【技術實現步驟摘要】
本公開總體涉及半導體處理方法和系統的領域，以及器件和集成電路制造的領域。具體而言，本公開總體涉及在襯底表面上形成硅化鉬層的方法。
技術介紹
1、最近，鉬作為在電子器件制造過程中形成導電層的金屬引起了人們的興趣。對于某些應用，鉬可能工作得很好。然而，在某些情況下，具有沉積鉬的器件結構可能表現出不期望的高接觸電阻。因此，需要形成適用于電子器件制造的導電層的改進方法。
2、本部分中闡述的任何討論，包括對問題和解決方案的討論，已經包括在本公開中，僅僅是為了提供本公開的背景。這種討論不應被視為承認任何或所有信息在本專利技術被做出時是已知的，或者構成現有技術。
技術實現思路
1、本
技術實現思路
可以簡化的形式介紹一些概念，這將在下面進一步詳細描述。本
技術實現思路
不旨在必要地標識所要求保護的主題的關鍵特征或必要特征，也不旨在用于限制所要求保護的主題的范圍。
2、本公開的各種實施例涉及在襯底表面上形成硅化鉬層的方法。如下面更詳細闡述，這里描述的方法可以在電子器件的制造過程中使用。這種方法可以降低制造器件的復雜性和/或成本，并提供具有降低的接觸電阻的導電層。舉例來說，本文描述的方法可用于形成存儲器、邏輯、其它柵電極器件、有機發光二極管、液晶顯示器、薄膜太陽能電池、其它光伏器件等。
3、根據本公開的示例，提供了一種在襯底表面上形成硅化鉬層的方法。示例性方法包括將襯底安置在反應室內，在襯底的表面上沉積鉬金屬層，以及使鉬金屬層與含硅氣體接觸，以將鉬金屬層的至少一部分轉化為
4、根據本公開的附加示例，提供了在襯底表面上形成硅化鉬層的另一種方法。該方法包括將襯底安置在反應室內，該襯底包括半導體器件結構的接觸區域。該方法還包括使用使用含氟氣體形成的第一活性物質和使用含氫或含nh3氣體形成的第二活性物質清潔接觸區域的表面，以形成清潔的接觸表面。該方法還可以包括，通過循環沉積過程在清潔的接觸表面上直接沉積鉬金屬層，循環沉積過程包括：將襯底加熱到150℃和400℃之間的襯底溫度，向反應室提供無氧鉬前體，向反應室提供反應物，并且使鉬金屬層與含硅氣體接觸，從而將至少一部分鉬金屬層轉化為硅化鉬層，并且在硅化鉬層上直接沉積附加鉬金屬層。根據本公開的示例，使鉬金屬層與含硅氣體接觸的步驟在400℃和700℃之間的襯底溫度下進行。
5、通過參考附圖對某些實施例的以下詳細描述，這些和其他實施例對于本領域技術人員來說將變得顯而易見。本專利技術不限于所公開的任何特定實施例。
本文檔來自技高網...【技術保護點】
1.一種在襯底表面上形成硅化鉬層的方法，該方法包括：
2.根據權利要求1所述的方法，其中，沉積鉬金屬層的步驟包括化學氣相沉積過程。
3.根據權利要求1所述的方法，其中，沉積鉬金屬層的步驟包括熱循環沉積過程。
4.根據權利要求3所述的方法，其中，所述熱循環沉積過程包括原子層沉積過程，所述原子層沉積過程的每個沉積循環包括：
5.根據權利要求4所述的方法，其中，所述鉬前體包括無氧鉬前體。
6.根據權利要求5所述的方法，其中，所述無氧鉬前體包含鉬原子和雙(乙苯)配體。
7.根據權利要求6所述的方法，其中，所述無氧鉬前體包括Mo(EtBz)2。
8.根據權利要求4至7中任一項所述的方法，其中，所述反應物包括由鹵素原子和烴基組成的化合物。
9.根據權利要求8所述的方法，其中，所述鹵素原子是碘或溴。
10.根據權利要求9所述的方法，其中，所述反應物包括碘苯或1-碘丁烷。
11.根據權利要求9所述的方法，其中，所述反應物包括溴苯或1-溴丁烷。
12.根據權利要求1至
13.根據權利要求1至12中任一項所述的方法，其中，所述含硅氣體具有通式RaSiXb或RcXdSi-SiRcXd，其中每個X可以獨立地選自H、鹵素或其它配體，其中每個R可以是C1-C12有機基團，并且其中a是0、1、2或3，b是4-a，c是0、1或2，d是3-c。
14.根據權利要求1至13中任一項所述的方法，其中，使鉬金屬層與含硅氣體接觸的步驟在400℃和700℃之間的襯底溫度下進行。
15.根據權利要求1至14中任一項所述的方法，還包括在硅化鉬層上沉積附加鉬金屬層的步驟。
16.根據權利要求1至15中任一項所述的方法，還包括在沉積鉬金屬層的步驟之前清潔襯底表面的步驟。
17.根據權利要求16所述的方法，其中，清潔襯底表面的步驟包括使襯底表面與使用含氟氣體形成的第一活性物質和使用含氫或含NH3氣體形成的第二活性物質接觸。
18.一種根據權利要求1至17中任一項形成的半導體器件結構。
19.一種在襯底表面上形成硅化鉬層的方法，該方法包括：
20.根據權利要求19所述的方法，其中，使鉬金屬層與含硅氣體接觸的步驟在400℃和700℃之間的襯底溫度下進行。
...【技術特征摘要】
1.一種在襯底表面上形成硅化鉬層的方法，該方法包括：
2.根據權利要求1所述的方法，其中，沉積鉬金屬層的步驟包括化學氣相沉積過程。
3.根據權利要求1所述的方法，其中，沉積鉬金屬層的步驟包括熱循環沉積過程。
4.根據權利要求3所述的方法，其中，所述熱循環沉積過程包括原子層沉積過程，所述原子層沉積過程的每個沉積循環包括：
5.根據權利要求4所述的方法，其中，所述鉬前體包括無氧鉬前體。
6.根據權利要求5所述的方法，其中，所述無氧鉬前體包含鉬原子和雙(乙苯)配體。
7.根據權利要求6所述的方法，其中，所述無氧鉬前體包括mo(etbz)2。
8.根據權利要求4至7中任一項所述的方法，其中，所述反應物包括由鹵素原子和烴基組成的化合物。
9.根據權利要求8所述的方法，其中，所述鹵素原子是碘或溴。
10.根據權利要求9所述的方法，其中，所述反應物包括碘苯或1-碘丁烷。
11.根據權利要求9所述的方法，其中，所述反應物包括溴苯或1-溴丁烷。
12.根據權利要求1至11中任一項所述的方法，其中，沉積鉬金屬層的步驟在介于150℃和400℃之間的襯底...
【專利技術屬性】
技術研發人員：D·厄爾努爾，J·W·梅斯，
申請(專利權)人：ASMIP私人控股有限公司，
類型：發明
國別省市：
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