半導體元件制造技術

一種半導體元件包含半導體區(qū)域、柵極堆疊以及鰭片隔離區(qū)域。柵極堆疊在半導體區(qū)域上，其中柵極堆疊包含第一柵極堆疊部位以及第二柵極堆疊部位。鰭片隔離區(qū)域分離第一柵極堆疊部位以及第二柵極堆疊部位，其中鰭片隔離區(qū)域包含第一部分以及多個第二部分。第一部分高于柵極堆疊的底面。多個第二部分位于第一部分下方并連接至第一部分，其中多個第二部分中的第一最外側部分具有第一深度，第一深度等于或是大于多個第二部分中的內側部分的第二深度。

【技術實現步驟摘要】

本申請是有關于一種半導體元件。

技術介紹

1、集成電路(ic)材料和設計方面的技術進步產生了數個世代的ic，其中每一代都有比前幾代更小、更復雜的電路。在集成電路的演變過程中，功能密度(例如，每個晶片面積上的互連元件的數量)通常增加，而幾何尺寸則減少。這種縮減過程通常通過提高生產效率和降低相關成本來提供好處。

2、這種縮減也增加了加工和制造集成電路的復雜性，為了實現這些進展，需要在集成電路加工和制造方面有類似的發(fā)展。例如，鰭式場效晶體管(fin?field-effecttransistors,finfets)已被引入以取代平面晶體管。鰭式場效晶體管的結構和制造鰭式場效晶體管的方法正在開發(fā)之中。

3、鰭式場效晶體管的形成通常包含形成長的半導體鰭片和長的柵極堆疊，然后形成隔離區(qū)域，將長的半導體鰭片和長的柵極堆疊切割成較短的部位，這些部位作為finfet的鰭片和柵極堆疊。

技術實現思路

1、本申請?zhí)峁┮环N半導體元件，用以解決現有技術關于漏電電流的能力受到不利影響的問題。

2、根據一些實施例，一種半導體元件包含半導體區(qū)域、柵極堆疊以及鰭片隔離區(qū)域。柵極堆疊在半導體區(qū)域上，其中柵極堆疊包含第一柵極堆疊部位以及第二柵極堆疊部位。鰭片隔離區(qū)域分離第一柵極堆疊部位以及第二柵極堆疊部位，其中鰭片隔離區(qū)域包含第一部分以及多個第二部分。第一部分高于柵極堆疊的底面。多個第二部分位于第一部分下方并連接至第一部分，其中多個第二部分中的第一最外側部分具有第一深度，第一深度等于或是大于多個第二部分中的內側部分的第二深度。

3、根據一些實施例，一種半導體元件包含半導體基材、第一介電絕緣區(qū)域、多個半導體鰭片、柵極堆疊以及第二介電絕緣區(qū)域。第一介電絕緣區(qū)域延伸進入半導體基材。多個半導體鰭片，突出高于第一介電絕緣區(qū)域且互相平行。柵極堆疊在多個半導體鰭片上方。多個源極/漏極區(qū)域延伸進入多個半導體鰭片。第二介電絕緣區(qū)域接觸多個半導體鰭片的側壁。柵極堆疊以及第二介電絕緣區(qū)域位于多個源極/漏極區(qū)域的相對兩側。第二介電絕緣區(qū)域包含上方部份以及多個下方部分。多個下方部分位于上方部分下方且連接上方部分，其中多個下方部分中的外側部分較多個下方部分的內側部分深。

4、根據一些實施例，一種半導體元件包含半導體基材、第一介電絕緣區(qū)域、多個一半導體鰭片、多個第一源極/漏極區(qū)域、多個第二源極/漏極區(qū)域以及第二介電絕緣區(qū)域。第一介電絕緣區(qū)域延伸進入半導體基材。多個半導體鰭片突出高于第一介電絕緣區(qū)域且互相平行。多個第一源極/漏極區(qū)域延伸進入多個半導體鰭片。多個第二源極/漏極區(qū)域延伸進入多個半導體鰭片。第二介電絕緣區(qū)域接觸多個半導體鰭片的側壁。多個第一源極/漏極區(qū)域以及多個第二源極/漏極區(qū)域位于第二介電絕緣區(qū)域的相對兩側。第二介電絕緣區(qū)域包含。上方部分以及多個下方部分。下方部分位于上方部分下方且連接上方部分。多個下方部分中的外側部分較多個下方部分的內側部分深。

5、通過上述的半導體元件，鰭片隔離區(qū)域可以具有更深的最外側隔離區(qū)域，從而提高其阻斷泄漏電流的能力。

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【技術保護點】

1.一種半導體元件，其特征在于，包含：

2.如權利要求1所述的半導體元件，其特征在于，該第一深度等于該第二深度。

3.如權利要求1所述的半導體元件，其特征在于，該第一深度大于該第二深度。

4.如權利要求1所述的半導體元件，其特征在于，所述多個第二部分進一步包含：

5.如權利要求1所述的半導體元件，其特征在于，進一步包含一柵極隔離區(qū)域貫穿該柵極堆疊，其中該鰭片隔離區(qū)域接觸該柵極隔離區(qū)域。

6.如權利要求5所述的半導體元件，其特征在于，該鰭片隔離區(qū)域延伸進入該柵極隔離區(qū)域。

7.一種半導體元件，其特征在于，包含：

8.如權利要求7所述的半導體元件，其特征在于，所述多個下方部分的一最外側部分是所述多個下方部分中最深的。

9.如權利要求8所述的半導體元件，其特征在于，所述多個下方部分中的一中心部分是所述多個下方部分中最淺的。

10.一種半導體元件，其特征在于，包含：

【技術特征摘要】

1.一種半導體元件，其特征在于，包含：

2.如權利要求1所述的半導體元件，其特征在于，該第一深度等于該第二深度。

3.如權利要求1所述的半導體元件，其特征在于，該第一深度大于該第二深度。

4.如權利要求1所述的半導體元件，其特征在于，所述多個第二部分進一步包含：

5.如權利要求1所述的半導體元件，其特征在于，進一步包含一柵極隔離區(qū)域貫穿該柵極堆疊，其中該鰭片隔離區(qū)域接觸該柵極隔離區(qū)域。<...

【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：林子敬，陳宜群，林日澤，
申請(專利權)人：臺灣積體電路制造股份有限公司，
類型：新型
國別省市：