【技術實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術實施例涉及半導體制造領域，尤其涉及一種半導體結構及其形成方法。
技術介紹
1、金屬氧化物半導體晶體管包括柵極結構，以及形成于柵極結構側壁且環(huán)柵柵極結構的柵極側墻，一方面，柵極側墻可保護柵極結構；另一方面，在進行源極和漏極注入過程中，柵極側墻可以用于防止大劑量的源極和漏極注入過于接近導電溝道，而導致源漏之間誤導通的問題。
2、隨著半導體制造技術向更高的技術節(jié)點的發(fā)展，柵極結構的尺寸越來越小，柵極結構下面的基底中的導電溝道越來越短，能夠減小源漏之間漏電流的柵極側墻顯得尤為重要，這對柵極側墻的制造工藝提出了更高的要求。
3、然而，目前形成的半導體結構的電學性能仍有待提高。
技術實現(xiàn)思路
1、本專利技術實施例解決的問題是提供一種半導體結構及其形成方法，能夠提高半導體結構的電學性能。
2、本專利技術實施例提供一種半導體結構的形成方法，包括：
3、提供基底，所述基底上具有柵極結構；
4、在所述柵極結構的側壁上形成柵極側墻，形成所述柵極側墻的步驟包括：在所述柵極結構的側壁上形成第一側墻；在含氧環(huán)境氣氛下，采用第一反應源氣體，在所述第一側墻的側壁上形成第二側墻；在含氧和氦的混合氣體的環(huán)境氣氛下，采用第二反應源氣體，在所述第二側墻的側壁上形成第三側墻，其中，所述第一反應源氣體中的氟含量高于所述第二反應源氣體中的氟含量。
5、可選地，所述在含氧環(huán)境氣氛下，采用第一反應源氣體，在所述第一側墻的側壁上形成第二側墻的步驟包括：
6、在所述基底上形成第二側墻材料層，所述第二側墻材料層保形覆蓋所述柵極結構和所述第一側墻；
7、在含氧環(huán)境氣氛下，采用所述第一反應源氣體，去除位于所述柵極結構頂部和部分所述基底上的第二側墻材料層，將剩余部分的所述第二側墻材料層作為所述第二側墻。
8、可選地，所述第一反應源氣體包括ch2f2和chf3，其中，所述ch2f2的流量為30sccm至120sccm、所述chf3的流量為30sccm至120sccm。
9、可選地，ch2f2和chf3流量比為1：1。
10、可選地，所述含氧環(huán)境氣氛中氧的流量為0至150sccm。
11、可選地，所述在含氧和氦的混合氣體的環(huán)境氣氛下，采用第二反應源氣體，在所述第二側墻的側壁上形成第三側墻的步驟包括：
12、在所述基底上形成第三側墻材料層，所述第三側墻材料層保形覆蓋所述柵極結構、所述第一側墻和所述第二側墻；
13、在含氧和氦的混合氣體的環(huán)境氣氛下，采用所述第二反應源氣體，去除位于所述柵極結構頂部、部分所述基底上的第三側墻材料層，將剩余部分的所述第三側墻材料層作為所述第三側墻。
14、可選地，所述第二反應源氣體包括ch3f，其中，所述ch3f的流量為30sccm至200sccm。
15、可選地，在含氧和氦的混合氣體的環(huán)境氣氛下，氧的流量為0sccm至200sccm，氦的流量為0sccm至200sccm。
16、可選地，所述第一側墻的材料包括氧化硅；
17、所述第二側墻和所述第三側墻的材料包括氮化硅。
18、可選地，所述基底上還形成有阻擋層，所述柵極結構位于阻擋層上；
19、在形成所述柵極側墻的步驟，所述第二側墻與所述阻擋層之間的第一刻蝕選擇比，小于所述第三側墻與所述阻擋層之間的第二刻蝕選擇比。
20、可選地，所述第一刻蝕選擇比為12.1；
21、所述第二刻蝕選擇比為112.5。
22、可選地，所述阻擋層的厚度為至
23、可選地，所述第二側墻和第三側墻滿足以下一項或多項：
24、所述第二側墻的表面粗糙度大于所述第三側墻的表面粗糙度；
25、所述第二側墻的致密度小于所述第三側墻的致密度。
26、相應的，本專利技術實施例還提供一種半導體結構，包括：
27、基底；
28、柵極結構，位于所述基底上；
29、柵極側墻，形成于所述柵極結構的側壁上，所述柵極側墻包括：第一側墻，位于所述柵極結構的側壁上；第二側墻，位于所述第一側墻的側壁上；第三側墻，位于所述第二側墻的側壁上；
30、其中，所述第二側墻是在含氧環(huán)境氣氛下，采用第一反應源氣體形成的；所述第三側墻是在含氧和氦的混合氣體的環(huán)境氣氛下，采用第二反應源氣體形成的，所述第一反應源氣體中的氟含量高于所述第二反應源氣體中的氟含量。
31、可選地，所述第二側墻和所述第三側墻滿足以下一項或多項：
32、所述第二側墻的表面粗糙度大于所述第三側墻的表面粗糙度；
33、所述第二側墻的致密度小于所述第三側墻的致密度。
34、與現(xiàn)有方案相比，本專利技術實施例的技術方案具有以下優(yōu)點：
35、本專利技術實施例提供的半導體結構的形成方法中，在柵極結構的側壁上形成柵極側墻的步驟中，第二側墻和第三側墻的環(huán)境氣氛、第二反應源氣體中的氟含量不同，這樣能夠采用不同的刻蝕選擇比，形成第二側墻和第三側墻，從而可以在更大范圍的控制第二側墻和第三側墻的刻蝕停止時間，因而能夠提高柵極側墻的形貌，進而提高半導體結構的電學性能。
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1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述在含氧環(huán)境氣氛下，采用第一反應源氣體，在所述第一側墻的側壁上形成第二側墻的步驟包括：
3.根據(jù)權利要求2所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第一反應源氣體包括CH2F2和CHF3，其中，所述CH2F2的流量為30sccm至120sccm、所述CHF3的流量為30sccm至120sccm。
4.根據(jù)權利要求3所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，CH2F2和CHF3流量比為1：1。
5.根據(jù)權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述含氧環(huán)境氣氛中氧的流量為0sccm至150sccm。
6.根據(jù)權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述在含氧和氦的混合氣體的環(huán)境氣氛下，采用第二反應源氣體，在所述第二側墻的側壁上形成第三側墻的步驟包括：
7.根據(jù)權利要求5所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第二反應源氣體包括CH3F，其中，所述CH3F的流量為30sccm至200
8.根據(jù)權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，在含氧和氦的混合氣體的環(huán)境氣氛下，氧的流量為0sccm至200sccm，氦的流量為0sccm至200sccm。
9.根據(jù)權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第一側墻的材料包括氧化硅；
10.根據(jù)權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述基底上還形成有阻擋層，所述柵極結構位于阻擋層上；
11.根據(jù)權利要求10所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第一刻蝕選擇比為12.1；
12.根據(jù)權利要求11所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述阻擋層的厚度為至
13.根據(jù)權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第二側墻和第三側墻滿足以下一項或多項：
14.一種半導體結構，其特征在于，包括：
15.根據(jù)權利要求14所述的半導體結構，其特征在于，所述第二側墻和所述第三側墻滿足以下一項或多項：
...【技術特征摘要】
1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述在含氧環(huán)境氣氛下，采用第一反應源氣體，在所述第一側墻的側壁上形成第二側墻的步驟包括：
3.根據(jù)權利要求2所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第一反應源氣體包括ch2f2和chf3，其中，所述ch2f2的流量為30sccm至120sccm、所述chf3的流量為30sccm至120sccm。
4.根據(jù)權利要求3所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，ch2f2和chf3流量比為1：1。
5.根據(jù)權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述含氧環(huán)境氣氛中氧的流量為0sccm至150sccm。
6.根據(jù)權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述在含氧和氦的混合氣體的環(huán)境氣氛下，采用第二反應源氣體，在所述第二側墻的側壁上形成第三側墻的步驟包括：
7.根據(jù)權利要求5所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第二反應源氣體包括ch3f，其...
【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：史曉明，郭建明，
申請(專利權)人：浙江創(chuàng)芯集成電路有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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