【技術實現步驟摘要】
本申請涉及半導體，具體涉及一種實施半浮柵工藝時減少有源區損失的方法。
技術介紹
1、半浮柵器件具有取代dram的巨大潛力，它讀寫快，且不需要電容器件。如圖1所示，通過現有的半浮柵工藝形成的半浮柵器件具有三重柵極結構(浮柵100、第一控制柵101和第二控制柵102)，通過構建雙控制柵，能同時控制器件的寫入和讀取操作，并且第二控制柵102的制程與現有邏輯器件制造工藝平臺完全兼容。
2、實施現有的半浮柵工藝時，通過刻蝕形成第二控制柵102和邏輯器件的柵極103后，需要通過圖形化工藝將先前在襯底110上形成的包括浮柵100和第一控制柵101在內的層疊結構從中間切斷形成隔離槽圖形。相比現有的邏輯器件制程，多出的切斷曝光顯影及刻蝕工藝使柵極103因長時間暴露在空氣中使其側壁受到氧化，不需要切斷的區域在刻蝕工藝中受到旋涂碳(soc)層的保護，刻蝕結束后通過灰化工藝去除soc層(位于多個柵極103之間的狹縫內以及層疊結構的部分頂部)時，露出的襯底受到氧化導致有源區損失，有源區表面形成的接近20埃的氧化層105增大了接觸電阻，阻礙載流子在溝道中的遷移，嚴重影響器件性能。
技術實現思路
1、鑒于以上所述現有技術的缺點，本申請的目的在于提供一種實施半浮柵工藝時減少有源區損失的方法，用于解決現有技術中因有源區表面氧化導致器件性能下降的問題。
2、為實現上述目的及其它相關目的，本申請提供一種實施半浮柵工藝時減少有源區損失的方法，包括：
3、步驟一，提供一襯底，襯底上形成有
4、步驟二，將層疊結構從中間切斷形成隔離槽；
5、步驟三，圖案化硬掩膜層；
6、步驟四，以圖案化的硬掩膜層為掩模，刻蝕柵極材料層，形成第二控制柵和邏輯器件柵極。
7、優選的，步驟三包括以下步驟：在硬掩膜層上依次形成soc層、抗反射涂層和具有第二控制柵及邏輯器件柵極圖案的光刻膠層，soc層填滿隔離槽；以光刻膠層為掩模實施刻蝕形成圖案化的硬掩膜層后，去除位于硬掩膜層上的soc層、抗反射涂層和光刻膠層；去除隔離槽內的soc層。
8、優選的，通過灰化工藝去除隔離槽內的soc層。
9、優選的，抗反射涂層的材料包括硅基抗反射涂層。
10、優選的，浮柵和第一控制柵之間形成有柵間介質層。
11、優選的，形成該層疊結構的步驟包括：在襯底上形成絕緣層后，在襯底中形成多個凹槽；在襯底上依次形成浮柵材料層、柵間介質層和控制柵材料層，浮柵材料層填滿凹槽；依次刻蝕控制柵材料層、柵間介質層和浮柵材料層。
12、優選的，凹槽的截面為u型、梯形或方形。
13、優選的，形成該層疊結構后，還包括以下步驟：形成覆蓋該層疊結構頂部和側壁的遮蔽層；在襯底上依次形成高k介質層和阻擋層。
14、優選的，阻擋層的材料包括氮化鈦。
15、優選的，硬掩膜層包括自下而上層疊的氮化硅層和氧化物層。
16、如上所述，本申請提供的實施半浮柵工藝時減少有源區損失的方法，具有以下有益效果：可以有效防止有源區表面和控制柵側壁的氧化，不需要通過單獨的灰化機臺去除大量的旋涂碳層，降低產能不足和缺陷產生的風險。
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1.一種實施半浮柵工藝時減少有源區損失的方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟三包括以下步驟：在所述硬掩膜層上依次形成SOC層、抗反射涂層和具有所述第二控制柵及邏輯器件柵極圖案的光刻膠層，所述SOC層填滿所述隔離槽；以所述光刻膠層為掩模實施刻蝕形成所述圖案化的硬掩膜層后，去除位于所述硬掩膜層上的SOC層、抗反射涂層和光刻膠層；去除所述隔離槽內的SOC層。
3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，通過灰化工藝去除所述隔離槽內的SOC層。
4.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述抗反射涂層的材料包括硅基抗反射涂層。
5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述浮柵和所述第一控制柵之間形成有柵間介質層。
6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，形成所述層疊結構的步驟包括：在所述襯底上形成絕緣層后，在所述襯底中形成多個凹槽；在所述襯底上依次形成浮柵材料層、所述柵間介質層和控制柵材料層，所述浮柵材料層填滿所述凹槽；依次刻蝕所述控制柵材料層、所述柵間介質層和所述浮柵材料層。<...
【技術特征摘要】
1.一種實施半浮柵工藝時減少有源區損失的方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟三包括以下步驟：在所述硬掩膜層上依次形成soc層、抗反射涂層和具有所述第二控制柵及邏輯器件柵極圖案的光刻膠層，所述soc層填滿所述隔離槽；以所述光刻膠層為掩模實施刻蝕形成所述圖案化的硬掩膜層后，去除位于所述硬掩膜層上的soc層、抗反射涂層和光刻膠層；去除所述隔離槽內的soc層。
3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，通過灰化工藝去除所述隔離槽內的soc層。
4.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述抗反射涂層的材料包括硅基抗反射涂層。
5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述浮柵和所述第一控制柵之間形成有柵間介質層。
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【專利技術屬性】
技術研發人員：張定邦，劉少雄，錢凱，
申請(專利權)人：上海華力集成電路制造有限公司，
類型：發明
國別省市：
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