【技術實現步驟摘要】
本技術涉及光電探測，特別是涉及一種氧化鎵光電探測器。
技術介紹
1、紫外探測器在火災預警、紫外消殺、臭氧監測、紫外光固化、高壓電線電暈監測等領域有非常廣泛的應用。傳統的半導體紫外探測器多是基于寬禁帶半導體晶體材料，例如碳化硅和氮化鎵等。但是該半導體晶體材料的制備過程中需要高溫生長且制備工藝較為復雜，成本高昂。相較之下，氧化鎵材料的制備工藝較為簡單，并且也具有高增益的紫外響應性能，在深紫外探測領域具有較好的應用前景。然而，目前對于氧化鎵材料的研究和應用基本還處于實驗室階段，未經過有效的封裝處理，其性能和使用壽命受到環境的影響較大，難以作為可供實際應用的器件。如何在保證氧化鎵材料正常工作的同時對其進行有效的封裝處理即成為了一個急需解決的問題。
技術實現思路
1、基于此，為了解決
技術介紹
中的問題，有必要提供一種對氧化鎵材料進行有效封裝的氧化鎵光電探測器件，以保證氧化劑材料在探測時具有穩定的性能以及較長的使用壽命。
2、根據本技術的一些實施例，提供了一種氧化鎵光電探測器，其包括：氧化鎵功能結構、承載基座、封裝殼以及導電引腳，所述封裝殼設置于所述承載基座上，且所述封裝殼與所述承載基座組成內部具有密閉空間的組件，所述氧化鎵功能結構包括氧化鎵材料層，所述氧化鎵功能結構設置于所述承載基座上且位于所述密閉空間中，所述導電引腳設置于所述密閉空間之外，且所述氧化鎵材料層電連接于所述導電引腳。
3、在本技術的一些實施例中，所述封裝殼包括封裝連接件和透光件，所述封裝連接件連接于所述承
4、在本技術的一些實施例中，所述封裝連接件具有相對設置的頂端開口和底端開口，所述承載基座連接于所述封裝連接件的底部并封閉所述底端開口，所述透光件連接于所述封裝連接件的頂部并封閉所述頂端開口。
5、在本技術的一些實施例中，所述氧化鎵材料層設置于所述透光件的正下方。
6、在本技術的一些實施例中，所述封裝連接件為管狀的金屬結構。
7、在本技術的一些實施例中，所述透光件為由石英、玻璃、金剛石、藍寶石或氟化鈣制成的透明板，且所述透光件呈平面狀或球面狀。
8、在本技術的一些實施例中，所述氧化鎵功能結構包括襯底、氧化鎵材料層以及多個電接觸部，所述襯底設置于所述承載基座上，所述氧化鎵材料層層疊設置于襯底上，多個所述電接觸部間隔設置且電連接于所述氧化鎵材料層，所述導電引腳有多個，多個所述電接觸部分別電連接于對應的所述導電引腳。
9、在本技術的一些實施例中，所述氧化鎵材料層包括一層氧化鎵薄膜或多層氧化鎵薄膜。
10、在本技術的一些實施例中，所述氧化鎵材料層的材料為非晶氧化鎵。
11、在本技術的一些實施例中，所述氧化鎵薄膜有兩層，且其中一層所述氧化鎵薄膜中的氧空位缺陷濃度比另一層所述氧化鎵薄膜中的氧空位缺陷濃度高。
12、在本技術的一些實施例中，所述氧化鎵薄膜的厚度為10nm~1000nm。
13、在本技術的一些實施例中，所述密閉空間中呈真空狀態，或所述密閉空間中具有保護性氣體。
14、本技術的氧化鎵光電探測器包括氧化鎵功能結構、承載基座、封裝殼以及導電引腳，其中采用承載基座和封裝殼以在內部形成密閉空間。氧化鎵功能結構設置于承載基座上且位于密閉空間中，并且其中的氧化鎵材料層電連接于導電引腳。在該氧化鎵光電探測器中，氧化鎵材料層設置于該密閉空間中，能夠保證氧化鎵材料層在使用過程中免受外界環境干擾，從而保證其性能穩定以及使用壽命較長。并且通過與氧化鎵材料層電連接的導電引腳也使得其便于和后端電子處理系統進行集成，從而實現光探測信號的放大和讀取，能夠對紫外光進行有效監測。
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1.一種氧化鎵光電探測器，其特征在于，包括：氧化鎵功能結構、承載基座、封裝殼以及導電引腳，所述封裝殼設置于所述承載基座上，且所述封裝殼與所述承載基座組成內部具有密閉空間的組件，所述氧化鎵功能結構包括氧化鎵材料層，所述氧化鎵功能結構設置于所述承載基座上且位于所述密閉空間中，所述導電引腳設置于所述密閉空間之外，且所述氧化鎵材料層電連接于所述導電引腳。
2.根據權利要求1所述的氧化鎵光電探測器，其特征在于，所述封裝殼包括封裝連接件和透光件，所述封裝連接件連接于所述承載基座和所述透光件，且所述透光件與所述承載基座間隔設置。
3.根據權利要求2所述的氧化鎵光電探測器，其特征在于，所述封裝連接件具有相對設置的頂端開口和底端開口，所述承載基座連接于所述封裝連接件的底部并封閉所述底端開口，所述透光件連接于所述封裝連接件的頂部并封閉所述頂端開口。
4.根據權利要求3所述的氧化鎵光電探測器，其特征在于，所述氧化鎵材料層設置于所述透光件的正下方。
5.根據權利要求3所述的氧化鎵光電探測器，其特征在于，所述封裝連接件為管狀的金屬結構；和/或，
7.根據權利要求6所述的氧化鎵光電探測器，其特征在于，所述氧化鎵材料層包括一層氧化鎵薄膜或多層氧化鎵薄膜；和/或，
8.根據權利要求7所述的氧化鎵光電探測器，其特征在于，所述電接觸部有兩個或三個。
9.根據權利要求7或8所述的氧化鎵光電探測器，其特征在于，所述氧化鎵薄膜的厚度為10nm～1000nm。
10.根據權利要求1～5及7～8任意一項所述的氧化鎵光電探測器，其特征在于，所述密閉空間中呈真空狀態，或所述密閉空間中具有保護性氣體。
...【技術特征摘要】
1.一種氧化鎵光電探測器，其特征在于，包括：氧化鎵功能結構、承載基座、封裝殼以及導電引腳，所述封裝殼設置于所述承載基座上，且所述封裝殼與所述承載基座組成內部具有密閉空間的組件，所述氧化鎵功能結構包括氧化鎵材料層，所述氧化鎵功能結構設置于所述承載基座上且位于所述密閉空間中，所述導電引腳設置于所述密閉空間之外，且所述氧化鎵材料層電連接于所述導電引腳。
2.根據權利要求1所述的氧化鎵光電探測器，其特征在于，所述封裝殼包括封裝連接件和透光件，所述封裝連接件連接于所述承載基座和所述透光件，且所述透光件與所述承載基座間隔設置。
3.根據權利要求2所述的氧化鎵光電探測器，其特征在于，所述封裝連接件具有相對設置的頂端開口和底端開口，所述承載基座連接于所述封裝連接件的底部并封閉所述底端開口，所述透光件連接于所述封裝連接件的頂部并封閉所述頂端開口。
4.根據權利要求3所述的氧化鎵光電探測器，其特征在于，所述氧化鎵材料層設置于所述透光件的正下方。
5.根據權...
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