單元電連接。
29、進一步的，所述的一種高壓svg用冷卻裝置中，所述半導體制冷組件包括：
30、制冷板，其上間隔設有多個安裝槽，高壓svg的機柜上設有與所述制冷板對應的缺口，所述制冷板嵌設在所述缺口內；
31、半導體制冷片，所述安裝槽內均設有所述半導體制冷片；
32、內散熱翅片，其設置在高壓svg的機柜內并與所述制冷板連接；
33、外散熱翅片，其設置在高壓svg的機柜外并與所述制冷板連接。
34、本專利技術還提供一種高壓svg冷卻方法，應用于上述高壓svg用冷卻裝置，包括以下步驟：
35、s1、所述溫度檢測單元獲取高壓svg機柜內溫度ta，以及所述水冷系統中冷卻水的進水溫度tb和出水溫度tc，并發送至所述控制單元；
36、s2、所述控制單元預先設置高壓svg機柜內溫度第一閾值t1、第二閾值t2和第三閾值t3，其中，t1＜t2＜t3；
37、當ta＜t1時，所述控制器控制所述水冷系統低功率運行；
38、當t1≤ta＜t2時，所述控制器控制所述水冷系統高功率運行；
39、當t2≤ta＜t3時，所述控制器控制所述水冷系統高功率運行，并控制所述半導體制冷機構低功率運行；
40、當ta≥t3時，所述控制器控制所述水冷系統高功率運行，并控制所述半導體制冷機構高功率運行。
41、進一步的，所述的一種高壓svg冷卻方法中，還包括：
42、所述溫度檢測單元獲取所述水冷系統中冷卻水的進水溫度tb和出水溫度tc，并發送至所述控制單元；
43、所述控制單元預先設置水冷系統中冷卻水的進水溫度和出水溫度的的溫差閾值δt，當tb-tc≥δt時，所述控制器控制設置在所述水冷系統的水箱外殼上的半導體制冷器運行。
44、本專利技術的有益效果是：
45、本專利技術的高壓svg用冷卻裝置中，通過對高壓svg機柜內溫度以及水冷系統內冷卻水的溫度進行采集，并根據采集得到的溫度控制水冷系統向冷卻管路輸入冷卻水，以及通過半導體制冷機構對高壓svg機柜進行降溫，從而在保證冷卻裝置對高壓svg的冷卻效果的前提下，減少能耗。
46、本專利技術的其它優點、目標和特征將部分通過下面的說明體現，部分還將通過對本專利技術的研究和實踐而為本領域的技術人員所理解。
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1.一種高壓SVG用冷卻裝置，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的一種高壓SVG用冷卻裝置，其特征在于，所述水冷系統包括：
3.如權利要求2所述的一種高壓SVG用冷卻裝置，其特征在于，所述水箱的外殼上連接有半導體制冷器，所述半導體制冷器與所述控制單元電連接。
4.如權利要求2所述的一種高壓SVG用冷卻裝置，其特征在于，所述水冷系統還包括：
5.如權利要求2所述的一種高壓SVG用冷卻裝置，其特征在于，所述溫度檢測單元包括：
6.如權利要求2所述的一種高壓SVG用冷卻裝置，其特征在于，所述水箱內設有液位計，所述液位計與所述控制單元電連接。
7.如權利要求1所述的一種高壓SVG用冷卻裝置，其特征在于，所述半導體制冷機構包括：
8.如權利要求7所述的一種高壓SVG用冷卻裝置，其特征在于，所述半導體制冷組件包括：
9.一種高壓SVG冷卻方法，應用于權利要求1-8任一項所述的高壓SVG用冷卻裝置，其特征在于，包括以下步驟：
10.如權利要求9所述的一種高壓SVG冷卻方法，其特征在
...【技術特征摘要】
1.一種高壓svg用冷卻裝置，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的一種高壓svg用冷卻裝置，其特征在于，所述水冷系統包括：
3.如權利要求2所述的一種高壓svg用冷卻裝置，其特征在于，所述水箱的外殼上連接有半導體制冷器，所述半導體制冷器與所述控制單元電連接。
4.如權利要求2所述的一種高壓svg用冷卻裝置，其特征在于，所述水冷系統還包括：
5.如權利要求2所述的一種高壓svg用冷卻裝置，其特征在于，所述溫度檢測單元包括：
6.如權利要...
【專利技術屬性】
技術研發人員：杜小剛，何星，魏四海，方四安，
申請(專利權)人：武漢武新電氣科技股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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