【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專(zhuān)利技術(shù)涉及顯示，尤其涉及一種發(fā)光二極管芯片及其制備方法。
技術(shù)介紹
1、近年來(lái)，micro-led顯示技術(shù)受到了廣泛的關(guān)注，與液晶顯示(liquid?crystaldisplay，簡(jiǎn)稱(chēng)lcd)技術(shù)和有機(jī)發(fā)光二極管顯示(organic?light?emitting?diode，簡(jiǎn)稱(chēng)oled)技術(shù)相比，micro-led顯示具有發(fā)光強(qiáng)度高、分辨率高、對(duì)比度高、響應(yīng)速度快、壽命長(zhǎng)以及功耗低等優(yōu)勢(shì)。
2、然而，目前制備micro-led時(shí)，由于臺(tái)面結(jié)構(gòu)蝕刻角度較大，較容易引起反射層與焊盤(pán)蒸鍍時(shí)產(chǎn)生裂紋，從而引起推力值低等異常現(xiàn)象，從而降低芯片可靠性。
3、因此，如何提高micro-led的可靠性是亟需解決的問(wèn)題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本申請(qǐng)的目的在于提供一種發(fā)光二極管芯片及其制備方法，旨在解決如何提高micro-led的可靠性的問(wèn)題。
2、本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種發(fā)光二極管芯片，包括：外延層、反射阻擋層、電流擴(kuò)散層、第一電極以及第二電極。外延層包括依次層疊設(shè)置的第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層和第二半導(dǎo)體層；第二半導(dǎo)體層內(nèi)具有多個(gè)溝槽。反射阻擋層填充溝槽。電流擴(kuò)散層覆蓋反射阻擋層，且設(shè)置于第二半導(dǎo)體層背離發(fā)光層的表面。第一電極設(shè)置于第二半導(dǎo)體層背離發(fā)光層的一側(cè)，且與電流擴(kuò)散層相接觸。第二電極設(shè)置于第一半導(dǎo)體層靠近發(fā)光層的一側(cè)。
3、本申請(qǐng)實(shí)施例中，通過(guò)第二半導(dǎo)體層內(nèi)設(shè)置多個(gè)溝槽，將反射阻擋層填充溝槽，使得反射阻擋層內(nèi)嵌至第二半導(dǎo)體
4、可選地，電流擴(kuò)散層具有電極容置孔，電極容置孔暴露出第二半導(dǎo)體層背離發(fā)光層的表面。第一電極設(shè)置于電極容置孔內(nèi)。
5、可選地，發(fā)光二極管芯片還包括：歐姆接觸層。歐姆接觸層設(shè)置于第一電極和第二半導(dǎo)體層之間，且與電流擴(kuò)散層相接觸。
6、本申請(qǐng)實(shí)施例中，歐姆接觸層設(shè)置于第一電極和第二半導(dǎo)體層之間，第一電極和歐姆接觸層均與電流擴(kuò)散層相接觸。如此，第一電極的電流只能從歐姆接觸層往外擴(kuò)散，然后通過(guò)電流擴(kuò)散層將電流往臺(tái)面邊緣擴(kuò)散，避免了電流流動(dòng)受歐姆接觸層與第二半導(dǎo)體層的接觸面積而定導(dǎo)致的發(fā)光面積不均勻，從而進(jìn)一步增加了出光效率。
7、可選地，歐姆接觸層背離外延層的表面低于電流擴(kuò)散層背離外延層的表面。第一電極背離外延層的表面高于電流擴(kuò)散層背離外延層的表面。如此，電流擴(kuò)散層可以將電流充分往邊緣擴(kuò)散，進(jìn)一步增加了出光效率。
8、可選地，反射阻擋層背離發(fā)光層的表面高于第二半導(dǎo)體層背離發(fā)光層的表面，或反射阻擋層背離發(fā)光層的表面與第二半導(dǎo)體層背離發(fā)光層的表面平齊。
9、可選地，反射阻擋層包括分布式布拉格反射層。電流擴(kuò)散層包括透明導(dǎo)電材料層。
10、可選地，溝槽的形狀包括圓柱體、圓錐體或直棱柱。
11、基于同樣的專(zhuān)利技術(shù)構(gòu)思，本申請(qǐng)實(shí)施例還提供了一種發(fā)光二極管芯片的制備方法，用于制備如上一些實(shí)施例中的發(fā)光二極管芯片。上述發(fā)光二極管芯片所具有的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，該制備方法也均具備，此處不再詳述。所述制備方法包括如下步驟：
12、形成外延層，外延層包括依次層疊設(shè)置的第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層和第二半導(dǎo)體層；
13、于第二半導(dǎo)體層背離發(fā)光層的一側(cè)形成第一電極；
14、于第一電極周側(cè)的第二半導(dǎo)體層內(nèi)形成多個(gè)溝槽；
15、填充溝槽形成反射阻擋層；
16、于第二半導(dǎo)體層背離發(fā)光層且未被第一電極覆蓋的表面形成電流擴(kuò)散層，電流擴(kuò)散層覆蓋反射阻擋層并與第一電極的側(cè)壁相接觸；
17、于第一半導(dǎo)體層靠近發(fā)光層的表面形成第二電極。
18、可選地，形成外延層之前，還包括：形成歐姆接觸層。歐姆接觸層位于第二半導(dǎo)體層背離發(fā)光層的表面。于第二半導(dǎo)體層背離發(fā)光層的一側(cè)形成第一電極包括：于歐姆接觸層背離第二半導(dǎo)體層的一側(cè)形成第一電極；歐姆接觸層在第二半導(dǎo)體層上的正投影與第一電極在第二半導(dǎo)體層上的正投影重合。
19、可選地，于第一電極周側(cè)的第二半導(dǎo)體層內(nèi)形成多個(gè)溝槽，以及填充溝槽形成反射阻擋層，包括：
20、于第二半導(dǎo)體層和第一電極背離發(fā)光層的表面形成第一掩模；第一掩模具有位于第一電極周側(cè)的第一掩模圖案；
21、基于第一掩模圖案刻蝕第二半導(dǎo)體層，形成多個(gè)溝槽；
22、去除第一掩模；
23、填充溝槽形成反射阻擋材料層；
24、于反射阻擋材料層背離發(fā)光層的表面形成第二掩模；第二掩模具有正投影位于各溝槽外的第二掩模圖案；
25、基于第二掩模圖案刻蝕反射阻擋材料層，形成反射阻擋層；
26、去除第二掩模。
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1.一種發(fā)光二極管芯片，其特征在于，包括：
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述電流擴(kuò)散層具有電極容置孔，所述電極容置孔暴露出所述第二半導(dǎo)體層背離所述發(fā)光層的表面；
3.如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于，還包括：
4.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述歐姆接觸層背離所述外延層的表面低于所述電流擴(kuò)散層背離所述外延層的表面；所述第一電極背離所述外延層的表面高于所述電流擴(kuò)散層背離所述外延層的表面。
5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述反射阻擋層背離所述發(fā)光層的表面高于所述第二半導(dǎo)體層背離所述發(fā)光層的表面，或所述反射阻擋層背離所述發(fā)光層的表面與所述第二半導(dǎo)體層背離所述發(fā)光層的表面平齊。
6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述反射阻擋層包括分布式布拉格反射層；所述電流擴(kuò)散層包括透明導(dǎo)電材料層。
7.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述溝槽的形狀包括圓柱體、圓錐體或直棱柱。
8.一種發(fā)光二極管芯片的制備方法，其特
9.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管芯片的制備方法，其特征在于，所述形成外延層之前，還包括：形成歐姆接觸層；所述歐姆接觸層位于第二半導(dǎo)體層背離發(fā)光層的表面；
10.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管芯片的制備方法，其特征在于，所述于所述第一電極周側(cè)的所述第二半導(dǎo)體層內(nèi)形成多個(gè)溝槽，以及填充所述溝槽形成反射阻擋層，包括：
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種發(fā)光二極管芯片，其特征在于，包括：
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述電流擴(kuò)散層具有電極容置孔，所述電極容置孔暴露出所述第二半導(dǎo)體層背離所述發(fā)光層的表面；
3.如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于，還包括：
4.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述歐姆接觸層背離所述外延層的表面低于所述電流擴(kuò)散層背離所述外延層的表面；所述第一電極背離所述外延層的表面高于所述電流擴(kuò)散層背離所述外延層的表面。
5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述反射阻擋層背離所述發(fā)光層的表面高于所述第二半導(dǎo)體層背離所述發(fā)光層的表面，或所述反射阻擋層背離所述發(fā)光層的表面與所述第二半導(dǎo)體...
【專(zhuān)利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：卓俊鋮，王濤，成飛，
申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人：重慶康佳光電科技有限公司，
類(lèi)型：發(fā)明
國(guó)別省市：
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