【技術實現步驟摘要】
本申請涉及電源電路領域，特別涉及一種功率因數校正升壓電路及其控制方法、控制設備、介質。
技術介紹
1、功率因數校正(power?factor?correction，pfc)升壓電路是一種非隔離型的功率因數校正電路，通常位于整流橋和dc/dc(直流/直流)轉換器之間。它能夠將電網提供的畸變電流整形為與電網電壓近似同相位的正弦波電流，從而提高功率因數。
2、pfc升壓電路包括充電電感以及可控的開關管，其中開關管的控制方式有連續導通模式(continuous?conduction?mode，ccm)，在該模式下，開關管的開關頻率為固定頻率，該固定頻率通常與pfc升壓電路處于滿載狀態下相匹配，但在pfc升壓電路處于非滿載狀態下時，pfc升壓電路的效率較低。
技術實現思路
1、本申請提供一種功率因數校正升壓電路及其控制方法、控制設備、介質，提高功率因數校正升壓電路在非滿載狀態下的效率。
2、第一方面，本申請實施例提供一種功率因數校正升壓電路，其包括：充電電感，充電電感包括磁芯組件以及繞設于磁芯組件上的線圈，磁芯組件設置為具有隨輸入充電電感的輸入電流變化的等效氣隙；輸出二極管，充電電感、輸出二極管依次串聯于正極輸入端與正極輸出端之間；輸出電容，并聯于正極輸出端與負極輸出端之間；開關管，連接于充電電感的電感輸出端與負極輸入端之間；以及控制電路，與開關管的控制端連接，控制電路被配置為根據輸入電流向開關管配置與磁芯組件的實際等效氣隙相匹配的開關頻率。
3、根據本申
4、根據本申請第一方面的前述任一實施方式，第二磁芯的橫截面積在從第一端部向第二端部的方向上呈階梯狀逐漸增大，使得磁芯組件隨輸入充電電感的輸入電流的增加而具有階梯增大的等效氣隙。
5、根據本申請第一方面的前述任一實施方式，功率因數校正升壓電路的實際負載功率具有與第二磁芯的階梯數量相對應的多個負載檔位，開關管的開關頻率具有與多個負載檔位一一對應的多個頻率檔位，控制電路被配置為根據實際負載功率所處的負載檔位控制開關管工作于對應的頻率檔位，其中，每個負載檔位的功率值與滿載功率值的比值，等于對應頻率檔位的頻率值與滿載開關頻率值的比值，滿載功率值為功率因數校正升壓電路處于滿載狀態下的負載功率，滿載開關頻率值為功率因數校正升壓電路處于滿載狀態下對應預設的開關頻率。
6、根據本申請第一方面的前述任一實施方式，第二磁芯的橫截面積在從第一端部向第二端部的方向上呈線性逐漸增大，使得磁芯組件隨輸入充電電感的輸入電流的增加而具有線性增大的等效氣隙。
7、根據本申請第一方面的前述任一實施方式，控制電路被配置為根據功率因數校正升壓電路的實際負載功率與滿載功率值的比值，向開關管配置與磁芯組件的實際等效氣隙相匹配的開關頻率，所述實際負載功率根據所述輸入電流得到。
8、根據本申請第一方面的前述任一實施方式，控制電路包括：輸入電流獲取模塊，與充電電感連接，用于獲取輸入充電電感的輸入電流；控制執行模塊，與輸入電流獲取模塊以及開關管的控制端連接，用于向開關管發送驅動信號，驅動信號用于控制開關管工作于連續導通模式，并且驅動信號根據輸入電流配置有與磁芯組件的實際等效氣隙相匹配的開關頻率。
9、第二方面，本申請實施例提供一種功率因數校正升壓電路的控制方法，其應用于前述任一實施方式的功率因數校正升壓電路，功率因數校正升壓電路的控制方法包括：獲取輸入充電電感的輸入電流；根據輸入電流向開關管配置與磁芯組件的實際等效氣隙相匹配的開關頻率，并控制開關管工作于連續導通模式。
10、根據本申請第二方面的前述任一實施方式，所述磁芯組件包括第一磁芯和第二磁芯，所述第一磁芯設置為半環繞形狀以具有開口，所述第一磁芯在所述開口處具有相對的第一端部和第二端部，所述第二磁芯設置于所述開口并連接于所述第一端部與所述第二端部之間，所述第二磁芯的橫截面積在從所述第一端部向所述第二端部的方向上逐漸增大，所述第二磁芯的飽和磁通密度小于所述第一磁芯的飽和磁通密度，所述第二磁芯的橫截面積在從所述第一端部向所述第二端部的方向上呈階梯狀逐漸增大，所述根據所述輸入電流向所述開關管配置與所述磁芯組件的實際等效氣隙相匹配的開關頻率包括：獲取功率因數校正升壓電路的實際負載功率所處的負載檔位，其中所述負載檔位的預設數量與所述第二磁芯的階梯數量相對應，所述實際負載功率根據所述輸入電流得到；根據所述實際負載功率所處的所述負載檔位控制所述開關管工作于對應的頻率檔位，其中，所述頻率檔位與所述負載檔位一一對應。
11、根據本申請第二方面的前述任一實施方式，每個所述負載檔位的功率值與滿載功率值的比值，等于對應所述頻率檔位的頻率值與滿載開關頻率值的比值，所述滿載功率值為所述功率因數校正升壓電路處于滿載狀態下的負載功率，所述滿載開關頻率值為所述功率因數校正升壓電路處于滿載狀態下對應預設的所述開關頻率。
12、根據本申請第二方面的前述任一實施方式，所述磁芯組件包括第一磁芯和第二磁芯，所述第一磁芯設置為半環繞形狀以具有開口，所述第一磁芯在所述開口處具有相對的第一端部和第二端部，所述第二磁芯設置于所述開口并連接于所述第一端部與所述第二端部之間，所述第二磁芯的橫截面積在從所述第一端部向所述第二端部的方向上逐漸增大，所述第二磁芯的飽和磁通密度小于所述第一磁芯的飽和磁通密度，所述第二磁芯的橫截面積在從所述第一端部向所述第二端部的方向上呈線性逐漸增大，所述根據所述輸入電流向所述開關管配置與所述磁芯組件的實際等效氣隙相匹配的開關頻率包括：根據所述功率因數校正升壓電路的實際負載功率與滿載功率值的比值，向所述開關管配置與所述磁芯組件的實際等效氣隙相匹配的所述開關頻率，所述實際負載功率根據所述輸入電流得到。
13、第三方面，本申請實施例提供一種開關管控制設備，開關管控制設備包括存儲器和至少一個處理器，存儲器與至少一個處理器電連接，存儲器中存儲有指令，至少一個處理器調用存儲器中的指令，使得開關管控制設備執行根據本申請第二方面的前述任一實施方式的功率因數校正升壓電路的控制方法。
14、第四方面，本申請實施例提供一種計算機可讀存儲介質，計算機可讀存儲介質上存儲有指令，指令被處理器執行時實現根據本申請第二方面的前述任一實施方式的功率因數校正升壓電路的控制方法。
15、根據本申請實施例的功率因數校正升壓電路，其充電電感包括磁芯組件以及繞設于磁芯組件上的線圈，其中磁芯組件設置為具有隨輸入充電電感的輸入電流變化的等效氣隙，當功率因數校正升壓電路處于負載較大的狀態時，即在重載狀態時，輸入電流更高，此時等效氣隙加大，充電電感的感量降低，磁芯組件的飽和本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種功率因數校正升壓電路，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的功率因數校正升壓電路，其特征在于，所述磁芯組件包括第一磁芯和第二磁芯，所述第一磁芯設置為半環繞形狀以具有開口，所述第一磁芯在所述開口處具有相對的第一端部和第二端部，所述第二磁芯設置于所述開口并連接于所述第一端部與所述第二端部之間，所述第二磁芯的橫截面積在從所述第一端部向所述第二端部的方向上逐漸增大，所述第二磁芯的飽和磁通密度小于所述第一磁芯的飽和磁通密度。
3.如權利要求2所述的功率因數校正升壓電路，其特征在于，所述第二磁芯的橫截面積在從所述第一端部向所述第二端部的方向上呈階梯狀逐漸增大，使得所述磁芯組件隨輸入所述充電電感的輸入電流的增加而具有階梯增大的等效氣隙。
4.如權利要求3所述的功率因數校正升壓電路，其特征在于，所述功率因數校正升壓電路的實際負載功率具有與所述第二磁芯的階梯數量相對應的多個負載檔位，所述開關管的開關頻率具有與所述多個負載檔位一一對應的多個頻率檔位，所述控制電路被配置為根據所述實際負載功率所處的所述負載檔位控制所述開關管工作于對應的所述頻率檔位，>
5.如權利要求2所述的功率因數校正升壓電路，其特征在于，所述第二磁芯的橫截面積在從所述第一端部向所述第二端部的方向上呈線性逐漸增大，使得所述磁芯組件隨輸入所述充電電感的輸入電流的增加而具有線性增大的等效氣隙。
6.如權利要求5所述的功率因數校正升壓電路，其特征在于，所述控制電路被配置為根據所述功率因數校正升壓電路的實際負載功率與滿載功率值的比值，向所述開關管配置與所述磁芯組件的實際等效氣隙相匹配的所述開關頻率，所述實際負載功率根據所述輸入電流得到。
7.如權利要求1所述的功率因數校正升壓電路，其特征在于，所述控制電路包括：
8.一種功率因數校正升壓電路的控制方法，其特征在于，應用于如權利要求1至7任一項所述的功率因數校正升壓電路，所述功率因數校正升壓電路的控制方法包括：
9.如權利要求8所述的功率因數校正升壓電路的控制方法，其特征在于，應用于如權利要求3所述的功率因數校正升壓電路，
10.如權利要求9所述的功率因數校正升壓電路的控制方法，其特征在于，每個所述負載檔位的功率值與滿載功率值的比值，等于對應所述頻率檔位的頻率值與滿載開關頻率值的比值，
11.如權利要求8所述的功率因數校正升壓電路的控制方法，其特征在于，應用于如權利要求5所述的功率因數校正升壓電路，
12.一種開關管控制設備，其特征在于，所述開關管控制設備包括存儲器和至少一個處理器，所述存儲器與所述至少一個處理器電連接，所述存儲器中存儲有指令，
13.一種計算機可讀存儲介質，所述計算機可讀存儲介質上存儲有指令，其特征在于，所述指令被處理器執行時實現如權利要求8至11任一項所述的功率因數校正升壓電路的控制方法。
...【技術特征摘要】
1.一種功率因數校正升壓電路，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的功率因數校正升壓電路，其特征在于，所述磁芯組件包括第一磁芯和第二磁芯，所述第一磁芯設置為半環繞形狀以具有開口，所述第一磁芯在所述開口處具有相對的第一端部和第二端部，所述第二磁芯設置于所述開口并連接于所述第一端部與所述第二端部之間，所述第二磁芯的橫截面積在從所述第一端部向所述第二端部的方向上逐漸增大，所述第二磁芯的飽和磁通密度小于所述第一磁芯的飽和磁通密度。
3.如權利要求2所述的功率因數校正升壓電路，其特征在于，所述第二磁芯的橫截面積在從所述第一端部向所述第二端部的方向上呈階梯狀逐漸增大，使得所述磁芯組件隨輸入所述充電電感的輸入電流的增加而具有階梯增大的等效氣隙。
4.如權利要求3所述的功率因數校正升壓電路，其特征在于，所述功率因數校正升壓電路的實際負載功率具有與所述第二磁芯的階梯數量相對應的多個負載檔位，所述開關管的開關頻率具有與所述多個負載檔位一一對應的多個頻率檔位，所述控制電路被配置為根據所述實際負載功率所處的所述負載檔位控制所述開關管工作于對應的所述頻率檔位，
5.如權利要求2所述的功率因數校正升壓電路，其特征在于，所述第二磁芯的橫截面積在從所述第一端部向所述第二端部的方向上呈線性逐漸增大，使得所述磁芯組件隨輸入所述充電電感的輸入電流的增加而具有線性增大的等效氣隙。
6.如權利要求5所述...
【專利技術屬性】
技術研發人員：陳穩，請求不公布姓名，張震，
申請(專利權)人：合肥陽光電動力科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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