【技術實現步驟摘要】
本公開總體涉及用于原位測量的方法和裝置。更具體地，本公開涉及在半導體制造期間測量沉積材料量。
技術介紹
1、計量可用于分析和評估在膜沉積期間過程是否如其應該的那樣發生。一個重要的度量是沉積在晶片上的膜厚度。該厚度可以告知是否發生了正確的沉積量。測量膜厚度的傳統方法非原位(在反應室的外部)進行的，這些方法不是實時測量，也不準確，因為從反應室中取出并暴露于不同的環境后，膜可能會發生變化。此外，在不同的位置進行這些測量會對產量產生負面影響。
2、在處理期間，膜也可能積聚在反應室的部件上，這可能改變部件的熱特性，并可能導致不均勻加熱，從而導致晶片不均勻性。
技術實現思路
1、本技術的各種實施例可以提供原位計量。一種系統可以包括嵌入基座內并與基座的頂表面齊平的第一傳感器。該系統還可以包括提升銷墊，該提升銷墊具有布置成接觸提升銷的第二傳感器。該系統還可以包括布置在反應室外部并鄰近觀察端口的第三傳感器。該系統還可以包括處理器，以接收來自一個或多個傳感器的輸出信號，并使用該輸出信號來確定晶片上的膜厚度。
2、根據一個方面，一種裝置包括：基座，其配置成支撐襯底，并且包括第一表面和相對的第二表面，以及從第一表面延伸到第二表面的多個第一通孔和從第一表面延伸到第二表面的多個第二通孔；一組第一銷，每個第一銷布置在多個第一通孔中的通孔內，其中每個第一銷配置成具有多個位置；以及一組第二銷，每個第二銷包括：鄰近基座的第一表面的第一端和與第一端相對的第二端，其中：每個第二銷布置在多個第二通孔
3、在一個實施例中，傳感器包括石英晶體微量天平，并且該組第二銷包括導電材料。
4、在一個實施例中，傳感器與第一表面齊平。
5、在一個實施例中，基座還包括聯接到真空源的多個第三通孔。
6、在一個實施例中，該組第二銷以圓形圖案布置。
7、在一個實施例中，每個傳感器產生對應于傳感器頻率變化的輸出信號。
8、在一個實施例中，該裝置還包括處理器，該處理器配置成接收每個輸出信號，并基于頻率變化確定質量值。
9、在一個實施例中，該裝置還包括處理器，該處理器配置為接收每個輸出信號，并基于輸出信號和每個傳感器相對于其他傳感器的位置的組合來確定襯底上的膜厚度圖。
10、在一個實施例中，該裝置還包括附接到該組第二銷中的每個銷并配置成在傳感器上施加力的機構。
11、在又一方面，一種裝置包括：基座，其包括第一表面和相對的第二表面；從第一表面延伸到第二表面的多個通孔；多個提升銷，每個提升銷設置在多個通孔中的相應通孔內；以及嵌入基座內的多個傳感器，每個傳感器包括與第一表面齊平設置的感測表面，其中傳感器配置為產生對應于感測表面的頻率變化的輸出信號。
12、在一個實施例中，傳感器包括石英晶體微量天平。
13、在一個實施例中，基座還包括聯接到真空源的多個第三通孔。
14、在一個實施例中，多個傳感器以圓形圖案布置。
15、在一個實施例中，每個傳感器產生對應于傳感器頻率變化的輸出信號。
16、在一個實施例中，該裝置還包括處理器，該處理器配置成接收每個輸出信號，并基于頻率變化確定質量值。
17、在一個實施例中，該設備還包括處理器，該處理器配置為接收每個輸出信號，并基于輸出信號和每個傳感器相對于其他傳感器的位置的組合來確定襯底上的膜厚度圖。
18、在又一方面，一種系統包括：反應室；設置在反應室內的基座，該基座包括第一表面和相對的第二表面；嵌入基座內的多個傳感器，每個傳感器包括與第一表面齊平設置的感測表面，其中傳感器配置為產生對應于感測表面的頻率變化的輸出信號；以及電連接到每個傳感器的處理器，該處理器配置為接收每個輸出信號，并基于輸出信號和每個傳感器相對于其他傳感器的位置的組合來確定厚度圖。
19、在一個實施例中，該系統還包括附接到該組第二銷中的每個銷并配置成在傳感器上施加力的機構。
20、在一個實施例中，其中傳感器以圓形圖案布置。
21、在一個實施例中，處理器還配置成檢測頻率變化何時在預定范圍之外，并作為響應產生誤差信號。
22、在又一方面，一種系統包括：設置在反應室的內部空間內的基座，其中基座包括多個通孔；設置在多個通孔中的相應通孔內的多個銷；設置在基座下方的多個銷墊，其中每個銷墊與多個銷中的一個銷對準；傳感器，設置在銷墊的頂表面上，其中傳感器產生對應于質量的信號；以及處理器，該處理器聯接到傳感器并配置為接收信號，基于信號確定質量變化以及基于所確定的質量變化確定膜厚度。
23、在又一方面，一種系統包括：反應室，其包括側壁和垂直于側壁的底表面，其中側壁和底表面限定反應室的內部空間；設置在內部空間內的基座；設置在側壁內的觀察端口；設置在反應室外部并鄰近觀察端口的發射計，其中第一發射計產生輸出信號；以及處理器，其連接到發射計并配置為接收輸出信號并檢測輸出信號的值變化。
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1.一種裝置，包括：
2.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述傳感器包括石英晶體微量天平，并且所述一組第二銷包括導電材料。
3.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述傳感器與所述第一表面齊平。
4.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述基座還包括聯接到真空源的多個第三通孔。
5.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述一組第二銷以圓形圖案布置。
6.根據權利要求1所述的裝置，其中，每個傳感器產生對應于傳感器頻率變化的輸出信號。
7.根據權利要求6所述的裝置，還包括處理器，所述處理器配置為接收每個輸出信號，并基于頻率變化確定質量值。
8.根據權利要求6所述的裝置，還包括處理器，所述處理器配置為接收每個輸出信號，并基于輸出信號和每個傳感器相對于其他傳感器的位置的組合來確定襯底上的膜厚度圖。
9.根據權利要求1所述的裝置，還包括附接到所述一組第二銷中的每個銷并配置為在傳感器上施加力的機構。
10.一種裝置，包括：
11.根據權利要求10所述的裝置，其中，所述傳感器包括石英晶體
12.根據權利要求10所述的裝置，其中，所述基座還包括聯接到真空源的多個第三通孔。
13.根據權利要求10所述的裝置，其中，所述多個傳感器以圓形圖案布置。
14.根據權利要求10所述的裝置，其中，每個傳感器產生對應于傳感器頻率變化的輸出信號。
15.根據權利要求14所述的裝置，還包括處理器，所述處理器配置為接收每個輸出信號，并基于頻率變化確定質量值。
16.根據權利要求14所述的裝置，還包括處理器，所述處理器配置為接收每個輸出信號，并基于輸出信號和每個傳感器相對于其他傳感器的位置的組合來確定襯底上的膜厚度圖。
17.一種系統，包括：
18.根據權利要求17所述的系統，還包括附接到所述一組第二銷中的每個銷并配置為在傳感器上施加力的機構。
19.根據權利要求17所述的系統，其中，所述傳感器以圓形圖案布置。
20.根據權利要求17所述的系統，其中，所述處理器還配置為檢測頻率變化何時在預定范圍之外，并作為響應產生誤差信號。
21.一種系統，包括：
22.一種系統，包括：
...【技術特征摘要】
1.一種裝置，包括：
2.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述傳感器包括石英晶體微量天平，并且所述一組第二銷包括導電材料。
3.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述傳感器與所述第一表面齊平。
4.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述基座還包括聯接到真空源的多個第三通孔。
5.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述一組第二銷以圓形圖案布置。
6.根據權利要求1所述的裝置，其中，每個傳感器產生對應于傳感器頻率變化的輸出信號。
7.根據權利要求6所述的裝置，還包括處理器，所述處理器配置為接收每個輸出信號，并基于頻率變化確定質量值。
8.根據權利要求6所述的裝置，還包括處理器，所述處理器配置為接收每個輸出信號，并基于輸出信號和每個傳感器相對于其他傳感器的位置的組合來確定襯底上的膜厚度圖。
9.根據權利要求1所述的裝置，還包括附接到所述一組第二銷中的每個銷并配置為在傳感器上施加力的機構。
10.一種裝置，包括：
11.根據權利要求10所述的裝置，其中，所述傳感器包括石英晶體微量天平。<...
【專利技術屬性】
技術研發人員：A·錢德拉塞卡蘭，J·L·溫克勒，S·加格，R·J·保爾，
申請(專利權)人：ASMIP私人控股有限公司，
類型：發明
國別省市：
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