【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本公開涉及光電子制造，特別涉及一種改善刻蝕損傷的發(fā)光二極管及其制備方法。
技術(shù)介紹
1、發(fā)光二極管（英文：light?emitting?diode，簡稱：led）作為光電子產(chǎn)業(yè)中極具影響力的新產(chǎn)品，具有體積小、使用壽命長、顏色豐富多彩、能耗低等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于照明、顯示屏、信號燈、背光源、玩具等領(lǐng)域。
2、相關(guān)技術(shù)中，發(fā)光二極管包括襯底和外延層，外延層層疊在襯底上。在制備發(fā)光二極管的過程中，通常會采用濕法刻蝕或干法刻蝕的方式在外延層的表面刻蝕形成凹槽。
3、濕法刻蝕存在各向同性的工藝特性，無法滿足高精度的刻蝕需求；且當(dāng)待刻蝕材料難以與刻蝕溶液反應(yīng)時(shí)，濕法刻蝕難以刻蝕形成凹槽；而干法刻蝕因其所使用的等離子體具有較高的能量，會對所刻蝕的膜層的側(cè)壁帶來微觀的損傷，且發(fā)光二極管的尺寸越小，這種側(cè)壁損傷對發(fā)光二極管的光效影響就越大。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本公開實(shí)施例提供了一種改善刻蝕損傷的發(fā)光二極管及其制備方法，能在外延層上形成凹槽的過程中改善對外延層的側(cè)壁的損傷問題，保證發(fā)光二極管的發(fā)光效果。所述技術(shù)方案如下：
2、一方面，本公開實(shí)施例提供了一種發(fā)光二極管的制備方法，所述制備方法包括：形成外延層；采用激光照射所述外延層的局部區(qū)域，使所述外延層的局部區(qū)域分解并形成凹槽。
3、在本公開的一種實(shí)現(xiàn)方式中，采用激光照射所述外延層的局部區(qū)域包括：在所述外延層的表面形成遮光層，所述遮光層具有露出所述外延層的局部區(qū)域的刻蝕口；采用激光照射所述刻蝕口，在所述外
4、在本公開的另一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述遮光層包括光刻膠層和/或金屬層。
5、在本公開的另一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述遮光層的厚度為0.1μm至10μm。
6、在本公開的另一種實(shí)現(xiàn)方式中，采用激光照射所述外延層的局部區(qū)域包括：采用圖形化的激光光斑照射所述外延層的局部區(qū)域，在所述外延層的表面形成所述凹槽。
7、在本公開的另一種實(shí)現(xiàn)方式中，采用激光照射所述外延層的局部區(qū)域包括：所述外延層的制備材料包括gan時(shí)，采用波長為248nm或266nm的激光照射所述外延層；所述外延層的制備材料包括aln時(shí)，采用波長為198.3nm的激光照射所述外延層。
8、可選地，采用激光照射所述外延層的局部區(qū)域包括：所述外延層的制備材料包括gan時(shí)，采用能量大于或者等于100mj/cm2的激光照射所述外延層。
9、可選地，采用激光照射所述外延層的局部區(qū)域包括：基于所述外延層的目標(biāo)刻蝕深度和激光的單次刻蝕深度，確定激光照射所述外延層的次數(shù)n，n為正整數(shù)；結(jié)束第n次激光照射后且再進(jìn)行第n+1次激光照射之前，清洗所述外延層的表面。
10、本公開實(shí)施例提供了一種發(fā)光二極管，所述發(fā)光二極管采用如前文所述的制備方法制備，所述發(fā)光二極管包括外延層，所述外延層的表面具有凹槽。
11、可選地，所述發(fā)光二極管還包括透明導(dǎo)電層、鈍化層、第一電極和第二電極；所述外延層包括依次層疊的第一半導(dǎo)體層、多量子阱層和第二半導(dǎo)體層，所述第二半導(dǎo)體層的表面具有所述凹槽，所述透明導(dǎo)電層位于所述第二半導(dǎo)體層的表面上，所述鈍化層位于所述第二半導(dǎo)體層的表面上和所述凹槽內(nèi)，且覆蓋所述透明導(dǎo)電層，所述鈍化層具有分別露出所述透明導(dǎo)電層和所述凹槽的通孔；所述第一電極位于所述凹槽內(nèi)和所述鈍化層的表面上，且通過通孔與所述第一半導(dǎo)體層相連，所述第二電極位于所述鈍化層的表面上，且通過通孔與所述透明導(dǎo)電層相連。
12、本公開實(shí)施例提供的技術(shù)方案帶來的有益效果至少包括：
13、本公開實(shí)施例提供的發(fā)光二極管的制備方法采用激光照射外延層的局部區(qū)域，利用激光分解外延層被照射的區(qū)域，從而實(shí)現(xiàn)在外延層上制作凹槽的目的。相比于相關(guān)技術(shù)中，采用干法刻蝕外延層的方式，激光分解不會因?yàn)榈入x子體刻蝕對外延材料的側(cè)壁轟擊和注入而造成外延材料的損傷，能有效減小因干法刻蝕導(dǎo)致的發(fā)光二極管的光效下降。
14、相比于濕法刻蝕，激光分解能通過調(diào)整激光的波長、能量和激光照射次數(shù)，來提升激光分解外延材料的速度，從而滿足在各種不同外延材料的表面挖槽的目的，能有效提升在外延層上挖槽的效率。
本文檔來自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，采用激光照射所述外延層（20）的局部區(qū)域包括：
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述遮光層（30）包括光刻膠層和/或金屬層。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述遮光層（30）的厚度為0.1μm至10μm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，采用激光照射所述外延層（20）的局部區(qū)域包括：
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的制備方法，其特征在于，采用激光照射所述外延層（20）的局部區(qū)域包括：
7.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的制備方法，其特征在于，采用激光照射所述外延層（20）的局部區(qū)域包括：
8.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的制備方法，其特征在于，采用激光照射所述外延層（20）的局部區(qū)域包括：
9.一種發(fā)光二極管，其特征在于，所述發(fā)光二極管采用如權(quán)利要求1至8任一項(xiàng)所述的制備方法制備，所述發(fā)光二極管包括外延層（20），所述外延層（20）的表
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述發(fā)光二極管還包括透明導(dǎo)電層（50）、鈍化層（40）、第一電極（61）和第二電極（62）；
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，采用激光照射所述外延層（20）的局部區(qū)域包括：
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述遮光層（30）包括光刻膠層和/或金屬層。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述遮光層（30）的厚度為0.1μm至10μm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，采用激光照射所述外延層（20）的局部區(qū)域包括：
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的制備方法，其特征在于，采用激光照射所述外延層（20）的...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：韋揚(yáng)，吳志浩，張威，
申請(專利權(quán))人：京東方華燦光電浙江有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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