【技術實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術涉及電連接，尤其是一種電連接器組件。
技術介紹
1、現(xiàn)有技術中，射頻連接器具有體積小、重量輕且性能穩(wěn)定的特點。而mcio(minicool?edge?io)連接器是高速串行接口，其優(yōu)點包括高帶寬、低延遲、低功耗的特點。在結構上，射頻連接器為同軸結構。而mcio連接器本身為pcb結構。現(xiàn)有技術中將兩者連接起來通過的是：同軸線組件通過傳輸線連接到一個中間pcb板上，mcio連接器也通過另外的傳輸線將其自身的pcb板連接到所述中間pcb板上。以上可以理解為：同軸線組件與mcio連接器之間的連接是用外部的pcb板作為中轉站。因此，現(xiàn)有技術存在以下缺陷：多出的pcb轉接板和傳輸線，導致射頻連接器與mcio連接器之間的信號傳輸損耗增大。
技術實現(xiàn)思路
1、本專利技術的目的在于提供一種電連接器組件，其減小了射頻信號傳輸過程中的損耗。
2、為實現(xiàn)上述目的，本專利技術采用如下技術方案：一種電連接器組件，包括若干根同軸線纜、圍設形成收容腔的絕緣殼和插設并固持于所述絕緣殼的電路板，所述絕緣殼一體形成有間隔板，所述間隔板將所述收容腔分隔為第一收容腔和第二收容腔并設有使所述電路板穿過的通孔，所述電路板設有位于所述第一收容腔內(nèi)的多個第一金手指和位于所述第二收容腔內(nèi)的多個第二金手指，所述第一金手指用于與其他外部連接器的導電端子接觸，所述同軸線纜焊接在所述第二金手指上。
3、作為本專利技術進一步改進的技術方案，所述第二金手指包括信號片和接地片，所述同軸線纜包括中心導體、絕緣層、屏
4、作為本專利技術進一步改進的技術方案，所述中心導體與對應所述信號片之間為直接點接，所述屏蔽層與對應所述接地片之間為銅絲加錫焊接。
5、作為本專利技術進一步改進的技術方案，所述同軸線纜的中的四根為并排的一組，四根為并排的一組，每組所述同軸線纜的所述屏蔽層之間也通過銅絲加錫焊接，所述銅絲加錫焊接形成的那部分為e字形狀。
6、作為本專利技術進一步改進的技術方案，每組所述同軸線纜的相鄰兩個所述同軸線纜采用上、下錯位地焊接在所述電路板上。
7、作為本專利技術進一步改進的技術方案，所述電路板包括相反設置的上表面和下表面，所述同軸線纜為十六根，十六根所述同軸線纜分別對稱地焊接在所述電路板的所述上表面和所述下表面。
8、作為本專利技術進一步改進的技術方案，所述第一金手指和所述第二金手指均為十九個，所述同軸線纜與所述第二金手指中的部分金手指焊接。
9、作為本專利技術進一步改進的技術方案，所述電路板同一表面上的一排所述第二金手指為gssg分布，也即所述第二金手指的最外側兩個各為一個所述接地片且相鄰兩個接地片之間被兩個所述信號片間隔開；十六根中的八根所述同軸線纜與一排所述第二金手指中靠近一邊側的七個金手指以及該排所述第二金手指中靠近另外一邊側的七個金手指焊接，所述第二金手指中靠近中間的五個金手指空焊。
10、作為本專利技術進一步改進的技術方案，所述第一金手指和所述第二金手指中，相鄰兩個所述金手指之間的間距為d1，所述同軸線纜的線徑為d2，d2為d1的1～2倍。
11、作為本專利技術進一步改進的技術方案，所述間距d1為0.6mm，所述線徑d2為1.2mm。
12、相較于現(xiàn)有技術，本專利技術電連接器組件通過將射頻連接器的同軸線纜與插設并固持于所述絕緣殼內(nèi)的電路板焊接，具體的，所述絕緣殼一體形成有間隔板，所述間隔板將所述收容腔分隔為第一收容腔和第二收容腔并設有使所述電路板穿過的通孔，所述電路板設有位于所述第一收容腔內(nèi)的多個第一金手指和位于所述第二收容腔內(nèi)的多個第二金手指，所述第一金手指用于與其他外部連接器的導電端子接觸，所述同軸線纜直接焊接在所述電路板的第二金手指上，因此，本專利技術電連接器組件減小了射頻信號傳輸過程中的損耗。
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1.一種電連接器組件，其特征在于：包括若干根同軸線纜(3)、圍設形成收容腔(10)的絕緣殼(1)和插設并固持于所述絕緣殼(1)的電路板(2)，所述絕緣殼(1)一體形成有間隔板(11)，所述間隔板(11)將所述收容腔(10)分隔為第一收容腔(101)和第二收容腔(102)并設有使所述電路板(2)穿過的通孔(110)，所述電路板(2)設有位于所述第一收容腔(101)內(nèi)的多個第一金手指(201)和位于所述第二收容腔(102)內(nèi)的多個第二金手指(202)，所述第一金手指(201)用于與其他外部連接器(200)的導電端子接觸，所述同軸線纜(3)焊接在所述第二金手指(202)上。
2.如權利要求1所述的電連接器組件，其特征在于：所述第二金手指(202)包括信號片(2021)和接地片(2022)，所述同軸線纜(3)包括中心導體(31)、絕緣層(32)、屏蔽層(33)和外被層(34)，所述絕緣層(32)包裹在所述中心導體(31)外，所述屏蔽層(33)包裹在所述絕緣層(32)外，所述外被層(34)包裹在所述屏蔽層(33)外，所述中心導體(31)與所述信號片(2021)焊接，所述屏蔽層(
3.如權利要求2所述的電連接器組件，其特征在于：所述中心導體(31)與對應所述信號片(2021)之間為直接點接，所述屏蔽層(33)與對應所述接地片(2022)之間為銅絲加錫焊接。
4.如權利要求3所述的電連接器組件，其特征在于：所述同軸線纜(3)中的四根為并排的一組，每組所述同軸線纜(3)的所述屏蔽層(33)之間也通過銅絲加錫焊接，所述銅絲加錫焊接形成的那部分為E字形狀。
5.如權利要求4所述的電連接器組件，其特征在于：每組所述同軸線纜(3)的相鄰兩個所述同軸線纜(3)采用上、下錯位地焊接在所述電路板(2)上。
6.如權利要求4所述的電連接器組件，其特征在于：所述電路板(2)包括相反設置的上表面(21)和下表面(22)，所述同軸線纜(3)為十六根，十六根所述同軸線纜(3)分別對稱地焊接在所述電路板(2)的所述上表面(21)和所述下表面(22)。
7.如權利要求6所述的電連接器組件，其特征在于：所述第一金手指(201)和所述第二金手指(202)均為十九個，所述同軸線纜(3)與所述第二金手指(202)中的部分金手指(20)焊接。
8.如權利要求7所述的電連接器組件，其特征在于：所述電路板(2)同一表面(201或202)上的一排所述第二金手指(202)為GSSG分布，也即所述第二金手指(202)的最外側兩個各為一個所述接地片(2022)且相鄰兩個接地片(2022)之間被兩個所述信號片(2021)間隔開；十六根中的八根所述同軸線纜(3)與一排所述第二金手指(202)中靠近一邊側的七個金手指(20)以及該排所述第二金手指(202)中靠近另外一邊側的七個金手指(20)焊接，所述第二金手指(202)中靠近中間的五個金手指(20)空焊。
9.如權利要求1所述的電連接器組件，其特征在于：所述第一金手指(201)和所述第二金手指(202)中，相鄰兩個所述金手指(20)之間的間距為D1，所述同軸線纜(3)的線徑為D2，D2為D1的1～2倍。
10.如權利要求9所述的電連接器組件，其特征在于：所述間距D1為0.6mm，所述線徑D2為1.2mm。
...【技術特征摘要】
1.一種電連接器組件，其特征在于：包括若干根同軸線纜(3)、圍設形成收容腔(10)的絕緣殼(1)和插設并固持于所述絕緣殼(1)的電路板(2)，所述絕緣殼(1)一體形成有間隔板(11)，所述間隔板(11)將所述收容腔(10)分隔為第一收容腔(101)和第二收容腔(102)并設有使所述電路板(2)穿過的通孔(110)，所述電路板(2)設有位于所述第一收容腔(101)內(nèi)的多個第一金手指(201)和位于所述第二收容腔(102)內(nèi)的多個第二金手指(202)，所述第一金手指(201)用于與其他外部連接器(200)的導電端子接觸，所述同軸線纜(3)焊接在所述第二金手指(202)上。
2.如權利要求1所述的電連接器組件，其特征在于：所述第二金手指(202)包括信號片(2021)和接地片(2022)，所述同軸線纜(3)包括中心導體(31)、絕緣層(32)、屏蔽層(33)和外被層(34)，所述絕緣層(32)包裹在所述中心導體(31)外，所述屏蔽層(33)包裹在所述絕緣層(32)外，所述外被層(34)包裹在所述屏蔽層(33)外，所述中心導體(31)與所述信號片(2021)焊接，所述屏蔽層(33)與所述接地片(2022)焊接。
3.如權利要求2所述的電連接器組件，其特征在于：所述中心導體(31)與對應所述信號片(2021)之間為直接點接，所述屏蔽層(33)與對應所述接地片(2022)之間為銅絲加錫焊接。
4.如權利要求3所述的電連接器組件，其特征在于：所述同軸線纜(3)中的四根為并排的一組，每組所述同軸線纜(3)的所述屏蔽層(33)之間也通過銅絲加錫焊接，所述銅絲加錫焊接形成的那部分為e字形狀。
<...【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：王少榮，宋祥龍，馬向陽，
申請(專利權)人：昆山德普福電子科技有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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