【技術實現步驟摘要】
本專利技術屬于集成電路，尤其涉及一種高效的批量bga器件植球裝置及方法。
技術介紹
1、bga(ball?grid?array)球柵陣列封裝技術是20世紀90年代以后發展起來的一種先進的高性能封裝技術。
2、bga是一種用于多引腳器件與電路的封裝技術，其外引線為焊球或焊凸點，它們成陣列分布于封裝基板的底部平面上，在基板上面裝配大規模集成電路（lsi）芯片，是lsi芯片的一種表面組裝封裝類型。它無需進行維護處理，并可避免四邊有引線封裝中出現的工藝問題；它具有間距大(典型間距為1.27mm)、引線硬度好和自對準特性高的特點。
3、而這些特點正是基于其使用了特殊的引腳——焊球，焊球與基板之間的連接工藝稱為植球工藝，作為bga封裝工藝中的關鍵工藝技術，其直接影響到器件性能及可靠性。常規植球操作步驟多，批量生產效率低。
技術實現思路
1、為了解決上述問題，本專利技術提出了一種高效的批量bga器件植球裝置，包括氣管、底座、吸嘴頭；氣管底部和底座的上表面連接；底座和吸嘴頭之間通過螺釘連接，底座與吸嘴頭螺接。
2、進一步地，底座上設有若干沉槽，吸嘴頭上設有若干與沉槽相對應的螺紋孔，螺釘穿過沉槽插入對應的螺紋孔中從而實現底座與吸嘴頭的螺接。
3、進一步地，吸嘴頭上設有若干貫穿吸嘴頭上下表面的第一空腔，所述第一空腔由球槽和氣道組成，球槽在吸嘴頭下表面上的截面為圓形，球槽在吸嘴頭下表面上的截面的直徑大于錫球的直徑。
4、進一步地，球槽為圓柱形或
5、進一步地，氣道與球槽相接的截面為圓形，氣道與球槽相接的截面的直徑小于錫球的直徑。
6、進一步地，底座與吸嘴頭間的空隙為密封槽，密封槽密封底座和吸嘴頭之間除第一空腔之外的空隙。
7、還提供了一種高效的批量bga器件植球方法，所述方法基于上述植球裝置實現，包括以下步驟：
8、（1）準備好待植球器件；
9、（2）在待植球器件上涂覆焊料；
10、（3）采用植球裝置吸取錫球；
11、（4）檢測是否缺球，如缺球，重復步驟（3）直到不再缺球；
12、（5）將吸滿錫球的植球裝置輕壓到預置焊料的器件上，使錫球與焊盤對應；
13、（6）松開植球裝置的真空開關，使錫球落在焊盤上；
14、（7）植球裝置移走后，所有錫球整齊地落在焊盤上；
15、（8）回流焊接，完成植球工作。
16、進一步地，松開植球裝置的真空開關的同時反向吹氣。
17、本專利技術與現有技術相比，具備以下優點：
18、（1）實現了一種新的可靠、快捷、高效、低成本bga器件植球方法。
19、（2）適用于各種形狀的植球器件。
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1.一種高效的批量BGA器件植球裝置，其特征在于，包括氣管(1)、底座(2)、吸嘴頭(3)；氣管(1)底部和底座(2)的上表面連接；底座(1)和吸嘴頭(3)之間通過螺釘連接，底座(2)與吸嘴頭(3)螺接。
2.根據權利要求1所述的高效的批量BGA器件植球裝置，其特征在于，底座(2)上設有若干沉槽(21)，吸嘴頭(3)上設有若干與沉槽(21)相對應的螺紋孔(31)，螺釘穿過沉槽(21)插入對應的螺紋孔(31)中從而實現底座(2)與吸嘴頭(3)的螺接。
3.根據權利要求1所述的高效的批量BGA器件植球裝置，其特征在于，吸嘴頭(3)上設有若干貫穿吸嘴頭(3)上下表面的第一空腔，所述第一空腔由球槽(32)和氣道(33)組成，球槽(32)在吸嘴頭(3)下表面上的截面為圓形，球槽(32)在吸嘴頭(3)下表面上的截面的直徑大于錫球(5)的直徑。
4.根據權利要求3所述的高效的批量BGA器件植球裝置，其特征在于，球槽(32)為圓柱形或半球形。
5.根據權利要求3所述的高效的批量BGA器件植球裝置，其特征在于，氣道(33)與球槽(32)相接的截面為圓
6.根據權利要求1所述的高效的批量BGA器件植球裝置，其特征在于，底座(2)與吸嘴頭(3)間的空隙為密封槽(4)，密封槽(4)密封底座(2)和吸嘴頭(3)之間除第一空腔之外的空隙。
7.一種高效的批量BGA器件植球方法，其特征在于，所述方法基于權利要求1-6任一權利要求所述植球裝置實現，包括以下步驟：
8.根據權利要求7所述的高效的批量BGA器件植球方法，其特征在于，松開植球裝置的真空開關的同時反向吹氣。
...【技術特征摘要】
1.一種高效的批量bga器件植球裝置，其特征在于，包括氣管(1)、底座(2)、吸嘴頭(3)；氣管(1)底部和底座(2)的上表面連接；底座(1)和吸嘴頭(3)之間通過螺釘連接，底座(2)與吸嘴頭(3)螺接。
2.根據權利要求1所述的高效的批量bga器件植球裝置，其特征在于，底座(2)上設有若干沉槽(21)，吸嘴頭(3)上設有若干與沉槽(21)相對應的螺紋孔(31)，螺釘穿過沉槽(21)插入對應的螺紋孔(31)中從而實現底座(2)與吸嘴頭(3)的螺接。
3.根據權利要求1所述的高效的批量bga器件植球裝置，其特征在于，吸嘴頭(3)上設有若干貫穿吸嘴頭(3)上下表面的第一空腔，所述第一空腔由球槽(32)和氣道(33)組成，球槽(32)在吸嘴頭(3)下表面上的截面為圓形，球槽(32)在吸嘴頭(3)下表面上的截面的直徑大于錫球(5...
【專利技術屬性】
技術研發人員：余春雨，蔣慶磊，王旭艷，王燕清，李賽鵬，張成浩，馮明祥，郭永釗，
申請(專利權)人：中國電子科技集團公司第十四研究所，
類型：發明
國別省市：
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