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    一種Mini/Micro LED及其制造方法技術(shù)

    技術(shù)編號:44382200 閱讀:2 留言:0更新日期:2025-02-25 09:56
    本發(fā)明專利技術(shù)涉及LED顯示的技術(shù)領(lǐng)域,公開了一種Mini/Micro?LED及其制造方法。制造方法包括:通過機械分離工藝或噴涂工藝制備金屬導(dǎo)電顆粒球;在金屬導(dǎo)電顆粒球的表面涂覆一層絕緣涂層并風干,形成絕緣薄膜;將涂覆有絕緣薄膜的金屬導(dǎo)電顆粒球放入提供的絕緣膠水中并攪拌,形成各向異性導(dǎo)電膠;通過提供的疏水性納米鋼網(wǎng)將各向異性導(dǎo)電膠印刷到提供的基板的焊盤上;剝離疏水性納米鋼網(wǎng);將提供的Mini/Micro?LED芯片貼裝到位于焊盤上的各向異性導(dǎo)電膠,并加溫加壓使絕緣薄膜縱向破裂露出包裹于絕緣薄膜內(nèi)的金屬導(dǎo)電顆粒球,金屬導(dǎo)電顆粒球分別與Mini/Micro?LED芯片和焊盤接觸形成垂直導(dǎo)電通路,絕緣膠水初步固化,得到Mini/Micro?LED,實現(xiàn)焊接質(zhì)量穩(wěn)定,維修難度小及維修成本低。

    【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】

    本專利技術(shù)涉及l(fā)ed顯示的,尤其涉及一種mini/micro?led及其制造方法。


    技術(shù)介紹

    1、回流焊工藝雖然在電子制造中被廣泛應(yīng)用,但也存在一些溫度相關(guān)的缺點。以下是回流焊工藝應(yīng)用在mini/micro?led?顯示屏焊接的缺點:

    2、1)在回流焊接過程中,焊接溫度通常較高,?高溫焊接時,容易對芯片造成損壞,導(dǎo)致焊接質(zhì)量不穩(wěn)定。

    3、2)此外,當某個芯片出現(xiàn)不良時,我們需要將pcb板或玻璃基板加熱至較高溫度才能將錫膏熔化,進而移除芯片。然而,由于熱擴散和導(dǎo)熱的物理現(xiàn)象,高溫會迅速傳導(dǎo)至周圍的芯片,從而使得加熱區(qū)域難以精準地只作用于損壞的芯片,從而導(dǎo)致附近的正常芯片受到損害,增加了維修過程中的風險。

    4、3)由于異方性導(dǎo)電膜是一整張導(dǎo)電薄膜,若出現(xiàn)個別芯片連接不良或故障,修復(fù)難度極大。因為薄膜上已經(jīng)連接了數(shù)千個芯片,修復(fù)往往需要更換整張導(dǎo)電薄膜,導(dǎo)致acf薄膜上的所有芯片都將報廢,維修成本高。


    技術(shù)實現(xiàn)思路

    1、本專利技術(shù)的主要目的在于提供一種mini/micro?led及其制造方法,旨在解決現(xiàn)有的mini/micro?led芯片焊接質(zhì)量不穩(wěn)定、維修難度大且維修成本高的技術(shù)問題。

    2、為實現(xiàn)上述目的,本專利技術(shù)提供一種mini/micro?led的制造方法,制造方法包括:通過機械分離工藝或噴涂工藝制備金屬導(dǎo)電顆粒球,其中,所述金屬導(dǎo)電顆粒球的直徑為10μm-20μm;

    3、通過涂覆工藝在所述金屬導(dǎo)電顆粒球的表面涂覆一層絕緣涂層,并進行風干,形成絕緣薄膜,其中,所述絕緣薄膜的厚度為所述金屬導(dǎo)電顆粒球的直徑的3%-25%;

    4、提供一絕緣膠水,將涂覆有所述絕緣薄膜的金屬導(dǎo)電顆粒球放入所述絕緣膠水中,并進行攪拌,形成各向異性導(dǎo)電膠;

    5、提供具有若干鋼孔的疏水性納米鋼網(wǎng)和具有若干個焊盤的基板,通過所述疏水性納米鋼網(wǎng)將所述各向異性導(dǎo)電膠印刷到所述焊盤上;

    6、剝離所述疏水性納米鋼網(wǎng);

    7、提供mini/micro?led芯片,將所述mini/micro?led芯片貼裝到位于所述焊盤上的各向異性導(dǎo)電膠上,并進行加溫加壓使所述各向異性導(dǎo)電膠的絕緣薄膜縱向破裂露出包裹于所述絕緣薄膜內(nèi)的金屬導(dǎo)電顆粒球,使得所述金屬導(dǎo)電顆粒球分別與所述mini/microled芯片和所述焊盤接觸形成垂直導(dǎo)電通路,并使得所述各向異性導(dǎo)電膠的絕緣膠水初步固化,得到mini/micro?led。

    8、進一步地,在一實施方式中,所述絕緣薄膜的材料為樹脂、聚合物或熱塑性聚合物中的一種或多種;和/或,所述絕緣膠水的材料為改性環(huán)氧樹脂。

    9、進一步地,在一實施方式中,所述金屬導(dǎo)電顆粒球的材料為錫粉、銀粉、鎳粉、金粉、錫合金粉、銅粉、鋁粉中的一種或多種。

    10、進一步地,在一實施方式中,在所述提供mini/micro?led芯片,將所述mini/microled芯片貼裝到位于所述焊盤上的各向異性導(dǎo)電膠上,并進行加溫加壓使所述各向異性導(dǎo)電膠的絕緣薄膜縱向破裂露出包裹于所述絕緣薄膜內(nèi)的金屬導(dǎo)電顆粒球,使得所述金屬導(dǎo)電顆粒球分別與所述mini/micro?led芯片和所述焊盤接觸形成垂直導(dǎo)電通路,并使得所述各向異性導(dǎo)電膠的絕緣膠水初步固化,得到mini/micro?led之后,還包括:

    11、對所述mini/micro?led芯片進行檢測;

    12、當所述mini/micro?led芯片為不良品時,對所述mini/micro?led芯片進行加熱使得所述各向異性導(dǎo)電膠熔化,將不良品的所述mini/micro?led芯片移除并更換良品的所述mini/micro?led芯片,其中,加熱溫度為120°c-150°c。

    13、進一步地,在一實施方式中,所述提供mini/micro?led芯片,將所述mini/microled芯片貼裝到位于所述焊盤上的各向異性導(dǎo)電膠上,并進行加溫加壓使所述各向異性導(dǎo)電膠的絕緣薄膜縱向破裂露出包裹于所述絕緣薄膜內(nèi)的金屬導(dǎo)電顆粒球,使得所述金屬導(dǎo)電顆粒球分別與所述mini/micro?led芯片和所述焊盤接觸形成垂直導(dǎo)電通路,并使得所述各向異性導(dǎo)電膠的絕緣膠水初步固化,得到mini/micro?led的步驟分兩步形成,包括:

    14、通過巨量轉(zhuǎn)移工藝或smt工藝將所述mini/micro?led芯片貼裝到位于所述焊盤上的各向異性導(dǎo)電膠上;

    15、通過熱壓工藝對貼裝到位于所述焊盤上的各向異性導(dǎo)電膠的mini/micro?led芯片加溫并在所述mini/micro?led芯片的縱向施加壓力,使得所述各向異性導(dǎo)電膠的絕緣薄膜軟化并在z軸方向破裂露出包裹于所述絕緣薄膜內(nèi)的金屬導(dǎo)電顆粒球,且所述金屬導(dǎo)電顆粒球被壓縮并分別與所述mini/micro?led芯片和所述焊盤接觸形成垂直導(dǎo)電通路,并使得所述各向異性導(dǎo)電膠的絕緣膠水初步固化,得到mini/micro?led。

    16、進一步地,在一實施方式中,所述通過涂覆工藝在所述金屬導(dǎo)電顆粒球的表面涂覆一層絕緣涂層,并進行風干,形成絕緣薄膜的步驟包括:

    17、通過化學沉積法將所述金屬導(dǎo)電顆粒球浸泡在化學溶液中,通過化學反應(yīng)在所述金屬導(dǎo)電顆粒球的表面形成絕緣涂層,并對所述絕緣涂層進行風干,形成絕緣薄膜。

    18、進一步地,在一實施方式中,所述通過涂覆工藝在所述金屬導(dǎo)電顆粒球的表面涂覆一層絕緣涂層,并進行風干,形成絕緣薄膜的步驟包括:

    19、通過物理氣相沉積法將絕緣涂層的材料沉積到所述金屬導(dǎo)電顆粒球表面上,形成絕緣涂層,并對所述絕緣涂層進行風干,形成絕緣薄膜。

    20、進一步地,在一實施方式中,所述提供一絕緣膠水,將涂覆有所述絕緣薄膜的金屬導(dǎo)電顆粒球放入所述絕緣膠水中,并進行攪拌,形成各向異性導(dǎo)電膠的步驟包括:

    21、提供一絕緣膠水,將涂覆有所述絕緣薄膜的金屬導(dǎo)電顆粒球放入所述絕緣膠水中,通過低速攪拌,使得多個所述金屬導(dǎo)電顆粒球均勻分布于所述絕緣膠水中,形成各向異性導(dǎo)電膠;或,提供一絕緣膠水,將涂覆有所述絕緣薄膜的金屬導(dǎo)電顆粒球放入所述絕緣膠水中,通過行星式攪拌機的旋轉(zhuǎn)和公轉(zhuǎn)的組合運動攪拌,使得多個所述金屬導(dǎo)電顆粒球均勻分布于所述絕緣膠水中,形成各向異性導(dǎo)電膠。

    22、進一步地,在一實施方式中,所述提供具有若干鋼孔的疏水性納米鋼網(wǎng)的步驟包括:

    23、提供一鋼板,根據(jù)所述基板的焊盤對應(yīng)在所述鋼板上開鋼孔,形成鋼網(wǎng);

    24、在所述鋼網(wǎng)上涂覆一層納米疏水涂層,得到疏水性納米鋼網(wǎng)。

    25、本專利技術(shù)還提供一種mini/micro?led,mini/micro?led由所述的制造方法制成。

    26、本專利技術(shù)提供的技術(shù)方案中,通過機械分離工藝或噴涂工藝制備直徑為10μm-20μm的金屬導(dǎo)電顆粒球,通過涂覆工藝在金屬導(dǎo)電顆粒球的表面涂覆一層絕緣涂層,形成厚度為金屬導(dǎo)電顆粒球的直徑的3%-25%的絕緣薄膜,使得絕緣薄膜在加熱后軟化本文檔來自技高網(wǎng)...

    【技術(shù)保護點】

    1.一種Mini/Micro?LED的制造方法,其特征在于,所述制造方法包括:

    2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述絕緣薄膜的材料為樹脂、聚合物或熱塑性聚合物中的一種或多種;和/或,所述絕緣膠水的材料為改性環(huán)氧樹脂。

    3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述金屬導(dǎo)電顆粒球的材料為錫粉、銀粉、鎳粉、金粉、錫合金粉、銅粉、鋁粉中的一種或多種。

    4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法,其特征在于,在所述提供Mini/Micro?LED芯片,將所述Mini/Micro?LED芯片貼裝到位于所述焊盤上的各向異性導(dǎo)電膠上,并進行加溫加壓使所述各向異性導(dǎo)電膠的絕緣薄膜縱向破裂露出包裹于所述絕緣薄膜內(nèi)的金屬導(dǎo)電顆粒球,使得所述金屬導(dǎo)電顆粒球分別與所述Mini/Micro?LED芯片和所述焊盤接觸形成垂直導(dǎo)電通路,并使得所述各向異性導(dǎo)電膠的絕緣膠水初步固化,得到Mini/Micro?LED之后,還包括:

    5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述提供Mini/Micro?LED芯片,將所述Mini/Micro?LED芯片貼裝到位于所述焊盤上的各向異性導(dǎo)電膠上,并進行加溫加壓使所述各向異性導(dǎo)電膠的絕緣薄膜縱向破裂露出包裹于所述絕緣薄膜內(nèi)的金屬導(dǎo)電顆粒球,使得所述金屬導(dǎo)電顆粒球分別與所述Mini/Micro?LED芯片和所述焊盤接觸形成垂直導(dǎo)電通路,并使得所述各向異性導(dǎo)電膠的絕緣膠水初步固化,得到Mini/Micro?LED的步驟分兩步形成,包括:

    6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述通過涂覆工藝在所述金屬導(dǎo)電顆粒球的表面涂覆一層絕緣涂層,并進行風干,形成絕緣薄膜的步驟包括:

    7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述通過涂覆工藝在所述金屬導(dǎo)電顆粒球的表面涂覆一層絕緣涂層,并進行風干,形成絕緣薄膜的步驟包括:

    8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述提供一絕緣膠水,將涂覆有所述絕緣薄膜的金屬導(dǎo)電顆粒球放入所述絕緣膠水中,并進行攪拌,形成各向異性導(dǎo)電膠的步驟包括:

    9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述提供具有若干鋼孔的疏水性納米鋼網(wǎng)的步驟包括:

    10.一種Mini/Micro?LED,其特征在于,所述Mini/Micro?LED采用權(quán)利要求1至9任一項所述的制造方法制成。

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    【技術(shù)特征摘要】

    1.一種mini/micro?led的制造方法,其特征在于,所述制造方法包括:

    2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述絕緣薄膜的材料為樹脂、聚合物或熱塑性聚合物中的一種或多種;和/或,所述絕緣膠水的材料為改性環(huán)氧樹脂。

    3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述金屬導(dǎo)電顆粒球的材料為錫粉、銀粉、鎳粉、金粉、錫合金粉、銅粉、鋁粉中的一種或多種。

    4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法,其特征在于,在所述提供mini/micro?led芯片,將所述mini/micro?led芯片貼裝到位于所述焊盤上的各向異性導(dǎo)電膠上,并進行加溫加壓使所述各向異性導(dǎo)電膠的絕緣薄膜縱向破裂露出包裹于所述絕緣薄膜內(nèi)的金屬導(dǎo)電顆粒球,使得所述金屬導(dǎo)電顆粒球分別與所述mini/micro?led芯片和所述焊盤接觸形成垂直導(dǎo)電通路,并使得所述各向異性導(dǎo)電膠的絕緣膠水初步固化,得到mini/micro?led之后,還包括:

    5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述提供mini/micro?led芯片,將所述mini/micro?led芯片貼裝到位于所述焊盤上的各向異性導(dǎo)電膠上,...

    【專利技術(shù)屬性】
    技術(shù)研發(fā)人員:蔣燕紅何耀頤
    申請(專利權(quán))人:深圳市帝顯電子有限公司
    類型:發(fā)明
    國別省市:

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