本申請實施例公開了一種光掩膜圖像處理方法、裝置、電子設備及存儲介質。該方案可以獲取至少一個光掩膜圖像，并根據光掩膜圖像的位置信息建立多條相同間隔的水平掃描線，依次遍歷每條掃描線上與光掩膜圖像的交點，并計算當前掃描線上的交點與相鄰的上一條掃描線上的交點之間的水平距離，若水平距離小于預設水平間隔，則刪除當前掃描線上的交點，在遍歷得到的全部交點中，根據每兩個相鄰交點確定頂點位置，連接全部頂點位置以得到光掩膜圖像的第一目標圖像。本申請實施例通過水平掃描線確定光掩模圖像中的交點以及頂點，連接頂點后得到第一目標圖像，從而快速完成圖像的曼哈頓化，并且可以滿足加工精度的要求，提升計算效率。
【技術實現步驟摘要】
本申請涉及芯片制造，具體涉及一種光掩膜圖像處理方法、裝置、電子設備及存儲介質。
技術介紹
1、在半導體制造領域，計算光刻技術是推動芯片制程不斷突破的關鍵因素之一。隨著集成電路的尺寸不斷縮小，計算光刻技術應運而生，成為提升光刻精度和芯片性能的重要手段。
2、光刻曝光是將集成電路設計圖形從掩膜轉移到硅片或其他半導體基片表面上的工藝過程，是實現芯片制造的關鍵技術。在摩爾定律的推動下，集成電路的尺寸不斷縮小，光刻技術同樣逐步逼近其分辨率的物理極限，同時光刻系統的衍射受限特性，以及各類系統像差、誤差和工藝偏差，導致圖案模糊或失真，嚴重影響光刻成像精度。計算光刻技術基于光學成像和光刻工藝模型，采用數學方法對光刻系統參數和工藝參數進行獨立或綜合優化設計，通過計算機模擬和優化光刻過程以補償因衍射或光學、抗蝕劑和蝕刻鄰近效應而導致的各種圖像誤差，從而提高芯片制造的良率和性能。
3、為提升光刻良率，在光掩模制造階段，通常采用輔助單元提升圖形的成像質量，已減少邊緣特征圓化、相鄰圖形間曝光圖像混疊等問題。通過計算光刻仿真得到的高質量成像的輔助單元通常是曲線圖形，此類輔助子圖形在光掩模加工制造過程中存在極大的工藝誤差，無法準確加工時造成優化得到的輔助圖形無法用于提升曝光圖像質量。
技術實現思路
1、本申請提供一種光掩膜圖像處理方法、裝置、電子設備及存儲介質，通過水平掃描線確定光掩模圖像中的交點以及頂點，從而快速完成圖像的曼哈頓化，并且可以滿足加工精度的要求，提升計算效率。
>2、本申請提供一種光掩膜圖像處理方法，包括：3、獲取至少一個光掩膜圖像，并根據所述光掩膜圖像的位置信息建立多條相同間隔的水平掃描線；
4、依次遍歷每條掃描線上與所述光掩膜圖像的交點，并計算當前掃描線上的交點與相鄰的上一條掃描線上的交點之間的水平距離；
5、若所述水平距離小于預設水平間隔，則刪除當前掃描線上的交點；
6、在遍歷得到的全部交點中，根據每兩個相鄰交點確定頂點位置，連接全部頂點位置以得到所述光掩膜圖像的第一目標圖像。
7、可選的，根據所述光掩膜圖像的位置信息建立多條相同間隔的水平掃描線，包括：
8、根據所述光掩膜圖像的加工精度確定預設垂直間隔；
9、按照所述預設垂直間隔以及所述光掩膜圖像的位置信息建立多條水平掃描線。
10、可選的，所述方法還包括：
11、當首次遍歷到與所述光掩膜圖像沒有交點的掃描線時，獲取上一條掃描線上的交點；
12、根據所述上一條掃描線上的交點的位置信息以及所述預設垂直間隔生成新的交點。
13、可選的，根據每兩個相鄰交點確定頂點位置，包括：
14、針對所述相鄰交點分別生成水平延長線以及垂直延長線；
15、獲取所述水平延長線以及垂直延長線的兩個交叉點，并將位于所述光掩膜圖像外部的交叉點確定為所述頂點位置。
16、可選的，所述方法還包括：
17、獲取每個光掩膜圖像的第一目標圖像與相鄰的光掩膜圖像的第一目標圖像之間的最小間距；
18、若所述最小間距小于預設間距，則在當前光掩膜圖像當中將位于所述光掩膜圖像內部的交叉點確定為新的頂點位置；
19、連接全部所述新的頂點位置以得到所述光掩膜圖像的第二目標圖像。
20、可選的，所述方法還包括：
21、將所述光掩膜圖像的第一目標圖像輸入到光刻仿真模型中，以對仿真精度進行驗證。
22、可選的，通過以下公式計算空間曝光強度和光刻膠光強分布，以進行驗證：
23、
24、其中，表示位置坐標，為空間曝光強度，為光刻膠光強分布，為光學核函數，表示有效截斷光學核函數，用于描述光源在棱鏡中的傳播效應，表示第一目標圖像對應的透射稀疏，表示卷積算子，表示光刻膠響應函數。
25、本申請還提供一種光掩膜圖像處理裝置，包括：
26、獲取模塊，用于獲取至少一個光掩膜圖像，并根據所述光掩膜圖像的位置信息建立多條相同間隔的水平掃描線；
27、計算模塊，用于依次遍歷每條掃描線上與所述光掩膜圖像的交點，并計算當前掃描線上的交點與相鄰的上一條掃描線上的交點之間的水平距離；
28、刪除模塊，用于當所述水平距離小于預設水平間隔時，刪除當前掃描線上的交點；
29、確定模塊，用于在遍歷得到的全部交點中，根據每兩個相鄰交點確定頂點位置，連接全部頂點位置以得到所述光掩膜圖像的第一目標圖像。
30、本申請還提供一種電子設備，其特征在于，所述電子設備包括存儲器和處理器，所述存儲器中存儲有計算機程序，所述處理器通過調用所述存儲器中存儲的所述計算機程序，執行本申請提供的任一項所述光掩膜圖像處理方法中的步驟。
31、本申請還提供一種存儲介質，其特征在于，所述存儲介質存儲有計算機程序，所述計算機程序適于處理器進行加載，以執行本申請提供的任一項所述光掩膜圖像處理方法中的步驟。
32、本申請提供的光掩膜圖像處理方法，可以獲取至少一個光掩膜圖像，并根據光掩膜圖像的位置信息建立多條相同間隔的水平掃描線，依次遍歷每條掃描線上與光掩膜圖像的交點，并計算當前掃描線上的交點與相鄰的上一條掃描線上的交點之間的水平距離，若水平距離小于預設水平間隔，則刪除當前掃描線上的交點，在遍歷得到的全部交點中，根據每兩個相鄰交點確定頂點位置，連接全部頂點位置以得到光掩膜圖像的第一目標圖像。本申請實施例通過水平掃描線確定光掩模圖像中的交點以及頂點，連接頂點后得到第一目標圖像，從而快速完成圖像的曼哈頓化，并且可以滿足加工精度的要求，提升計算效率。
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【技術保護點】
1.一種光掩膜圖像處理方法，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的光掩膜圖像處理方法，其特征在于，根據所述光掩膜圖像的位置信息建立多條相同間隔的水平掃描線，包括：
3.如權利要求2所述的光掩膜圖像處理方法，其特征在于，所述方法還包括：
4.如權利要求1所述的光掩膜圖像處理方法，其特征在于，根據每兩個相鄰交點確定頂點位置，包括：
5.如權利要求4所述的光掩膜圖像處理方法，其特征在于，所述方法還包括：
6.如權利要求1所述的光掩膜圖像處理方法，其特征在于，所述方法還包括：
7.如權利要求6所述的光掩膜圖像處理方法，其特征在于，通過以下公式計算空間曝光強度和光刻膠光強分布，以進行驗證：
8.一種光掩膜圖像處理裝置，其特征在于，包括：
9.一種電子設備，其特征在于，所述電子設備包括存儲器和處理器，所述存儲器中存儲有計算機程序，所述處理器通過調用所述存儲器中存儲的所述計算機程序，執行如權利要求1-7任一項所述的光掩膜圖像處理方法中的步驟。
10.一種存儲介質，其特征在于，所述存儲介質存儲有計算機程序，所述計算機程序適于處理器進行加載，以執行如權利要求1-7任一項所述的光掩膜圖像處理方法中的步驟。
...
【技術特征摘要】
1.一種光掩膜圖像處理方法，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的光掩膜圖像處理方法，其特征在于，根據所述光掩膜圖像的位置信息建立多條相同間隔的水平掃描線，包括：
3.如權利要求2所述的光掩膜圖像處理方法，其特征在于，所述方法還包括：
4.如權利要求1所述的光掩膜圖像處理方法，其特征在于，根據每兩個相鄰交點確定頂點位置，包括：
5.如權利要求4所述的光掩膜圖像處理方法，其特征在于，所述方法還包括：
6.如權利要求1所述的光掩膜圖像處理方法，其特征在于，所述方法還包括：
7.如...
【專利技術屬性】
技術研發人員：請求不公布姓名，
申請(專利權)人：華芯程杭州科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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