【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及半導(dǎo)體制造，具體是一種提升nand塊字線及選擇管均勻性的方法。
技術(shù)介紹
1、在nand塊里，同時(shí)存在字線，及選擇管，二者都是nand塊串聯(lián)溝道的柵極。但二者由于溝道尺寸大小不一樣，是獨(dú)立用二個(gè)光刻層次定義制造的，因此塊邊緣的字線和選擇管之間的距離會(huì)受到兩個(gè)光刻層次的對(duì)準(zhǔn)的影響而會(huì)存在均勻性問題。另外在目前的一般制造方法里，臨近選擇管的字線是在定義字線光刻層次圖形的邊緣，因此會(huì)導(dǎo)致臨近選擇管的字線圖形形貌，及線和線距的關(guān)鍵尺寸存在均勻性問題。
2、從附圖2可以看出，由于現(xiàn)有工藝?yán)镞x擇管和字線是由兩個(gè)光刻層次分別獨(dú)立定義的，因此它們之間會(huì)存在兩個(gè)光刻層次的對(duì)準(zhǔn)偏差問題，用先進(jìn)光刻機(jī)的話這個(gè)偏差可能為幾個(gè)到10納米量級(jí)。而在較為先進(jìn)的nand工藝?yán)铮志€和字線距離，及字線對(duì)選擇管的距離約為20納米量級(jí)甚至更小，則兩個(gè)光刻層次之間的對(duì)準(zhǔn)偏差對(duì)字線距離和字線對(duì)選擇管的距離的影響是比較明顯的。
3、從附圖1到附圖3可以看出，在現(xiàn)有工藝?yán)锱R近選擇管的字線，在字線制作工藝?yán)锸沁吘壍膱D形。在先進(jìn)的nand工藝?yán)铮谶吘壍淖志€由于各種工藝能力偏差，字線，或者字線的距離容易出現(xiàn)關(guān)鍵尺寸均勻性不好，字線的形貌也容易和其余處字線形貌不一致的狀況。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本專利技術(shù)的目的在于提供一種提升nand塊字線及選擇管均勻性的方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中提出的問題。
2、為實(shí)現(xiàn)上述目的，本專利技術(shù)提供如下技術(shù)方案：
3、所述一種提升nand塊字線及選
4、步驟1、在nand塊里，同時(shí)存在字線，及選擇管，二者都是nand塊串聯(lián)溝道的柵極，使用光刻技術(shù)將選擇管柵極的圖案轉(zhuǎn)移到基底材料上，然后通過刻蝕技術(shù)將圖案轉(zhuǎn)化為三維結(jié)構(gòu)；
5、步驟2、在版圖設(shè)計(jì)階段，將選擇管柵極的邊緣設(shè)定在字線的幾何中心線上，在加工過程中使柵極與字線之間對(duì)稱；
6、步驟3、根據(jù)nand的設(shè)計(jì)要求，在選擇管柵極上覆蓋不同數(shù)量的字線；
7、步驟4、去掉字線犧牲層，犧牲層是一種臨時(shí)層，為在后續(xù)加工步驟中保護(hù)字線，去掉犧牲層后，字線可以獨(dú)立于其他結(jié)構(gòu)；
8、步驟5、對(duì)選擇管柵極進(jìn)行后續(xù)刻蝕，刻蝕完成后將選擇管柵極的圖案轉(zhuǎn)移到基底材料上，并對(duì)頭尾字線進(jìn)行切斷；
9、步驟6、完成刻蝕和字線切斷步驟后，在遠(yuǎn)離字線方向的邊緣由選擇管曝光圖形來定義選擇管最終圖案；
10、步驟7、對(duì)選擇管與字線交疊的部分，在靠近字線的方向，由和選擇管曝光圖案有交疊的那個(gè)字線的邊緣定義選擇管的最終圖案；
11、步驟8、根據(jù)步驟7和步驟8的結(jié)果，選擇管的最終圖案和字線之間的距離都是由字線曝光層定義的，通過調(diào)整曝光層的尺寸和位置，控制選擇管與字線之間的間距；
12、步驟9、曝光層位置和尺寸調(diào)整完成后，用選擇管覆蓋邊緣字線，將邊緣字線的不均勻性轉(zhuǎn)移到內(nèi)部字線上。
13、所述使用光刻技術(shù)將選擇管柵極的圖案轉(zhuǎn)移到基底材料上，然后通過刻蝕技術(shù)將圖案轉(zhuǎn)化為三維結(jié)構(gòu)包括以下步驟：
14、步驟1.1：制作絕緣層：選擇基底材料，進(jìn)行清洗和表面處理，在基底材料上制作一層絕緣材料，作為選擇管柵極的絕緣層；
15、步驟1.2：制造光刻掩膜：首先使用電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化工具設(shè)計(jì)選擇管柵極的圖案，并生成光刻掩膜圖案，然后根據(jù)設(shè)計(jì)圖案制造光刻掩膜；
16、步驟1.3：光刻步驟：將制造完成的光刻掩膜放置在基底材料上，根據(jù)光刻需求使用不同波長(zhǎng)的光源進(jìn)行光刻，使光刻膠在掩膜圖案對(duì)應(yīng)的區(qū)域發(fā)生化學(xué)變化；
17、步驟1.4：顯影步驟：將曝光后的基底材料放入顯影液中，溶解光刻膠已曝光的部分，形成選擇管柵極的圖案；
18、步驟1.5：刻蝕步驟：將顯影后的基底材料放入刻蝕液中，根據(jù)設(shè)計(jì)要求，使用刻蝕液腐蝕基底材料上的圖案區(qū)域，并將光刻膠定義的圖案轉(zhuǎn)移到基底材料上。
19、所述將選擇管柵極的邊緣設(shè)定在字線的幾何中心線上，在加工過程中使柵極與字線之間對(duì)稱包括以下步驟：
20、步驟2.1：設(shè)計(jì)字線圖案與選擇管柵極圖案：首先，在電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化軟件中設(shè)計(jì)字線圖案，使字線的幾何中心線明確且可測(cè)量；然后，在eda軟件中設(shè)計(jì)選擇管柵極圖案，將其邊緣與字線圖案的幾何中心線對(duì)齊；
21、步驟2.2：光刻對(duì)準(zhǔn)：采用光刻機(jī)的高精度對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)，在光刻機(jī)上進(jìn)行基底材料與光刻掩膜的對(duì)準(zhǔn)操作，將字線與選擇管柵極圖案精確對(duì)齊。
22、所述在選擇管柵極上覆蓋不同數(shù)量的字線包括以下步驟：
23、步驟3.1：確定覆蓋策略：依步驟2.1所述選擇管柵極圖案的設(shè)計(jì)，使其能夠根據(jù)需要覆蓋不同數(shù)量的字線；
24、步驟3.2：實(shí)施字線覆蓋：覆蓋方法為：在選擇管柵極上形成第一字線，且第一字線覆蓋選擇管柵極的部分區(qū)域，部分區(qū)域是指根據(jù)設(shè)計(jì)要求來設(shè)定覆蓋的比例和寬度，而不是全部覆蓋；在第一字線上形成第二字線，第二字線覆蓋第一字線的部分區(qū)域，且第二字線與第一字線的寬度不同；在第二字線上形成第三字線，第三字線覆蓋第二字線的部分區(qū)域，且第三字線與第二字線的寬度不同；重復(fù)以上步驟，直到在選擇管柵極上形成所需數(shù)量的字線。
25、所述去掉字線犧牲層，使字線獨(dú)立于其他結(jié)構(gòu)包括以下步驟：
26、步驟4.1：犧牲層設(shè)計(jì)：在上一步驟完成選擇管柵極覆蓋范圍后，根據(jù)設(shè)計(jì)要求，在字線上方設(shè)計(jì)并形成犧牲層；
27、步驟4.2：犧牲層與保護(hù)層的形成：在上述犧牲層設(shè)計(jì)的步驟完成后，根據(jù)設(shè)計(jì)結(jié)果，使用化學(xué)氣相沉積與物理氣相沉積的方法在字線上形成犧牲層；在形成犧牲層后，還需要在犧牲層上形成一層保護(hù)層；
28、步驟4.3：去除犧牲層：使用等離子體刻蝕工藝去除犧牲層；去除方法步驟如下：首先確定刻蝕速率和犧牲層的位置，并在執(zhí)行刻蝕過程的同時(shí)，監(jiān)控刻蝕速率和深度；
29、所述對(duì)選擇管柵極進(jìn)行后續(xù)刻蝕，刻蝕完成后將選擇管柵極的圖案轉(zhuǎn)移到基底材料上，并對(duì)頭尾字線進(jìn)行切斷包括以下步驟：
30、步驟5.1：選擇管柵極圖案轉(zhuǎn)移：在基底材料上已經(jīng)形成選擇管柵極的基礎(chǔ)上，使用電子束光刻技術(shù)制備選擇管柵極的圖案，然后再用等離子體刻蝕技術(shù)對(duì)選擇管柵極進(jìn)行刻蝕，將圖案轉(zhuǎn)移到基底材料上，形成所需的三維結(jié)構(gòu)；
31、步驟5.2：字線切斷：根據(jù)設(shè)計(jì)要求，首先確定字線切斷的具體位置，然后在切斷區(qū)域內(nèi)設(shè)置切割路徑和模式，并調(diào)整切割參數(shù)，最后使用等離子體切割技術(shù)執(zhí)行切割操作。
32、所述完成刻蝕和字線切斷步驟后，在遠(yuǎn)離字線方向的邊緣由選擇管曝光圖形來定義選擇管最終圖案包括以下內(nèi)容：
33、步驟6.1：曝光圖形制備：首先，根據(jù)選擇管的設(shè)計(jì)要求，使用cad工具設(shè)計(jì)符合設(shè)計(jì)要求的選擇管的外部邊緣圖形，然后在基底材料上均勻涂覆光刻膠，并使用干燥程序控制光刻膠的厚度和質(zhì)量；
34、步驟6.2：曝光和顯影：曝光圖形制備完成后，使用光刻機(jī)對(duì)涂覆光刻膠的基底材料進(jìn)行本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種提升NAND塊字線及選擇管均勻性的方法，其特征在于：包括以下步驟：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提升NAND塊字線及選擇管均勻性的方法，其特征在于：所述使用光刻技術(shù)將選擇管柵極的圖案轉(zhuǎn)移到基底材料上，然后通過刻蝕技術(shù)將圖案轉(zhuǎn)化為三維結(jié)構(gòu)包括以下步驟：
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提升NAND塊字線及選擇管均勻性的方法，其特征在于：所述將選擇管柵極的邊緣設(shè)定在字線的幾何中心線上，在加工過程中使柵極與字線之間對(duì)稱包括以下步驟：
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種提升NAND塊字線及選擇管均勻性的方法，其特征在于：所述在選擇管柵極上覆蓋不同數(shù)量的字線包括以下步驟：
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提升NAND塊字線及選擇管均勻性的方法，其特征在于：所述去掉字線犧牲層，使字線獨(dú)立于其他結(jié)構(gòu)包括以下步驟：
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提升NAND塊字線及選擇管均勻性的方法，其特征在于：所述對(duì)選擇管柵極進(jìn)行后續(xù)刻蝕，刻蝕完成后將選擇管柵極的圖案轉(zhuǎn)移到基底材料上，并對(duì)頭尾字線進(jìn)行切斷包括以下步驟：
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提升NAND塊字線及選擇管均勻性的方法，其特征在于：所述對(duì)選擇管與字線交疊的部分，在靠近字線的方向，由和選擇管曝光圖案有交疊的那個(gè)字線的邊緣定義選擇管的最終圖案包括以下步驟：
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提升NAND塊字線及選擇管均勻性的方法，其特征在于：所述選擇管的最終圖案和字線之間的距離都是由字線曝光層定義的包括以下步驟：
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提升NAND塊字線及選擇管均勻性的方法，其特征在于：所述用選擇管覆蓋邊緣字線，將邊緣字線的不均勻性轉(zhuǎn)移到內(nèi)部字線上包括以下步驟：
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種提升nand塊字線及選擇管均勻性的方法，其特征在于：包括以下步驟：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提升nand塊字線及選擇管均勻性的方法，其特征在于：所述使用光刻技術(shù)將選擇管柵極的圖案轉(zhuǎn)移到基底材料上，然后通過刻蝕技術(shù)將圖案轉(zhuǎn)化為三維結(jié)構(gòu)包括以下步驟：
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提升nand塊字線及選擇管均勻性的方法，其特征在于：所述將選擇管柵極的邊緣設(shè)定在字線的幾何中心線上，在加工過程中使柵極與字線之間對(duì)稱包括以下步驟：
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種提升nand塊字線及選擇管均勻性的方法，其特征在于：所述在選擇管柵極上覆蓋不同數(shù)量的字線包括以下步驟：
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提升nand塊字線及選擇管均勻性的方法，其特征在于：所述去掉字線犧牲層，使字線獨(dú)立于其他結(jié)構(gòu)包括以下步驟：
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提升nand塊字線及選擇管均勻性的方法，其特征在于：所述對(duì)選...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：陳春暉，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：江蘇揚(yáng)賀揚(yáng)微電子科技有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：
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