【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本公開的實施例總體上涉及發光二極管(led)器件陣列及其制造方法。更特別地，實施例針對單片集成的紅、綠、藍(rgb)發射器陣列，其具有減少數量的臺面蝕刻步驟和接觸端子。
技術介紹
1、諸如虛擬現實系統和增強現實系統的可視化系統在諸如娛樂、教育、醫學和商業之類的領域中正變得越來越普遍。存在持續的努力來改進可視化系統(諸如虛擬現實系統和增強現實系統)。
2、微led(μled)可以是小尺寸的led(通常直徑為～50μm或更小)，當紅色、綠色和藍色波長的μled可以緊密排列時，它們可以用于產生非常高分辨率的彩色顯示器。μled顯示器的制造通常涉及從單獨的藍色、綠色和紅色wl晶片中挑選出已切單的μled，并將它們在顯示器上交替緊密排列。
3、對要求微觀像素間距的高分辨率彩色led顯示器存在興趣。當led的尺寸在幾十微米或更小的范圍內時，組裝生長在單獨晶片上的紅色、綠色和藍色led變得困難。單片rgb集成是一種方法，它避免了將微觀led操縱到顯示器上正確位置中的問題，但也帶來了其自己的一系列挑戰。當前的單片rgb陣列需要至少三個偏置端子加上一個接地連接。在高分辨率顯示器中，可用于制造所有這些臺面蝕刻和端子的空間有限，從而使得實際實現設計是困難的。
4、單片rgb的其它方法使用包含三種顏色的量子阱的一個p-n結。取決于所施加的偏置，在特定的阱中產生相對更多或更少的光，從而允許對色點進行一些控制。在它們每個像素僅使用兩個端子工作的范圍內，這種方法是吸引人的，但是跨有源區的過量電壓是不可避免的，并且需要濾波器
5、因此，需要改進的μled器件和改進的制造方法。
技術實現思路
1、本公開的實施例針對發光二極管(led)陣列和用于制造led陣列的方法。在一個或多個實施例中，發光二極管(led)陣列包括：在結合到背板的反射p接觸電極上的第二發光堆疊上的第一發光堆疊，其中第一發光堆疊包括在第一n型層上的第一電接觸、在第一隧道結上的第一n型層、在第一p型層上的第一隧道結、在第一顏色有源區上的第一p型層，并且第二發光堆疊包括在與第一顏色有源區接觸的第二n型層上和在第二顏色有源區上的第二電接觸、在第二p型層上的第二顏色有源區；圍繞第一發光堆疊和第二發光堆疊的電介質層；以及在電介質層上的共形反射金屬層。
2、本公開的另外的實施例針對制造發光二極管(led)陣列的方法。在一個或多個實施例中，制造led陣列包括：在外延晶片上順序形成兩個p-n結以形成外延堆疊，該外延堆疊包括至少一個n型層和至少一個p型層，并且具有嵌入在至少一個n型層和至少一個p型層之間的顏色有源區；在外延堆疊上沉積反射p接觸電極；將反射p接觸電極結合到背板晶片；干法蝕刻外延堆疊以接近至少一個n型層，從而形成電接觸和臺面；在臺面上方共形沉積電介質層；移除電介質層的一部分以在臺面的頂表面上形成電介質開口，該電介質開口暴露至少一個n型層；在電介質開口中沉積歐姆金屬接觸以形成電接觸；在臺面的一部分上方沉積共形金屬層，并形成跨臺面中心的間隙以允許光出射；以及在led陣列的頂部上方沉積電極網格。
3、本公開的附加實施例針對可視化或顯示系統。在一個或多個實施例中，可視化系統包括：電池；無線電；傳感器；視頻生成處理器；包括本文描述的一個或多個實施例的led陣列的光源；調制器；調制處理器；合束器；投影光學器件；屏幕；和透鏡。
本文檔來自技高網...【技術保護點】
1.一種發光二極管(LED)陣列，包括：
2.根據權利要求1所述的LED陣列，進一步包括圍繞所述第一發光堆疊和所述第二發光堆疊的電介質層。
3.根據權利要求2所述的LED陣列，進一步包括在所述電介質層上的反射金屬層。
4.根據權利要求1所述的LED陣列，其中通過改變在所述第一電接觸或所述第二電接觸之一處的電壓來控制由所述第一發光堆疊或所述第二發光堆疊之一發射的顏色。
5.根據權利要求4所述的LED陣列，進一步包括電極網格。
6.根據權利要求1所述的LED陣列，其中所述第一n型層和所述第二n型層獨立地包括氮化鎵(GaN)、氮化鋁(AlN)、氮化銦(InN)、氮化鎵鋁(GaAlN)、氮化鎵銦(GaInN)、氮化鋁鎵(AlGaN)、氮化鋁銦(AlInN)、氮化銦鎵(InGaN)、氮化銦鋁(InAlN)等中的一種或多種。
7.根據權利要求6所述的LED陣列，其中所述第一n型層和所述第二n型層包括氮化鎵(GaN)。
8.根據權利要求1所述的LED陣列，其中所述第一電接觸和所述第二電接觸包括鋁。
10.根據權利要求1所述的LED陣列，其中所述反射p接觸電極包括雙層，所述雙層包括氧化銦錫(ITO)以及鋁(Al)、鉑(Pt)和銀(Ag)中的一種或多種。
11.一種制造LED陣列的方法，所述方法包括：
12.根據權利要求11所述的方法，進一步包括在沉積反射p接觸電極之前對外延堆疊進行退火。
13.根據權利要求11所述的方法，其中所述外延堆疊包括：
14.根據權利要求13所述的方法，其中當所述第一發光堆疊和所述第二發光堆疊被并聯驅動時，發射的聚合顏色由電壓控制。
15.根據權利要求13所述的方法，其中所述第一n型層和所述第二n型層獨立地包括氮化鎵(GaN)、氮化鋁(AlN)、氮化銦(InN)、氮化鎵鋁(GaAlN)、氮化鎵銦(GaInN)、氮化鋁鎵(AlGaN)、氮化鋁銦(AlInN)、氮化銦鎵(InGaN)、氮化銦鋁(InAlN)等中的一種或多種。
16.根據權利要求15所述的方法，其中所述第一n型層和所述第二n型層包括氮化鎵(GaN)。
17.根據權利要求11所述的方法，其中所述電接觸包括鋁。
18.根據權利要求11所述的方法，其中所述反射p接觸電極包括鋁(Al)、鉑(Pt)、銀(Ag)中的一種或多種。
19.根據權利要求11所述的方法，其中所述反射p接觸電極包括雙層，所述雙層包括氧化銦錫(ITO)以及鋁(Al)、鉑(Pt)和銀(Ag)中的一種或多種。
20.一種可視化系統，包括：
...【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】
1.一種發光二極管(led)陣列，包括：
2.根據權利要求1所述的led陣列，進一步包括圍繞所述第一發光堆疊和所述第二發光堆疊的電介質層。
3.根據權利要求2所述的led陣列，進一步包括在所述電介質層上的反射金屬層。
4.根據權利要求1所述的led陣列，其中通過改變在所述第一電接觸或所述第二電接觸之一處的電壓來控制由所述第一發光堆疊或所述第二發光堆疊之一發射的顏色。
5.根據權利要求4所述的led陣列，進一步包括電極網格。
6.根據權利要求1所述的led陣列，其中所述第一n型層和所述第二n型層獨立地包括氮化鎵(gan)、氮化鋁(aln)、氮化銦(inn)、氮化鎵鋁(gaaln)、氮化鎵銦(gainn)、氮化鋁鎵(algan)、氮化鋁銦(alinn)、氮化銦鎵(ingan)、氮化銦鋁(inaln)等中的一種或多種。
7.根據權利要求6所述的led陣列，其中所述第一n型層和所述第二n型層包括氮化鎵(gan)。
8.根據權利要求1所述的led陣列，其中所述第一電接觸和所述第二電接觸包括鋁。
9.根據權利要求1所述的led陣列，其中所述反射p接觸電極包括鋁(al)、鉑(pt)、銀(ag)中的一種或多種。
10.根據權利要求1所述的led陣列，其中所述反射p接觸電極包括雙層，所述雙層包括氧化銦錫(ito)以...
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。