【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本公開涉及半導(dǎo)體，尤其涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法。
技術(shù)介紹
1、在半導(dǎo)體制造業(yè)中，一般采用等離子處理設(shè)備進(jìn)行半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備。等離子處理設(shè)備包括等離子腔室以及位于等離子腔室內(nèi)的靜電卡盤(electrostatic?chuck，esc)。靜電卡盤可通過異性電荷的靜電力來承載工藝過程中的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。
2、然而，在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中的介質(zhì)圖案形成后，在等離子腔室內(nèi)的環(huán)境氛圍內(nèi)，介質(zhì)圖案的表面上容易生成難以去除的殘留物，嚴(yán)重影響介質(zhì)圖案的形貌及尺寸精度，進(jìn)而導(dǎo)致半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的良率下降。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本公開的實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法，旨在提高半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中介質(zhì)圖案尺寸精度，改善半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中介質(zhì)圖案的形貌，提高半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的良率。
2、為達(dá)到上述目的，本公開的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案：
3、一方面，提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法。所述制備方法包括：提供襯底，在所述襯底一側(cè)形成介質(zhì)層；在所述介質(zhì)層上形成掩膜層；將所述襯底固定于等離子腔室內(nèi)的靜電卡盤上；基于所述掩膜層，對(duì)所述介質(zhì)層進(jìn)行刻蝕，形成介質(zhì)圖案；在所述介質(zhì)圖案上形成防水膜，所述防水膜覆蓋所述介質(zhì)圖案。
4、本公開的實(shí)施例所提供的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，通過在等離子體處理設(shè)備中，形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的介質(zhì)圖案，并在介質(zhì)圖案上形成防水膜，從而可以利用防水膜對(duì)介質(zhì)圖案進(jìn)行保護(hù)，避免介質(zhì)圖案上的殘留物吸水后形成難以去除的反應(yīng)產(chǎn)物，避免影響介質(zhì)圖案的形貌及尺寸精度，減少半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的缺陷，從而提高半導(dǎo)體
5、在一些實(shí)施例中，所述防水膜為純碳膜。
6、在一些實(shí)施例中，所述防水膜的厚度大于或等于1nm。
7、在一些實(shí)施例中，所述在所述介質(zhì)圖案上形成防水膜，包括：向所述等離子腔室內(nèi)通入目標(biāo)氣體和輔助氣體；在所述等離子腔室的控制下，所述輔助氣體形成等離子體；所述目標(biāo)氣體在所述等離子體的作用下，在所述介質(zhì)圖案上形成所述防水膜。
8、在一些實(shí)施例中，所述在所述介質(zhì)圖案上形成防水膜，還包括：所述靜電卡盤在所述等離子體的作用下,釋放靜電；將所述襯底與所述靜電卡盤分離。
9、在一些實(shí)施例中，所述目標(biāo)氣體的流量與所述電離氣體的流量的比值范圍為：1:1～1:5。
10、在一些實(shí)施例中，向所述等離子腔室內(nèi)通入所述目標(biāo)氣體和所述輔助氣體的時(shí)間大于或等于30s。
11、在一些實(shí)施例中，所述目標(biāo)氣體包括一氧化碳或二氧化碳。
12、在一些實(shí)施例中，所述在所述介質(zhì)圖案上形成防水膜，還包括：所述靜電卡盤在所述等離子體的作用下，釋放靜電；將所述襯底與所述靜電卡盤分離。
13、在一些實(shí)施例中，所述制備方法還包括：將所述襯底移出所述等離子腔室；采用刻蝕工藝，去除所述防水膜。
14、另一方面，提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)采用如上述任一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法制作而成。
15、可以理解地，本公開的上述實(shí)施例提供的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其所能達(dá)到的有益效果可參考上文中半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法的有益效果，此處不再贅述。
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1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述防水膜為純碳膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述防水膜的厚度大于或等于1nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述在所述介質(zhì)圖案上形成防水膜，包括：
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述目標(biāo)氣體的流量與所述輔助氣體的流量的比值范圍為1:1～1:5。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，向所述等離子腔室內(nèi)通入所述目標(biāo)氣體和所述輔助氣體的時(shí)間大于或等于30s。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述目標(biāo)氣體包括一氧化碳或二氧化碳。
8.根據(jù)權(quán)利要求4-7中任意一項(xiàng)所述的制備方法，其特征在于，所述在所述介質(zhì)圖案上形成防水膜，還包括：
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述制備方法還包括：將所述襯底移出所述等離子腔室，采用刻蝕工藝，去除所述防水膜。
10.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述防水膜為純碳膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述防水膜的厚度大于或等于1nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述在所述介質(zhì)圖案上形成防水膜，包括：
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述目標(biāo)氣體的流量與所述輔助氣體的流量的比值范圍為1:1～1:5。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，向所述等...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：周玉祥，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：武漢楚興技術(shù)有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：
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