【技術實現步驟摘要】
本專利技術屬于存儲，特別涉及一種存儲芯片的寫保護測試方法及測試系統。
技術介紹
1、在存儲芯片中設置有寫保護功能，當存儲芯片中某一存儲位置被設置有寫保護功能，則該存儲位置上存儲的數據可免受以外修改或擦除的影響，進而確保了該存儲位置上數據的完整性和安全性。
2、因而在存儲芯片出廠前，需要對存儲芯片的寫保護功能進行驗證，對后續存儲芯片的安全性的檢驗和提升有重要作用。但是存儲芯片具有多種寫保護類型，對于多種類型的寫保護功能并沒有系統的驗證方法。
技術實現思路
1、本專利技術的目的在于提供一種存儲芯片的寫保護測試方法及測試系統，可解決沒有系統的寫保護測試方法驗證存儲芯片多種寫保護性能的問題。
2、為實現上述目的，本專利技術提供一種存儲芯片的寫保護測試方法及測試系統，且所述存儲芯片的寫保護測試方法至少包括以下步驟：
3、對所述存儲芯片進行初始化操作；
4、將所述存儲芯片中的存儲位置分為兩個或多個寫保護組，并設置兩種或多種類型的寫保護組；
5、向所述存儲芯片中寫入數據，并在寫入數據過程中進行掉電處理；以及
6、檢測每種類型的寫保護組中是否被寫入數據，進而驗證每種類型的寫保護是否符合需求。
7、在本專利技術一實施例中，將所述存儲芯片中的所有存儲位置等分為多個寫保護組。
8、在本專利技術一實施例中，將所述存儲芯片中所有的存儲位置設置為臨時寫保護，再選取一個邏輯區塊地址所在的寫保護組設置為上電寫保護，且臨
9、在本專利技術一實施例中，獲取所述第二類型寫保護組的位置，以及位于所述第二類型寫保護組相鄰的兩個所述第一類型寫保護組的位置。
10、在本專利技術一實施例中，所述第二類型寫保護組的位置通過以下公式獲取：
11、wpgi=[lbai/wpsize]；
12、其中，wpgi為所述第二類型寫保護組在全部寫保護組中的位置，lbai為選取的邏輯區塊地址，wpsize為一個寫保護組的大小。
13、在本專利技術一實施例中，所述第二類型寫保護組的起始邏輯地址和結束邏輯地址通過以下公式獲取：
14、lbas=wpgi×wpsize；
15、lbae=lbas+wpsize；
16、其中，lbas為所述第二類型寫保護組的所述起始邏輯地址，lbae為所述第二類型寫保護組的所述結束邏輯地址。
17、在本專利技術一實施例中，所述第二類型寫保護組前一個所述第一類型寫保護組的邏輯地址范圍為：（lbas-wpsize，lbas-1）；以及
18、所述第二類型寫保護組后一個所述第一類型寫保護組的邏輯地址范圍為：（lbae+1，lbae+wpsize）。
19、在本專利技術一實施例中，所述寫保護測試方法還包括設置所述存儲芯片的掉電模式，并在每個循環測試中設置一種掉電模式。
20、在本專利技術一實施例中，若在數據寫入過程中進行軟件掉電處理，且在數據寫入完成后，所述第一類型寫保護組和所述第二類型寫保護組中不存在寫入數據，則臨時寫保護和上電寫保護符合需求。
21、在本專利技術一實施例中，若在數據寫入過程中進行硬件掉電處理或物理掉電處理，且在數據寫入完成后，所述第二類型寫保護組中存在寫入數據，所述第一類型寫保護組中不存在寫入數據，則臨時寫保護和上電寫保護符合需求。
22、本專利技術還提供一種存儲芯片的寫保護測試系統，所述寫保護測試系統包括：
23、初始化模塊，對所述存儲芯片進行初始化操作；
24、寫保護組設置模塊，將所述存儲芯片中的存儲位置分為兩個或多個寫保護組，并設置兩種或多種類型的寫保護組；
25、數據寫入模塊，向所述存儲芯片中寫入數據，并在寫入數據過程中進行掉電處理；以及
26、數據驗證模塊，檢測每種類型的寫保護組中是否被寫入數據，進而驗證每種類型的寫保護是否符合需求。
27、綜上所述，本專利技術提供的一種存儲芯片的寫保護測試方法及測試系統，設置兩種或多種類型的寫保護組，并向兩種或多種類型的寫保護組中寫入數據，并在寫入數據的過程中進行不同的掉電處理，再通過多種寫保護組中是否被寫入數據來判斷寫保護對應的寫保護類型是否有效，為同時測試多種寫保護功能提供一種系統的方法，解決了沒有系統的寫保護測試方法驗證存儲芯片多種寫保護性能的問題。
本文檔來自技高網...【技術保護點】
1.一種存儲芯片的寫保護測試方法，其特征在于，至少包括以下步驟：
2.根據權利要求1所述的一種存儲芯片的寫保護測試方法，其特征在于，將所述存儲芯片中的所有存儲位置等分為多個寫保護組。
3.根據權利要求1所述的一種存儲芯片的寫保護測試方法，其特征在于，將所述存儲芯片中所有的存儲位置設置為臨時寫保護，再選取一個邏輯區塊地址所在的寫保護組設置為上電寫保護，且臨時寫保護所在的寫保護組為第一類型寫保護組，上電寫保護所在的寫保護組為第二類型寫保護組。
4.根據權利要求3所述的一種存儲芯片的寫保護測試方法，其特征在于，獲取所述第二類型寫保護組的位置，以及位于所述第二類型寫保護組相鄰的兩個所述第一類型寫保護組的位置。
5.根據權利要求4所述的一種存儲芯片的寫保護測試方法，其特征在于，所述第二類型寫保護組的位置通過以下公式獲取：
6.根據權利要求5所述的一種存儲芯片的寫保護測試方法，其特征在于，所述第二類型寫保護組的起始邏輯地址和結束邏輯地址通過以下公式獲取：
7.根據權利要求6所述的一種存儲芯片的寫保護測試方法，其特征在于，
8.根據權利要求1所述的一種存儲芯片的寫保護測試方法，其特征在于，所述寫保護測試方法還包括設置所述存儲芯片的掉電模式，并在每個循環測試中設置一種掉電模式。
9.根據權利要求3所述的一種存儲芯片的寫保護測試方法，其特征在于，若在數據寫入過程中進行軟件掉電處理，且在數據寫入完成后，所述第一類型寫保護組和所述第二類型寫保護組中不存在寫入數據，則臨時寫保護和上電寫保護符合需求。
10.根據權利要求3所述的一種存儲芯片的寫保護測試方法，其特征在于，若在數據寫入過程中進行硬件掉電處理或物理掉電處理，且在數據寫入完成后，所述第二類型寫保護組中存在寫入數據，所述第一類型寫保護組中不存在寫入數據，則臨時寫保護和上電寫保護符合需求。
11.一種存儲芯片的寫保護測試系統，其特征在于，所述寫保護測試系統包括：
...【技術特征摘要】
1.一種存儲芯片的寫保護測試方法，其特征在于，至少包括以下步驟：
2.根據權利要求1所述的一種存儲芯片的寫保護測試方法，其特征在于，將所述存儲芯片中的所有存儲位置等分為多個寫保護組。
3.根據權利要求1所述的一種存儲芯片的寫保護測試方法，其特征在于，將所述存儲芯片中所有的存儲位置設置為臨時寫保護，再選取一個邏輯區塊地址所在的寫保護組設置為上電寫保護，且臨時寫保護所在的寫保護組為第一類型寫保護組，上電寫保護所在的寫保護組為第二類型寫保護組。
4.根據權利要求3所述的一種存儲芯片的寫保護測試方法，其特征在于，獲取所述第二類型寫保護組的位置，以及位于所述第二類型寫保護組相鄰的兩個所述第一類型寫保護組的位置。
5.根據權利要求4所述的一種存儲芯片的寫保護測試方法，其特征在于，所述第二類型寫保護組的位置通過以下公式獲取：
6.根據權利要求5所述的一種存儲芯片的寫保護測試方法，其特征在于，所述第二類型寫保護組的...
【專利技術屬性】
技術研發人員：潘慧敏，趙啟鵬，
申請(專利權)人：合肥康芯威存儲技術有限公司，
類型：發明
國別省市：
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。