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    一種TiO2@SiO@Si/RGO硅基負極材料及其制備方法與應(yīng)用技術(shù)

    技術(shù)編號:44376060 閱讀:1 留言:0更新日期:2025-02-25 09:52
    本發(fā)明專利技術(shù)屬于鋰電池負極材料領(lǐng)域,具體涉及一種TiO<subgt;2</subgt;@SiO@Si/RGO硅基負極材料及其制備方法與應(yīng)用。所述硅基負極材料包括具有三維骨架結(jié)構(gòu)的RGO和復(fù)合于RGO上的TiO<subgt;2</subgt;@SiO@Si顆粒;所述TiO<subgt;2</subgt;@SiO@Si顆粒包括Si內(nèi)核和包覆于Si內(nèi)核表面的SiO層以及包覆于SiO表面的TiO<subgt;2</subgt;層。本發(fā)明專利技術(shù)的關(guān)鍵在于設(shè)計并合成了具有特定結(jié)構(gòu)的TiO<subgt;2</subgt;@SiO@Si/RGO硅基負極材料,首先對Si內(nèi)核依次進行SiO和TiO<subgt;2</subgt;雙層包覆,再將TiO<subgt;2</subgt;@SiO@Si顆粒均勻復(fù)合到具有三維骨架結(jié)構(gòu)的RGO上,由此所得的TiO<subgt;2</subgt;@SiO@Si/RGO硅基負極材料不僅能夠有效抑制硅基負極材料在鋰離子電池中應(yīng)用時的體積膨脹,還有利于促進電子的傳遞,從而提高其倍率性能以及首效性能、循環(huán)性能。

    【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】

    本專利技術(shù)屬于鋰電池負極材料領(lǐng)域,具體涉及一種tio2@sio@si/rgo硅基負極材料及其制備方法與應(yīng)用。


    技術(shù)介紹

    1、目前市面上常用的負極材料為石墨類負極材料,現(xiàn)有技術(shù)合成的高端石墨克容量可以達到360~365mah/g,非常接近理論容量372mah/g,但已無法滿足人們的更高能量密度需求。硅(si)負極材料的常溫理論克容量3580mah/g,高溫理論克容量為4200mah/g,是石墨材料理論值的近十倍。硅負極材料具有環(huán)境友好、較低的脫嵌鋰電位(0.4v)、資源豐富等優(yōu)點。但硅在充放電過程中存在嚴重的體積膨脹(>300%),導(dǎo)致電極材料破裂甚至出現(xiàn)粉化現(xiàn)象,造成硅負極表面的sei膜不斷的破裂和生成,消耗大量的電解液和活性li+,增加電極的極化,導(dǎo)致極差的循環(huán)性能。巨大的體積變化也會導(dǎo)致顆粒間的或者顆粒與集流體之間失去電接觸,導(dǎo)致活性物質(zhì)從集流體脫落,同時其自身較差的導(dǎo)電性也會制約其發(fā)展。

    2、針對以上問題,對si負極的改性研究主要包括不同維度的納米化硅、碳包覆、氧化亞硅材料、氧化亞硅包覆、si/金屬合金以及配套si負極使用的導(dǎo)電添加劑、電解液和粘結(jié)劑的開發(fā)。然而,以上方法雖然能夠在一定程度上改善si負極的體積膨脹,但是對于si負極的倍率性能、循環(huán)性能、首效等的改善有一定的局限性。


    技術(shù)實現(xiàn)思路

    1、本專利技術(shù)針對現(xiàn)有的硅基負極材料倍率性能較差的問題,而提供了一種tio2@sio@si/rgo硅基負極材料及其制備方法與應(yīng)用。

    2、第一方面,本專利技術(shù)提供了一種tio2@sio@si/rgo硅基負極材料,所述tio2@sio@si/rgo硅基負極材料包括具有三維骨架結(jié)構(gòu)的rgo和復(fù)合于rgo上的tio2@sio@si顆粒;所述tio2@sio@si顆粒包括si內(nèi)核和包覆于si內(nèi)核表面的sio層以及包覆于sio表面的tio2層。

    3、在一種優(yōu)選的實施方式中,所述si內(nèi)核含有至少一個si顆粒。

    4、在一種優(yōu)選的實施方式中,所述si顆粒的d50粒徑為0.05~5μm。

    5、在一種優(yōu)選的實施方式中,所述rgo與tio2@sio@si顆粒的質(zhì)量比為(0.5~2):100。

    6、在一種優(yōu)選的實施方式中,所述tio2@sio@si顆粒中sio與si的摩爾比為(0.9~1.2):1。

    7、在一種優(yōu)選的實施方式中,所述tio2@sio@si顆粒中tio2的質(zhì)量分數(shù)為20~25wt%。

    8、第二方面,本專利技術(shù)提供了上述tio2@sio@si/rgo硅基負極材料的制備方法,所述制備方法包括以下步驟:

    9、s1.將硅粉、硅酸酯類化合物、水、有機溶劑ⅰ混合后在堿性條件下處理后得到sio@si前驅(qū)體材料,再將sio@si前驅(qū)體材料經(jīng)過第一煅燒處理,即得到包括si內(nèi)核和包覆于si內(nèi)核表面的sio層的sio@si顆粒;

    10、s2.將sio@si顆粒、鈦酸酯類化合物、有機溶劑ⅱ、酸性物質(zhì)混合得到混合物a,將水與有機溶劑ⅲ混合得到溶液b,然后將混合物a與溶液b混合并進行溶膠-凝膠反應(yīng),分離、干燥后即得到tio2@sio@si前驅(qū)體材料;

    11、s3.將tio2@sio@si前驅(qū)體材料、氧化石墨烯分散液、還原劑混合后進行氧化-還原反應(yīng),再將所得tio2@sio@si/rgo水凝膠前驅(qū)體進行冷凍干燥然后將所得tio2@sio@si/rgo氣凝膠前驅(qū)體進行第二煅燒處理,即得到tio2@sio@si/rgo硅基負極材料。

    12、在一種優(yōu)選的實施方式中,步驟s1中,所述硅粉與硅酸酯類化合物的摩爾比為1:(0.9~1.2)。

    13、在一種優(yōu)選的實施方式中,步驟s1中,所述堿性條件包括ph為8~9。

    14、在一種優(yōu)選的實施方式中,步驟s2中,所述sio@si顆粒與鈦酸酯類化合物的質(zhì)量比為1:(1~1.4)。

    15、在一種優(yōu)選的實施方式中,步驟s2中,所述酸性物質(zhì)的用量為使得混合物a的ph為3~6。

    16、在一種優(yōu)選的實施方式中,步驟s3中,所述tio2@sio@si前驅(qū)體材料與氧化石墨烯的質(zhì)量比為100:(0.5~2)。

    17、在一種優(yōu)選的實施方式中,步驟s3中,所述氧化石墨烯分散液的濃度為2.5~6mg/ml。

    18、在一種優(yōu)選的實施方式中,步驟s3中,所述氧化石墨烯與還原劑的質(zhì)量比為1:(0.2~2.5)。

    19、在一種優(yōu)選的實施方式中,所述第一煅燒處理的條件包括:溫度為900~1100℃,時間為2~4h。

    20、在一種優(yōu)選的實施方式中,所述第二煅燒處理的條件包括:溫度為400~500℃,時間為1~2h。

    21、在一種優(yōu)選的實施方式中,所述溶膠-凝膠反應(yīng)的時間為1~3h。

    22、在一種優(yōu)選的實施方式中,所述溶膠-凝膠反應(yīng)之后還包括20~28h的陳化步驟。

    23、在一種優(yōu)選的實施方式中,所述氧化-還原反應(yīng)的條件包括:溫度為90~180℃,時間為6~12h。

    24、在一種優(yōu)選的實施方式中,所述硅粉的d50粒徑為0.05~5μm。

    25、在一種優(yōu)選的實施方式中,所述硅酸酯類化合物選自原硅酸四乙酯、正硅酸四甲酯、正硅酸四丙酯和正硅酸四丁酯中的至少一種。

    26、在一種優(yōu)選的實施方式中,所述鈦酸酯類化合物選自鈦酸四乙酯、鈦酸異丙酯、鈦酸四丁酯、異辛醇鈦和乙酰丙酮鈦中的至少一種。

    27、在一種優(yōu)選的實施方式中,所述有機溶劑ⅰ、有機溶劑ⅱ和有機溶劑ⅲ各自獨立地選自正丁醇、異丁醇和乙醇中的至少一種。

    28、在一種優(yōu)選的實施方式中,所述還原劑選自次硫酸氫鈉甲醛、硫化鈉、抗壞血酸、碘化氫和對苯二酚中的至少一種。

    29、第三方面,本專利技術(shù)還提供了上述tio2@sio@si/rgo硅基負極材料在鋰離子電池中的應(yīng)用。

    30、本專利技術(shù)的關(guān)鍵在于設(shè)計并合成了具有特定結(jié)構(gòu)的tio2@sio@si/rgo硅基負極材料,首先通過溶膠凝膠法對si內(nèi)核依次進行sio和tio2雙層包覆,該結(jié)構(gòu)由內(nèi)到外對si的體積膨脹抑制能力,由內(nèi)到外逐漸增強,其中,sio和tio2之間通過si-o-ti化學(xué)鍵結(jié)合,結(jié)構(gòu)更穩(wěn)定,且有利于降低界面電阻,其次,tio2@sio@si顆粒通過形成ti-o-c化學(xué)鍵的方式均勻錨定在具有三維骨架結(jié)構(gòu)的rgo上,由此所得的tio2@sio@si/rgo硅基負極材料由于具有sio和tio2雙層包覆以及三維骨架結(jié)構(gòu),不僅能夠有效抑制硅基負極材料在鋰離子電池中應(yīng)用時的體積膨脹,還有利于促進離子的傳遞,從而提高其倍率性能和首效性能。此外,由于sio和tio2包覆層之間通過si-o-ti化學(xué)鍵結(jié)合以及tio2@sio@si顆粒與rgo之間通過ti-o-c化學(xué)鍵結(jié)合,該tio2@sio@si/rgo硅基負極材料結(jié)構(gòu)穩(wěn)定,具有良好的循環(huán)性能。

    本文檔來自技高網(wǎng)...

    【技術(shù)保護點】

    1.一種TiO2@SiO@Si/RGO硅基負極材料,其特征在于,所述TiO2@SiO@Si/RGO硅基負極材料包括具有三維骨架結(jié)構(gòu)的RGO和復(fù)合于RGO上的TiO2@SiO@Si顆粒;所述TiO2@SiO@Si顆粒包括Si內(nèi)核和包覆于Si內(nèi)核表面的SiO層以及包覆于SiO表面的TiO2層。

    2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TiO2@SiO@Si/RGO硅基負極材料,其特征在于,所述Si內(nèi)核含有至少一個Si顆粒;優(yōu)選地,所述Si顆粒的D50粒徑為0.05~5μm。

    3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TiO2@SiO@Si/RGO硅基負極材料,其特征在于,所述RGO與TiO2@SiO@Si顆粒的質(zhì)量比為(0.5~2):100。

    4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TiO2@SiO@Si/RGO硅基負極材料,其特征在于,所述TiO2@SiO@Si顆粒中SiO與Si的摩爾比為(0.9~1.2):1;

    5.權(quán)利要求1~4中任意一項所述的TiO2@SiO@Si/RGO硅基負極材料的制備方法,其特征在于,所述制備方法包括以下步驟:

    6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的TiO2@SiO@Si/RGO硅基負極材料的制備方法,其特征在于,步驟S1中,所述硅粉與硅酸酯類化合物的摩爾比為1:(0.9~1.2);

    7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的TiO2@SiO@Si/RGO硅基負極材料的制備方法,其特征在于,所述第一煅燒處理的條件包括:溫度為900~1100℃,時間為2~4h;

    8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的TiO2@SiO@Si/RGO硅基負極材料的制備方法,其特征在于,所述溶膠-凝膠反應(yīng)的時間為1~3h;優(yōu)選地,所述溶膠-凝膠反應(yīng)之后還包括20~28h的陳化步驟;優(yōu)選地,所述氧化-還原反應(yīng)的條件包括:溫度為90~180℃,時間為6~12h。

    9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的TiO2@SiO@Si/RGO硅基負極材料的制備方法,其特征在于,所述硅粉的D50粒徑為0.05~5μm;

    10.權(quán)利要求1~4中任意一項所述的TiO2@SiO@Si/RGO硅基負極材料在鋰離子電池中的應(yīng)用。

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    【技術(shù)特征摘要】

    1.一種tio2@sio@si/rgo硅基負極材料,其特征在于,所述tio2@sio@si/rgo硅基負極材料包括具有三維骨架結(jié)構(gòu)的rgo和復(fù)合于rgo上的tio2@sio@si顆粒;所述tio2@sio@si顆粒包括si內(nèi)核和包覆于si內(nèi)核表面的sio層以及包覆于sio表面的tio2層。

    2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的tio2@sio@si/rgo硅基負極材料,其特征在于,所述si內(nèi)核含有至少一個si顆粒;優(yōu)選地,所述si顆粒的d50粒徑為0.05~5μm。

    3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的tio2@sio@si/rgo硅基負極材料,其特征在于,所述rgo與tio2@sio@si顆粒的質(zhì)量比為(0.5~2):100。

    4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的tio2@sio@si/rgo硅基負極材料,其特征在于,所述tio2@sio@si顆粒中sio與si的摩爾比為(0.9~1.2):1;

    5.權(quán)利要求1~4中任意一項所述的tio2@sio@si/rgo硅基負極材料的制備方法,其特征...

    【專利技術(shù)屬性】
    技術(shù)研發(fā)人員:賴鳳麟高云鐘志良安富強
    申請(專利權(quán))人:福建龍凈儲能電池有限公司
    類型:發(fā)明
    國別省市:

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